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公开(公告)号：CN111009544B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN201910890813.5
申请日：2019-09-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B63/10
Abstract: 提供了包括数据存储图案的半导体器件。该半导体器件包括：第一金属布线，设置在衬底上并且在第一方向上延伸；第二金属布线，设置在第一金属布线之上；多个可变电阻结构，每个可变电阻结构包括交替地堆叠在第一金属布线和第二金属布线之间的多个电极和多个可变电阻图案，其中所述多个可变电阻图案由具有相同成分的可变电阻材料形成，并且所述多个电极具有不同的材料特性，诸如不同的电阻率。
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公开(公告)号：CN112086475A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010115013.9
申请日：2020-02-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/24
Abstract: 提供了一种三维半导体存储器装置，所述三维半导体存储器装置包括：多条第一导线，在第一方向上水平延伸；第二导线，在与第一方向垂直的第二方向上竖直延伸；以及存储器单元，位于第一导线和第二导线之间的交叉点处。所述多条第一导线在与第一方向交叉的第三方向上彼此侧向地间隔开。每个存储器单元包括水平布置的可变电阻元件和开关元件。可变电阻元件包括：第一可变电阻图案和第二可变电阻图案，布置在第二方向上；第一电极，位于第一可变电阻图案与第一导线之间；第二电极，位于第二可变电阻图案与第二导线之间；以及第三电极，位于第一可变电阻图案与第二可变电阻图案之间。
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公开(公告)号：CN112017710B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202010453083.5
申请日：2020-05-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种非易失性存储器器件。所述非易失性存储器器件包括：存储器单元阵列；字线驱动块，通过第一组字线连接到第一组存储器单元，并且通过第二组字线连接到第二组存储器单元；位线偏置和感测块，通过位线连接到第一组存储器单元和第二组存储器单元；可变电流供应块，产生要供应到所选择的字线的字线电流；以及控制逻辑块，接收地址和命令，并且基于地址来控制可变电流供应块以调整字线电流的量。控制逻辑块还根据所选择的字线与基底之间的距离来使字线电流的量变化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109698272B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201811220272.7
申请日：2018-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种可变电阻存储器件及其制造方法。该器件包括：第一导电线，在第一方向上延伸；第二导电线，在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；存储器单元，处于所述第一导电线与所述第二导电线之间的交叉点处；第一电极，处于所述第一导电线与所述存储器单元之间；以及第二电极，处于所述第二导电线与所述存储器单元之间。所述存储器单元包括在所述第一导电线与所述第二导电线之间串联连接的切换图案、中间电极、第一电阻率控制图案和可变电阻图案。所述第一电阻率控制图案的电阻率小于所述第二电极的电阻率。
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公开(公告)号：CN112017710A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010453083.5
申请日：2020-05-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种非易失性存储器器件。所述非易失性存储器器件包括：存储器单元阵列；字线驱动块，通过第一组字线连接到第一组存储器单元，并且通过第二组字线连接到第二组存储器单元；位线偏置和感测块，通过位线连接到第一组存储器单元和第二组存储器单元；可变电流供应块，产生要供应到所选择的字线的字线电流；以及控制逻辑块，接收地址和命令，并且基于地址来控制可变电流供应块以调整字线电流的量。控制逻辑块还根据所选择的字线与基底之间的距离来使字线电流的量变化。
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公开(公告)号：CN111009544A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201910890813.5
申请日：2019-09-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/24
Abstract: 提供了包括数据存储图案的半导体器件。该半导体器件包括：第一金属布线，设置在衬底上并且在第一方向上延伸；第二金属布线，设置在第一金属布线之上；多个可变电阻结构，每个可变电阻结构包括交替地堆叠在第一金属布线和第二金属布线之间的多个电极和多个可变电阻图案，其中所述多个可变电阻图案由具有相同成分的可变电阻材料形成，并且所述多个电极具有不同的材料特性，诸如不同的电阻率。
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公开(公告)号：CN109698272A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201811220272.7
申请日：2018-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
Abstract: 公开了一种可变电阻存储器件及其制造方法。该器件包括：第一导电线，在第一方向上延伸；第二导电线，在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；存储器单元，处于所述第一导电线与所述第二导电线之间的交叉点处；第一电极，处于所述第一导电线与所述存储器单元之间；以及第二电极，处于所述第二导电线与所述存储器单元之间。所述存储器单元包括在所述第一导电线与所述第二导电线之间串联连接的切换图案、中间电极、第一电阻率控制图案和可变电阻图案。所述第一电阻率控制图案的电阻率小于所述第二电极的电阻率。
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公开(公告)号：CN109698214A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201811240519.1
申请日：2018-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/24
Abstract: 一种非易失性存储器件，包括：衬底、所述衬底上的第一电极、所述衬底上的第二电极、所述第一电极与所述第二电极之间的选择元件层、以及接触所述第一电极和所述第二电极中的任何一个电极的存储层。所述第一电极在第一方向上具有第一宽度。所述第二电极在垂直于所述第一方向的第二方向上与所述第一电极间隔开。所述第二电极在所述第一方向上具有第二宽度。所述选择元件层包括接触所述第一电极的第一掺杂层。所述第一掺杂层包括第一浓度的杂质。所述选择元件层包括接触所述第二电极的第二掺杂层。所述第二掺杂层包括低于所述第一浓度的第二浓度的所述杂质。
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