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公开(公告)号：CN115910991A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202210361368.5
申请日：2022-04-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L23/532
Abstract: 公开了具有防裂纹结构的半导体装置。所述半导体装置包括：半导体基底，包括芯片区域和划线区域；低k层，在半导体基底上；层间绝缘层，在低k层上；沟槽区域，在划线区域中；间隙填充绝缘层，在沟槽区域中并且从半导体基底垂直延伸穿过低k层和层间绝缘层以通过层间绝缘层暴露间隙填充绝缘层的上表面；以及第一金属衬层，覆盖间隙填充绝缘层的侧表面，并且设置在间隙填充绝缘层与低k层之间以及间隙填充绝缘层与层间绝缘层之间。
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公开(公告)号：CN113451265A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110325155.2
申请日：2021-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L23/532 , H01L27/02
Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括芯片区域和边缘区域；集成电路元件，位于芯片区域上；层间绝缘层，覆盖集成电路元件；互连结构，位于层间绝缘层上并且具有位于边缘区域上的侧表面；第一导电图案和第二导电图案，位于互连结构上，第一导电图案和第二导电图案电连接到互连结构；第一钝化层，覆盖第一导电图案和第二导电图案以及互连结构的侧表面；以及第二钝化层，位于第一钝化层上，其中，第二钝化层包括不同于第一钝化层的绝缘材料，并且在第一导电图案与第二导电图案之间，第二钝化层具有定位在比第一导电图案的顶表面的竖直水平低的竖直水平处的底表面。
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公开(公告)号：CN112349658A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202010315686.9
申请日：2020-04-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/498 , H01L21/60
Abstract: 公开了一种半导体器件。所述半导体器件包括：层间绝缘层，设置在基底上；多个中部互连件，设置在层间绝缘层中；垫，设置在层间绝缘层上；上部互连件，设置在层间绝缘层上；保护绝缘层，覆盖垫的边缘、上部互连件以及垫与上部互连件之间的水平的间隙，保护绝缘层在垫上具有开口；以及凸块，设置在垫上，凸块在保护绝缘层上延伸并且从自顶向下的视图来看与上部互连件叠置。所述多个中部互连件中的在竖直方向上最靠近垫的中部互连件之中的至少一个中部互连件具有第一竖直厚度，垫具有为第一竖直厚度的两倍至100倍的第二竖直厚度，垫与上部互连件之间的所述间隙的长度为1μm或更大，并且保护绝缘层的上表面是平坦的。
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公开(公告)号：CN115831921A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202210712745.5
申请日：2022-06-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/532 , H01L23/528 , H01L23/48
Abstract: 本公开提供了一种半导体装置。根据公开的所述半导体装置包括：基底；晶体管，连接到基底；以及布线结构，包括电连接到晶体管的接触布线。布线结构还包括：第一布线绝缘层；第一材料层，物理地接触第一布线绝缘层；第二材料层，物理地接触第一材料层；以及第二布线绝缘层，物理地接触第二材料层。第一材料层包括SiN，并且第二材料层包括SiCN。第一布线绝缘层的介电常数大于第二布线绝缘层的介电常数。
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公开(公告)号：CN115206931A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210242090.X
申请日：2022-03-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/544
Abstract: 一种半导体装置中的检测焊盘结构可以包括衬底上的下布线、下布线上的上布线、以及上布线上的第一焊盘图案。上布线可以连接到下布线，并且包括堆叠在多个层中的金属图案和金属图案上的过孔接触件。第一焊盘图案可以连接到上布线。一种半导体装置可以包括实际上布线，该实际上布线包括堆叠在多个层中的实际金属图案和实际过孔接触件。上布线中的每一层的金属图案中的至少一个可以具有实际上布线中的每一层的金属图案的最小线宽和最小间隔。上布线中的每一层的金属图案和过孔接触件可以规则地并且重复地布置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112420644A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010316950.0
申请日：2020-04-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 提供了一种半导体芯片，该半导体芯片包括：器件层，位于基底上，器件层包括多个半导体器件；布线结构和下布线间介电层，均位于器件层上，下布线间介电层围绕布线结构并且具有比氧化硅的介电常数低的介电常数；上布线间介电层，布置在下布线间介电层上；隔离凹陷，沿着基底的边缘布置，隔离凹陷形成在下布线间介电层和上布线间介电层的侧表面上，并且具有处于等于或低于下布线间介电层的底表面的水平的水平的底表面；以及覆盖介电层，覆盖下布线间介电层和上布线间介电层的侧表面以及隔离凹陷的底表面。
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公开(公告)号：CN116075149A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211356181.2
申请日：2022-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体器件和包括半导体器件的半导体封装件。所述半导体器件包括：半导体基底；第一层间绝缘层，布置在半导体基底上；低介电层，布置在第一层间绝缘层上；第二层间绝缘层和第三层间绝缘层，顺序地布置在低介电层上；以及贯穿硅过孔，穿透半导体基底和第一层间绝缘层，其中，半导体基底、第一层间绝缘层和低介电层构成倒角结构，倒角结构包括第一倒角表面和第二倒角表面，第一倒角表面平行于半导体基底的顶表面，第二倒角表面相对于半导体基底的顶表面倾斜并连接到第一倒角表面。
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公开(公告)号：CN115810579A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202210920766.6
申请日：2022-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
Abstract: 公开半导体装置。所述半导体装置包括：基底；蚀刻停止层，在基底上；贯穿孔电极，与基底的上表面基本垂直的垂直方向上延伸穿过基底和蚀刻停止层；以及导电垫。蚀刻停止层包括与基底邻近的第一表面和与第一表面背对的第二表面。贯穿孔电极包括从蚀刻停止层的第二表面突起的突起部分。导电垫覆盖贯穿孔电极的突起部分。贯穿孔电极的突起部分是不平坦的。
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公开(公告)号：CN112951804A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202010751146.5
申请日：2020-07-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/544 , H01L21/66
Abstract: 公开了一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：基底，包括第一部分和第二部分；存储器单元，设置在第一部分上；绝缘层，设置在第一部分和第二部分上，绝缘层覆盖存储器单元，绝缘层的位于第二部分上的部分包括台阶侧壁；以及第一图案组，设置在第二部分上并且设置在绝缘层的所述部分和基底中。半导体装置的第一侧壁对应于台阶侧壁，台阶侧壁包括上侧壁、下侧壁和将上侧壁连接到下侧壁的连接表面。设置在上侧壁下的下侧壁比上侧壁靠近基底，并且具有与上侧壁的表面粗糙度不同的表面粗糙度。
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