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公开(公告)号：CN112701219B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202010645856.X
申请日：2020-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：多条第一导线，设置在基底上；多条第二导线，与所述多条第一导线交叉；以及多个单元结构，介于所述多条第一导线与所述多条第二导线之间。所述多个单元结构之中的至少一个单元结构包括：第一电极；开关元件，设置在第一电极上；第二电极，设置在开关元件上；第一金属图案，设置在第二电极上；可变电阻图案，介于第一金属图案与所述多条第二导线之中的至少一条第二导线之间；以及第一间隔件，设置在可变电阻图案的侧壁、第一金属图案的侧壁和第二电极的侧壁上。
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公开(公告)号：CN119947120A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202410654392.7
申请日：2024-05-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件，包括：多条字线，在第一方向上延伸；多条位线，在与第一方向相交的第二方向上延伸；多个存储单元，在多条字线和多条位线相交的多个区域中；以及半导体元件，连接到多条字线和多条位线中的至少一条，该半导体元件包括第一有源图案和第二有源图案，该第二有源图案沿着与第一方向和第二方向垂直的高度方向与第一有源图案重叠。
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公开(公告)号：CN112701219A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202010645856.X
申请日：2020-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：多条第一导线，设置在基底上；多条第二导线，与所述多条第一导线交叉；以及多个单元结构，介于所述多条第一导线与所述多条第二导线之间。所述多个单元结构之中的至少一个单元结构包括：第一电极；开关元件，设置在第一电极上；第二电极，设置在开关元件上；第一金属图案，设置在第二电极上；可变电阻图案，介于第一金属图案与所述多条第二导线之中的至少一条第二导线之间；以及第一间隔件，设置在可变电阻图案的侧壁、第一金属图案的侧壁和第二电极的侧壁上。
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