公开(公告)号：CN103794605B

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201310188874.X

申请日：2013-05-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔宰福 ,  李圭现 ,  张美贞 ,  崔荣振 ,  许宙永

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L23/49838 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10847 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10891 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了具有限定有源区的线型沟道的半导体装置及其形成方法，其中该半导体装置包括：彼此平行的多个平行沟槽；彼此平行的多个交叉沟槽；由平行沟槽和交叉沟槽限定的多个有源区；跨过有源区的多条下导线；彼此平行的多条上导线，交叉下导线且跨越有源区；以及连接到有源区的数据存储元件。平行沟槽和交叉沟槽的每个是直线形。平行沟槽交叉上导线并与上导线形成第一锐角。交叉沟槽交叉平行沟槽并与平行沟槽形成第二锐角。

公开(公告)号：CN103794605A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201310188874.X

申请日：2013-05-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔宰福 ,  李圭现 ,  张美贞 ,  崔荣振 ,  许宙永

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L23/49838 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10847 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10891 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了具有限定有源区的线型沟道的半导体装置及其形成方法，其中该半导体装置包括：彼此平行的多个平行沟槽；彼此平行的多个交叉沟槽；由平行沟槽和交叉沟槽限定的多个有源区；跨过有源区的多条下导线；彼此平行的多条上导线，交叉下导线且跨越有源区；以及连接到有源区的数据存储元件。平行沟槽和交叉沟槽的每个是直线形。平行沟槽交叉上导线并与上导线形成第一锐角。交叉沟槽交叉平行沟槽并与平行沟槽形成第二锐角。

公开(公告)号：CN108538804B

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201810251036.5

申请日：2013-05-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔宰福 ,  李圭现 ,  张美贞 ,  崔荣振 ,  许宙永

IPC: H01L23/498 ,  H01L27/02 ,  H01L27/108

Abstract: 本发明公开了具有限定有源区的线型沟道的半导体装置及其形成方法，其中该半导体装置包括：彼此平行的多个平行沟槽；彼此平行的多个交叉沟槽；由平行沟槽和交叉沟槽限定的多个有源区；跨过有源区的多条下导线；彼此平行的多条上导线，交叉下导线且跨越有源区；以及连接到有源区的数据存储元件。平行沟槽和交叉沟槽的每个是直线形。平行沟槽交叉上导线并与上导线形成第一锐角。交叉沟槽交叉平行沟槽并与平行沟槽形成第二锐角。

公开(公告)号：CN108538804A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810251036.5

申请日：2013-05-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔宰福 ,  李圭现 ,  张美贞 ,  崔荣振 ,  许宙永

IPC: H01L23/498 ,  H01L27/02 ,  H01L27/108

Abstract: 本发明公开了具有限定有源区的线型沟道的半导体装置及其形成方法，其中该半导体装置包括：彼此平行的多个平行沟槽；彼此平行的多个交叉沟槽；由平行沟槽和交叉沟槽限定的多个有源区；跨过有源区的多条下导线；彼此平行的多条上导线，交叉下导线且跨越有源区；以及连接到有源区的数据存储元件。平行沟槽和交叉沟槽的每个是直线形。平行沟槽交叉上导线并与上导线形成第一锐角。交叉沟槽交叉平行沟槽并与平行沟槽形成第二锐角。