公开(公告)号：CN114188324A

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202110658864.2

申请日：2021-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金孝燮 ,  金根楠 ,  金万福 ,  金修廷 ,  朴哲权 ,  田昇培 ,  黄有商

IPC: H01L27/108

Abstract: 公开了半导体装置。所述半导体装置可以包括：有源图案；栅极结构，在有源图案的上部中；位线结构，在有源图案上；下间隔件结构，在位线结构的侧壁的下部上；以及上间隔件结构，在位线结构的侧壁的上部上。下间隔件结构包括顺序地堆叠的第一下间隔件和第二下间隔件，第一下间隔件接触位线结构的侧壁的下部且不包括氮，并且第二下间隔件包括与第一下间隔件不同的材料。上间隔件结构的接触位线结构的侧壁的上部的部分包括与第一下间隔件不同的材料。

公开(公告)号：CN111092081A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201911004947.9

申请日：2019-10-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金大元 ,  金奉秀 ,  崔荣振 ,  具炳周 ,  金万福

IPC: H01L27/108

Abstract: 公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：半导体基板；第一杂质区和第二杂质区，在半导体基板中彼此间隔开；在半导体基板上的位线，该位线在第一方向上延伸；以及位线接触，将第一杂质区电连接到位线。位线接触包括：金属层，包括第一侧表面和第二侧表面；以及硅层，覆盖金属层的第一侧表面并且不覆盖金属层的第二侧表面。