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公开(公告)号：CN111490062A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010040953.6
申请日：2020-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明构思涉及一种包括数据存储图案的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：第一导线，在基板上且沿第一方向延伸；第二导线，在第一导线上且沿第二方向延伸；数据存储结构，在第一导线和第二导线之间，其中每个数据存储结构包括下数据存储电极、数据存储图案和上数据存储电极，其中下数据存储电极的上部的宽度小于下数据存储电极的下部的宽度，数据存储图案的上部的宽度大于数据存储图案的下部的宽度，下数据存储电极的上部的宽度不同于数据存储图案的下部的宽度。
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公开(公告)号：CN110867463B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN201910799037.8
申请日：2019-08-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种可变电阻存储器件包括：沿第一方向延伸的字线；字线上沿与第一方向交叉的第二方向延伸的位线；位线和字线之间的开关图案；开关图案和字线之间的相变图案；以及相变图案和字线之间的底部电极，其中相变图案的底面积大于底部电极的顶面积，相变图案的厚度大于底部电极的厚度，并且其中底面积和顶面积沿第一方向和第二方向限定，以及厚度沿与第一方向和第二方向交叉的第三方向限定。
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公开(公告)号：CN109768159B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201811329735.3
申请日：2018-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器件包括：第一导电线，沿着第一方向在衬底上延伸；第二导电线，沿着与第一方向交叉的第二方向在第一导电线上延伸；以及存储单元结构，在第一导电线和第二导电线之间的交叉点处并且连接到第一导电线和第二导电线，每个存储单元结构包括第一电极层、第二电极层以及在第一电极层和第二电极层之间的电阻存储层。每个电阻存储层的第一侧壁是倾斜的并具有在远离衬底的方向上减小的水平宽度，并且每个电阻存储层的与第一侧壁相邻的第二侧壁是倾斜的并具有在远离衬底的方向上增大的水平宽度。
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公开(公告)号：CN109768159A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201811329735.3
申请日：2018-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/2463 , H01L27/2427 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1683
Abstract: 一种存储器件包括：第一导电线，沿着第一方向在衬底上延伸；第二导电线，沿着与第一方向交叉的第二方向在第一导电线上延伸；以及存储单元结构，在第一导电线和第二导电线之间的交叉点处并且连接到第一导电线和第二导电线，每个存储单元结构包括第一电极层、第二电极层以及在第一电极层和第二电极层之间的电阻存储层。每个电阻存储层的第一侧壁是倾斜的并具有在远离衬底的方向上减小的水平宽度，并且每个电阻存储层的与第一侧壁相邻的第二侧壁是倾斜的并具有在远离衬底的方向上增大的水平宽度。
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公开(公告)号：CN119451131A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202410651709.1
申请日：2024-05-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体存储器件，包括：单元块，每个单元块包括其中交替地设置有电极结构和绝缘结构的折叠结构，其中，电极结构和绝缘结构在竖直方向上延伸并且彼此连接以在平面图中具有形成绒毛形状的至少两个U形结构，电极结构包括竖直电极和切换材料层，并且单元块沿第一水平方向和与第一水平方向相交的第二水平方向设置；以及栅极堆叠结构，包括沿着电极结构的侧壁在竖直方向上交替堆叠的栅电极和层间绝缘层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110858621B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN201910722355.4
申请日：2019-08-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种可变电阻存储器件包括衬底。第一导电线设置在衬底上并主要沿第一方向延伸。第二导电线设置在衬底上并主要沿第二方向延伸。第二方向交叉第一方向。相变图案设置在第一导电线和第二导电线之间。底部电极设置在相变图案和第一导电线之间。底部电极包括将第一导电线和相变图案彼此连接的第一侧壁区段。相变图案在第一方向上具有朝向衬底减小的宽度。第一侧壁区段具有彼此面对的第一侧表面和第二侧表面。相变图案的最下部设置在第一侧表面和第二侧表面之间。
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公开(公告)号：CN109256406B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201810768492.7
申请日：2018-07-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了各种可变电阻存储器装置和制造可变电阻存储器装置的方法。可变电阻存储器装置可以包括：衬底，其包括单元区域和外围区域；第一导电线，其位于衬底上；第二导电线，其穿过第一导电线；可变电阻结构，其位于第一导电线和第二导电线的交叉点处；以及底电极，其位于第一导电线和可变电阻结构之间。单元区域可以包括与外围区域接触的边界区域，并且第一导电线之一与可变电阻结构中的位于边界区域且与所述第一导电线之一重叠的一个可变电阻结构电绝缘。
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公开(公告)号：CN109256406A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201810768492.7
申请日：2018-07-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/1675 , G11C13/0004 , G11C13/0026 , G11C13/0028 , G11C2213/31 , G11C2213/76 , H01L27/2427 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/122 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/141 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1683 , H01L45/1691 , H01L45/1253
Abstract: 提供了各种可变电阻存储器装置和制造可变电阻存储器装置的方法。可变电阻存储器装置可以包括：衬底，其包括单元区域和外围区域；第一导电线，其位于衬底上；第二导电线，其穿过第一导电线；可变电阻结构，其位于第一导电线和第二导电线的交叉点处；以及底电极，其位于第一导电线和可变电阻结构之间。单元区域可以包括与外围区域接触的边界区域，并且第一导电线之一与可变电阻结构中的位于边界区域且与所述第一导电线之一重叠的一个可变电阻结构电绝缘。
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公开(公告)号：CN111490062B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202010040953.6
申请日：2020-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明构思涉及一种包括数据存储图案的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：第一导线，在基板上且沿第一方向延伸；第二导线，在第一导线上且沿第二方向延伸；数据存储结构，在第一导线和第二导线之间，其中每个数据存储结构包括下数据存储电极、数据存储图案和上数据存储电极，其中下数据存储电极的上部的宽度小于下数据存储电极的下部的宽度，数据存储图案的上部的宽度大于数据存储图案的下部的宽度，下数据存储电极的上部的宽度不同于数据存储图案的下部的宽度。
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公开(公告)号：CN112701219B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202010645856.X
申请日：2020-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：多条第一导线，设置在基底上；多条第二导线，与所述多条第一导线交叉；以及多个单元结构，介于所述多条第一导线与所述多条第二导线之间。所述多个单元结构之中的至少一个单元结构包括：第一电极；开关元件，设置在第一电极上；第二电极，设置在开关元件上；第一金属图案，设置在第二电极上；可变电阻图案，介于第一金属图案与所述多条第二导线之中的至少一条第二导线之间；以及第一间隔件，设置在可变电阻图案的侧壁、第一金属图案的侧壁和第二电极的侧壁上。
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