公开(公告)号：CN102163457B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201110040220.3

申请日：2011-02-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌炫 ,  韩真晚 ,  金杜坤 ,  许星会 ,  尹钟仁

IPC: G11C16/02 ,  G11C16/14

Abstract: 提供了非易失性存储器件、其编程方法以及包括其的存储系统。所述非易失性存储器件包括衬底以及在与衬底相交的方向上堆叠的多个存储单元。所述编程方法向被选位线施加第一电压，向未选位线施加第二电压，向被选串选择线施加第三电压，向未选串选择线施加第四电压，并且向多个字线施加编程操作电压，其中，所述第一到第三电压是正电压。

公开(公告)号：CN114725116A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202111659089.9

申请日：2021-12-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔茂林 ,  权泰穆 ,  金俊亨 ,  金铉宰 ,  禹映范 ,  尹钟仁

IPC: H01L27/11521 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11582 ,  G11C16/04

Abstract: 提供了半导体装置和包括其的数据存储系统。所述半导体装置包括：第一衬底，包括杂质区，所述杂质区包括第一导电类型的杂质；电路器件，位于所述第一衬底上；下互连结构，电连接到所述电路器件；第二衬底，位于所述下互连结构上并且包括所述第一导电类型的半导体；栅电极，位于所述第二衬底上并且在与所述第二衬底的上表面垂直的第一方向上堆叠并彼此间隔开；沟道结构，穿过所述栅电极；以及连接结构。所述沟道结构可以垂直于所述第二衬底的所述上表面延伸。所述沟道结构可以包括沟道层。所述连接结构可以将所述第一衬底的所述杂质区连接到所述第二衬底，并且所述连接结构可以包括通路，所述通路包括第二导电类型的半导体。

公开(公告)号：CN102163457A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201110040220.3

申请日：2011-02-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌炫 ,  韩真晚 ,  金杜坤 ,  许星会 ,  尹钟仁

IPC: G11C16/02 ,  G11C16/14

CPC classification number: G11C16/107 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/10 ,  G11C2213/71 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/7926

Abstract: 提供了非易失性存储器件、其编程方法以及包括其的存储系统。所述非易失性存储器件包括衬底以及在与衬底相交的方向上堆叠的多个存储单元。所述编程方法向被选位线施加第一电压，向未选位线施加第二电压，向被选串选择线施加第三电压，向未选串选择线施加第四电压，并且向多个字线施加编程操作电压，其中，所述第一到第三电压是正电压。