公开(公告)号：CN107017199B

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN201611100627.X

申请日：2016-12-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安商燻 ,  白宗玟 ,  宋明根 ,  刘禹炅 ,  赵炳权 ,  金秉熙 ,  李来寅

IPC: H01L21/768

Abstract: 本公开提供制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括：在基板上的第一电介质层中形成凹槽，第一电介质层包括在凹槽之间的第一部分；在每个凹槽中形成第一阻挡层和互连层；使互连层和第一阻挡层凹陷；在凹陷的互连层上形成覆盖图案；通过第一蚀刻工艺蚀刻第一部分的至少一部分；通过第二蚀刻工艺继续蚀刻覆盖图案和第一部分的至少一部分以形成沟槽；在沟槽中以及在凹陷的互连层上共形地形成第二阻挡层；以及在第二阻挡层上形成第二电介质层而不填充沟槽，使得气隙形成在沟槽中。

公开(公告)号：CN115565911A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210777663.9

申请日：2022-07-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林成龙 ,  金永焘 ,  姜大元 ,  金成烈 ,  南象基 ,  宋明根 ,  曹秉局 ,  陈铉喆 ,  皮宗勋

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 提供了一种半导体处理系统及其控制方法。该半导体处理系统包括：半导体处理室，其包括设置在室外壳中的静电卡盘和用于将第一射频(RF)电力供应至设置在静电卡盘中的内部电极的第一电力供应器；电压测量装置，其测量对应于第一RF电力的电压，以输出数字信号；以及控制装置，当基于数字信号确定电压增大至预定参考范围内时,其将互锁控制信号输出至半导体处理室。静电卡盘被配置为使得晶圆能够安装于静电卡盘的表面上。

公开(公告)号：CN107017199A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201611100627.X

申请日：2016-12-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安商燻 ,  白宗玟 ,  宋明根 ,  刘禹炅 ,  赵炳权 ,  金秉熙 ,  李来寅

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/76835

Abstract: 本公开提供制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括：在基板上的第一电介质层中形成凹槽，第一电介质层包括在凹槽之间的第一部分；在每个凹槽中形成第一阻挡层和互连层；使互连层和第一阻挡层凹陷；在凹陷的互连层上形成覆盖图案；通过第一蚀刻工艺蚀刻第一部分的至少一部分；通过第二蚀刻工艺继续蚀刻覆盖图案和第一部分的至少一部分以形成沟槽；在沟槽中以及在凹陷的互连层上共形地形成第二阻挡层；以及在第二阻挡层上形成第二电介质层而不填充沟槽，使得气隙形成在沟槽中。