公开(公告)号：CN116137684A

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：CN202211411003.5

申请日：2022-11-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋泰荣 ,  沈殷燮 ,  朴昶贤

IPC: H04N25/60 ,  H04N25/76 ,  H04N25/78

Abstract: 提供了一种图像传感器。图像传感器包括：在行和列方向上排列的像素的像素阵列。提供在像素阵列的第一行中的第一像素包括与第一金属线连接的第一子像素、与第二金属线连接的第二子像素、与第三金属线连接的第三子像素以及与第四金属线连接的第四子像素。当对第一像素执行读出操作时，依次使能施加到第一至第四金属线的信号。基于所施加的信号，累积在第一至第四子像素中的电荷的至少一部分扩散到第一浮置扩散节点。第一子像素和第三子像素在列方向上相邻，并且第一子像素和第二子像素在行方向上相邻。

公开(公告)号：CN117438438A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202310262524.7

申请日：2023-03-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋泰荣 ,  沈殷燮

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了图像传感器及其制造方法。所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成沟槽以限定像素区域；用第一导电类型的掺杂剂掺杂所述沟槽；在用所述第一导电类型的掺杂剂掺杂所述沟槽之后，用第二导电类型的掺杂剂掺杂所述沟槽；在掺杂所述沟槽之后，在所述沟槽中形成绝缘衬垫图案；在形成所述绝缘衬垫图案之后对所述半导体衬底执行第一热处理工艺；以及在执行所述第一热处理工艺之后形成填充所述沟槽的内部空间的填充图案。所述第一导电类型的所述掺杂剂的扩散系数大于所述第二导电类型的所述掺杂剂的扩散系数。所述第一热处理工艺将所述第一导电类型的所述掺杂剂和所述第二导电类型的所述掺杂剂同时扩散到所述半导体衬底中。

公开(公告)号：CN109585473A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811132946.8

申请日：2018-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹惺铉 ,  权杜原 ,  金宽植 ,  白寅圭 ,  宋泰荣

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种制造图像感测设备的方法，包含：形成包含像素区域的第一区域的第一衬底结构，第一衬底结构具有第一表面和第二表面；形成包含用于驱动像素区域的电路区域的第二衬底结构，第二衬底结构具有第三表面和第四表面；将第一衬底结构结合到第二衬底结构，以使得第一表面连接到第三表面；在第二表面上形成像素区域的第二区域；形成第一连接通孔，第一连接通孔从第二表面延伸以穿过第一衬底结构；使用导电凸块将半导体芯片安装在第四表面上；以及将第一衬底结构、第二衬底结构以及半导体芯片的堆叠结构分离成单元图像感测设备。

公开(公告)号：CN109962054B

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN201811215891.7

申请日：2018-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔珉准 ,  权杜原 ,  金宽植 ,  宋泰荣 ,  尹惺铉

IPC: H01L23/522

Abstract: 公开了一种具有在金属互连下形成绝缘层的结构的半导体装置。所述半导体装置包括形成在衬底上的通孔插塞和形成在通孔插塞的一端处的用于互连的金属层，其中绝缘结构位于用于互连的金属层下方，并且绝缘结构根据与用于互连的金属层的位置关系具有不同的分层结构。

公开(公告)号：CN114530494A

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN202111390039.5

申请日：2021-11-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金声仁 ,  宋泰荣 ,  高宗贤

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L27/146

Abstract: 半导体器件可以包括：有源鳍，在衬底上在第一方向上延伸并且包括在位于与所述第一方向相交的第二方向上的两侧开口的凹陷部；源极区和漏极区，分别邻近所述有源鳍的相对端；栅电极，在所述有源鳍的所述凹陷部的上表面上沿所述第二方向横贯所述有源鳍，并且延伸到邻近所述凹陷部的侧面区域；以及栅绝缘层，在所述有源鳍与所述栅电极之间。

公开(公告)号：CN109728012B

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN201811210354.3

申请日：2018-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹惺铉 ,  权杜原 ,  金宽植 ,  宋泰荣 ,  崔珉准

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像感测设备，该图像感测设备包括第一基底结构、第二基底结构和存储器芯片。第一基底结构包括具有光电转换元件的像素区域。第二基底结构包括连接到第一基底结构的第一表面和与第一表面相对的第二表面，并且还包括电路区域以驱动像素区域。存储器芯片安装在第二基底结构的第二表面上。第一基底结构和第二基底结构通过穿过第一基底结构的第一连接过孔电连接。第二基底结构和存储器芯片通过穿过第二基底结构的一部分的第二连接过孔电连接。第一连接过孔和第二连接过孔在平面上位于不同位置处。

公开(公告)号：CN109962054A

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201811215891.7

申请日：2018-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔珉准 ,  权杜原 ,  金宽植 ,  宋泰荣 ,  尹惺铉

IPC: H01L23/522

Abstract: 公开了一种具有在金属互连下形成绝缘层的结构的半导体装置。所述半导体装置包括形成在衬底上的通孔插塞和形成在通孔插塞的一端处的用于互连的金属层，其中绝缘结构位于用于互连的金属层下方，并且绝缘结构根据与用于互连的金属层的位置关系具有不同的分层结构。

公开(公告)号：CN109728012A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201811210354.3

申请日：2018-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹惺铉 ,  权杜原 ,  金宽植 ,  宋泰荣 ,  崔珉准

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像感测设备，该图像感测设备包括第一基底结构、第二基底结构和存储器芯片。第一基底结构包括具有光电转换元件的像素区域。第二基底结构包括连接到第一基底结构的第一表面和与第一表面相对的第二表面，并且还包括电路区域以驱动像素区域。存储器芯片安装在第二基底结构的第二表面上。第一基底结构和第二基底结构通过穿过第一基底结构的第一连接过孔电连接。第二基底结构和存储器芯片通过穿过第二基底结构的一部分的第二连接过孔电连接。第一连接过孔和第二连接过孔在平面上位于不同位置处。