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公开(公告)号：CN109659430A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811092261.5
申请日：2018-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L27/2427 , H01L23/525 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/04 , H01L45/14 , H01L45/16
Abstract: 提供了一种包括数据存储图案的半导体装置，所述半导体装置包括：基体绝缘层，位于基底上；第一导电线，在基体绝缘层上沿第一方向延伸；数据存储结构，位于第一导电线上；选择器结构，位于数据存储结构上，每个选择器结构包括下选择器电极、选择器和上选择器电极；绝缘层，位于选择器结构之间的空间中；以及第二导电线，设置在选择器结构和绝缘层上，并且在与第一方向相交的第二方向上延伸。绝缘层的上表面高于上选择器电极的上表面。
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公开(公告)号：CN104051609A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410095275.8
申请日：2014-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/228 , G11C11/161 , H01L43/12
Abstract: 在MRAM器件的方法中，在衬底上沿着第二方向交替地并且重复地形成第一和第二图案。每个第一图案和每个第二图案在垂直于第二方向的第一方向上延伸。第二图案的一些被去除以形成在第一方向上延伸的第一开口。形成填充第一开口的源极线。在第一和第二图案以及源极线上形成掩模。掩模包括在第一方向上的第二开口，每个第二开口在第二方向上延伸。第二图案通过第二开口暴露的部分被去除以形成第三开口。形成填充第三开口的第三图案。被第一和第三图案围绕的第二图案被去除以形成第四开口。形成填充第四开口的接触插塞。
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公开(公告)号：CN111048661A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201910659609.2
申请日：2019-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 宣昌佑
IPC: H01L45/00
Abstract: 提供了一种可变电阻存储器装置。所述可变电阻存储器装置可以包括多个堆叠结构。每个堆叠结构可以形成在基底上，并且可以包括顺序堆叠的下电极、可变电阻图案和选择图案。阈值电压控制图案可以形成在堆叠结构上，可以在平行于基底的上表面的第二方向上延伸，并且可以被构造为增大或减小每个选择图案的阈值电压。上电极可以形成在阈值电压控制图案上，并且可以在第二方向上延伸。第一导线可以接触堆叠结构的下电极的相应下表面，并且可以在垂直于第二方向的第一方向上延伸。第二导线可以接触上电极的上表面，并且可以在第二方向上延伸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109659430B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201811092261.5
申请日：2018-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种包括数据存储图案的半导体装置，所述半导体装置包括：基体绝缘层，位于基底上；第一导电线，在基体绝缘层上沿第一方向延伸；数据存储结构，位于第一导电线上；选择器结构，位于数据存储结构上，每个选择器结构包括下选择器电极、选择器和上选择器电极；绝缘层，位于选择器结构之间的空间中；以及第二导电线，设置在选择器结构和绝缘层上，并且在与第一方向相交的第二方向上延伸。绝缘层的上表面高于上选择器电极的上表面。
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公开(公告)号：CN104051609B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201410095275.8
申请日：2014-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/228 , G11C11/161 , H01L43/12
Abstract: 在MRAM器件的方法中，在衬底上沿着第二方向交替地并且重复地形成第一和第二图案。每个第一图案和每个第二图案在垂直于第二方向的第一方向上延伸。第二图案的一些被去除以形成在第一方向上延伸的第一开口。形成填充第一开口的源极线。在第一和第二图案以及源极线上形成掩模。掩模包括在第一方向上的第二开口，每个第二开口在第二方向上延伸。第二图案通过第二开口暴露的部分被去除以形成第三开口。形成填充第三开口的第三图案。被第一和第三图案围绕的第二图案被去除以形成第四开口。形成填充第四开口的接触插塞。
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公开(公告)号：CN111048661B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN201910659609.2
申请日：2019-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 宣昌佑
Abstract: 提供了一种可变电阻存储器装置。所述可变电阻存储器装置可以包括多个堆叠结构。每个堆叠结构可以形成在基底上，并且可以包括顺序堆叠的下电极、可变电阻图案和选择图案。阈值电压控制图案可以形成在堆叠结构上，可以在平行于基底的上表面的第二方向上延伸，并且可以被构造为增大或减小每个选择图案的阈值电压。上电极可以形成在阈值电压控制图案上，并且可以在第二方向上延伸。第一导线可以接触堆叠结构的下电极的相应下表面，并且可以在垂直于第二方向的第一方向上延伸。第二导线可以接触上电极的上表面，并且可以在第二方向上延伸。
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公开(公告)号：CN104051613B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201410095518.8
申请日：2014-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/12 , G11C11/161 , H01L27/228
Abstract: 本发明涉及磁阻型随机存取存储器器件及其制造方法。一种制造磁阻型随机存取存储器(MRAM)器件的方法包括：在衬底上以交替且重复的布置形成第一图案和第二图案；在第一图案和第二图案的顶表面上形成第一帽层；以及去除第一帽层的第一部分和在第二图案下方的部分，以形成暴露衬底的第一开口。该方法还包括形成分别填充第一开口的下部的源极线；形成分别填充第一开口的上部的第二帽层图案；以及去除第一帽层的第二部分和在第二图案下方的部分，以形成暴露衬底的第二开口。从而，在衬底上一体地形成且顺序地叠堆接触塞和焊盘层，以填充第二开口。
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公开(公告)号：CN104051613A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410095518.8
申请日：2014-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/12 , G11C11/161 , H01L27/228
Abstract: 本发明涉及磁阻型随机存取存储器器件及其制造方法。一种制造磁阻型随机存取存储器(MRAM)器件的方法包括：在衬底上以交替且重复的布置形成第一图案和第二图案；在第一图案和第二图案的顶表面上形成第一帽层；以及去除第一帽层的第一部分和在第二图案下方的部分，以形成暴露衬底的第一开口。该方法还包括形成分别填充第一开口的下部的源极线；形成分别填充第一开口的上部的第二帽层图案；以及去除第一帽层的第二部分和在第二图案下方的部分，以形成暴露衬底的第二开口。从而，在衬底上一体地形成且顺序地叠堆接触塞和焊盘层，以填充第二开口。
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