公开(公告)号：CN103377905B

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201310148163.X

申请日：2013-04-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔宰福 ,  黄有商 ,  金雅煐 ,  李艺路 ,  秦教英 ,  洪亨善

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/42312 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10888 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66621

Abstract: 一种制造半导体装置的方法，包括：在衬底中形成第一和第二平行场区，平行场区沿第一方向延伸；分别在衬底中形成的第一和第二栅沟槽中形成第一和第二栅盖层；部分地去除栅盖层，使得第一焊盘孔被扩大以与掩埋在衬底中的栅盖层部分地交迭；在第一空间形成焊盘材料层；和通过平坦化焊盘材料层到盖层的上表面的水平，形成位线接触焊盘。

公开(公告)号：CN117952042A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202311346976.X

申请日：2023-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩松伊 ,  都支星 ,  朴真佑 ,  李艺路 ,  李炫庚 ,  郑载勳

IPC: G06F30/3308 ,  G06F18/22 ,  G06N3/08 ,  G06F111/20 ,  G06F115/12

Abstract: 公开了自动模拟生成装置和用于自动设计半导体装置的系统。一种用于确定用于制造半导体装置的目标配方集的适用性的方法包括：通过基于目标配方集搜索数据库来获得参考配方集，参考配方集与目标配方集具有阈值内的相似度；基于数据库、目标配方集和参考配方集执行深度学习，以预测当使用基于目标配方集的制造工艺制造时在半导体装置中发生缺陷的概率；通过将目标配方集与参考配方集进行比较，生成与目标配方集对应的目标脚本集；使用目标脚本集模拟半导体装置的制造工艺；以及基于所述缺陷的概率和模拟制造工艺的结果，确定目标配方集的适用性。

公开(公告)号：CN103377905A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201310148163.X

申请日：2013-04-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔宰福 ,  黄有商 ,  金雅煐 ,  李艺路 ,  秦教英 ,  洪亨善

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/42312 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10888 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66621

Abstract: 一种制造半导体装置的方法，包括：在衬底中形成第一和第二平行场区，平行场区沿第一方向延伸；分别在衬底中形成的第一和第二栅沟槽中形成第一和第二栅盖层；部分地去除栅盖层，使得第一焊盘孔被扩大以与掩埋在衬底中的栅盖层部分地交迭；在第一空间形成焊盘材料层；和通过平坦化焊盘材料层到盖层的上表面的水平，形成位线接触焊盘。

公开(公告)号：CN111009544A

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN201910890813.5

申请日：2019-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋时虎 ,  李艺路

IPC: H01L27/24

Abstract: 提供了包括数据存储图案的半导体器件。该半导体器件包括：第一金属布线，设置在衬底上并且在第一方向上延伸；第二金属布线，设置在第一金属布线之上；多个可变电阻结构，每个可变电阻结构包括交替地堆叠在第一金属布线和第二金属布线之间的多个电极和多个可变电阻图案，其中所述多个可变电阻图案由具有相同成分的可变电阻材料形成，并且所述多个电极具有不同的材料特性，诸如不同的电阻率。

公开(公告)号：CN111009544B

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN201910890813.5

申请日：2019-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋时虎 ,  李艺路

IPC: H10B63/10

Abstract: 提供了包括数据存储图案的半导体器件。该半导体器件包括：第一金属布线，设置在衬底上并且在第一方向上延伸；第二金属布线，设置在第一金属布线之上；多个可变电阻结构，每个可变电阻结构包括交替地堆叠在第一金属布线和第二金属布线之间的多个电极和多个可变电阻图案，其中所述多个可变电阻图案由具有相同成分的可变电阻材料形成，并且所述多个电极具有不同的材料特性，诸如不同的电阻率。

公开(公告)号：CN108206184B

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN201711337133.8

申请日：2017-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋正宇 ,  李艺路 ,  黄光台 ,  金光敏 ,  金容宽 ,  金志永

IPC: H10B12/00 ,  H01L23/528

Abstract: 本发明构思涉及一种半导体存储器件。一种半导体器件包括包含有源区域的衬底。位线结构延伸跨过有源区域。着落垫设置在有源区域的端部上。第一间隔物设置在位线结构与着落垫之间。第二间隔物设置在第一间隔物与着落垫之间。空气间隔物设置在第一间隔物与第二间隔物之间。盖图案设置在着落垫的侧壁与位线结构的侧壁之间。盖图案限定空气间隔物的顶表面并包括金属性材料。

公开(公告)号：CN108206184A

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201711337133.8

申请日：2017-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋正宇 ,  李艺路 ,  黄光台 ,  金光敏 ,  金容宽 ,  金志永

IPC: H01L27/108 ,  H01L23/528

Abstract: 本发明构思涉及一种半导体存储器件。一种半导体器件包括包含有源区域的衬底。位线结构延伸跨过有源区域。着落垫设置在有源区域的端部上。第一间隔物设置在位线结构与着落垫之间。第二间隔物设置在第一间隔物与着落垫之间。空气间隔物设置在第一间隔物与第二间隔物之间。盖图案设置在着落垫的侧壁与位线结构的侧壁之间。盖图案限定空气间隔物的顶表面并包括金属性材料。