公开(公告)号：CN113299752A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202110135744.4

申请日：2021-02-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金旻奎 ,  全辉璨 ,  孙吉焕

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 提供一种垂直场效应晶体管(VFET)器件和制造其的方法。该方法包括：提供中间VFET结构，包括衬底和在衬底上的鳍结构、栅极结构和底部外延层，栅极结构分别形成在鳍结构和底部外延层上，每个鳍结构包括鳍和其上的掩模；在栅极结构之间及其侧面填充层间电介质(ILD)层；分别在ILD层上形成ILD保护层，ILD保护层具有上部和下部并包括防止ILD层处的氧化物损失的材料；去除在ILD保护层的下部上方的鳍结构、栅极结构和ILD保护层；去除鳍结构的掩模和栅极结构的顶部，使得去除之后的鳍结构的顶表面和栅极结构的顶表面低于ILD层的顶表面；在其顶部被去除的栅极结构上形成顶部间隔物并且在其掩模被去除的鳍结构上形成顶部外延层；以及形成连接到顶部外延层的接触结构。

公开(公告)号：CN115377102A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210429628.8

申请日：2022-04-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任廷爀 ,  徐康一 ,  孙吉焕 ,  金基一

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本公开提供了集成电路器件及其形成方法。集成电路器件可以包括两个晶体管堆叠，所述两个晶体管堆叠包括具有不同阈值电压的下晶体管和具有不同阈值电压的上晶体管。下晶体管的栅极绝缘体可以具有不同的偶极子元素或偶极子元素的不同面密度，并且上晶体管可以具有不同的栅电极结构。

公开(公告)号：CN116666373A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202310154810.1

申请日：2023-02-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪炳鹤 ,  孙吉焕 ,  黄寅灿 ,  任廷爀 ,  徐康一 ,  朴世韩 ,  李昇映 ,  咸富铉 ,  李长根 ,  郑明勋 ,  尹承灿

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/528 ,  H01L23/485 ,  H01L23/48 ,  H01L21/60

Abstract: 本公开提供了集成电路器件及其形成方法。集成电路器件可以包括晶体管、无源器件、在晶体管和无源器件之间延伸的基板、以及电源轨。无源器件可以与基板间隔开。无源器件和电源轨中的每个可以具有面对基板的第一表面，并且无源器件的第一表面比电源轨的第一表面更靠近基板。

公开(公告)号：CN114496954A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202110659197.X

申请日：2021-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： S.朴 ,  孙吉焕 ,  徐训硕 ,  任廷爀 ,  金基一

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了一种半导体架构及其制造方法。该半导体架构包括：载体衬底；包括在载体衬底中的落着垫；提供在载体衬底的第一表面上的第一半导体器件，第一半导体器件包括提供在落着垫上的第一组件；提供在载体衬底的第二表面上的第二半导体器件；以及第二组件，从第二半导体器件突出并提供在落着垫上。