公开(公告)号：CN111816584B

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202010248840.5

申请日：2020-04-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴柄善 ,  金益秀 ,  任智芸 ,  罗相虎 ,  吴民在

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供了喷头、包括其的半导体制造装置以及半导体制造方法。该半导体制造装置包括：腔室，包括在其中提供基板的操作区；在操作区中并接收基板的基板支持件；以及在基板支持件下方的下喷头，该下喷头包括：各向同性喷头，具有在基板的底表面上各向同性地提供第一反应气体的第一喷嘴孔；以及条纹喷头，具有条纹喷嘴区域和在条纹喷嘴区域之间的条纹空白区域，条纹喷嘴区域具有第二喷嘴孔，第二喷嘴孔在基板的底表面上非各向同性地提供第二反应气体。

公开(公告)号：CN116113241A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202211374621.7

申请日：2022-11-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴民在 ,  金益秀 ,  罗相虎 ,  任智芸

IPC: H10B43/35 ,  H10B43/40 ,  H10B43/27 ,  H10B41/35 ,  H10B41/41 ,  H10B41/27

Abstract: 本公开涉及一种半导体存储器件和包括其的电子系统。该半导体存储器件包括：单元基板；模制结构，包括堆叠在单元基板上的多个栅电极，栅电极包括依次堆叠的第一接地选择线、第二接地选择线和多条字线；沟道结构，在垂直方向上延伸，穿过单元基板的上表面并穿透模制结构；局部隔离区，在与单元基板的上表面平行的第一方向上延伸并部分地分隔模制结构；以及接地隔离结构，连接在第一方向上彼此相邻的两个局部隔离区，在垂直方向上延伸并穿透第一接地选择线和第二接地选择线，其中接地隔离结构的宽度随着距单元基板的距离的增大而增大。

公开(公告)号：CN111816584A

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN202010248840.5

申请日：2020-04-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴柄善 ,  金益秀 ,  任智芸 ,  罗相虎 ,  吴民在

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供了喷头、包括其的半导体制造装置以及半导体制造方法。该半导体制造装置包括：腔室，包括在其中提供基板的操作区；在操作区中并接收基板的基板支持件；以及在基板支持件下方的下喷头，该下喷头包括：各向同性喷头，具有在基板的底表面上各向同性地提供第一反应气体的第一喷嘴孔；以及条纹喷头，具有条纹喷嘴区域和在条纹喷嘴区域之间的条纹空白区域，条纹喷嘴区域具有第二喷嘴孔，第二喷嘴孔在基板的底表面上非各向同性地提供第二反应气体。

公开(公告)号：CN116507126A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202310058816.9

申请日：2023-01-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙仑焕 ,  金味昭 ,  申重植 ,  吴民在

IPC: H10B41/30 ,  H10B41/27 ,  H10B43/30 ,  H10B43/27 ,  H01L23/544

Abstract: 公开了半导体装置和数据存储系统。该半导体装置包括：衬底，其具有第一区域和第二区域；第一堆叠结构，其位于第一区域中；第一沟道结构，其穿透第一堆叠结构并且与衬底接触；以及第二堆叠结构，其位于第一堆叠结构和第一沟道结构上。该装置还包括：第二沟道结构，其穿透第二堆叠结构并且连接到第一沟道结构；第一模制结构，其位于第二区域中；第一对准结构，其穿透第一模制结构并且与衬底接触；以及第二模制结构，其位于第一模制结构和第一对准结构上。该装置还包括：第二对准结构，其穿透第二模制结构并且连接到第一对准结构；以及保护层，其位于第一模制结构与第二模制结构之间。

公开(公告)号：CN115707241A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210971126.8

申请日：2022-08-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 车泰欢 ,  吴民在 ,  张景泰

IPC: H10B41/35 ,  H10B41/42 ,  H10B41/50 ,  H10B41/20 ,  H10B43/35 ,  H10B43/40 ,  H10B43/50 ,  H10B43/20

Abstract: 半导体器件可以包括：第一堆叠结构，包括层间绝缘层和栅电极，并且包括第一下堆叠结构和第一上堆叠结构，该层间绝缘层和栅电极在垂直于衬底的上表面的第一方向上交替堆叠在衬底的第一区域上；第二堆叠结构，包括层间绝缘层和牺牲绝缘层，并且包括第二下堆叠结构和第二上堆叠结构，该层间绝缘层和牺牲绝缘层在第一方向上交替堆叠在衬底的第二区域上；沟道结构，穿透第一上堆叠结构和第一下堆叠结构，在第一方向上延伸，并且包括沟道层；以及对准键结构，穿透第二下堆叠结构，并且在第一方向上延伸。第二上堆叠结构可以包括在对准键结构上的第一对准键区域。

公开(公告)号：CN111106125A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201910884495.1

申请日：2019-09-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金一宇 ,  罗相虎 ,  崔炳德 ,  金益秀 ,  吴民在

IPC: H01L27/1157 ,  H01L27/11582

Abstract: 公开了一种制造垂直存储器装置的方法，该方法包括：在基底上形成第一牺牲层，第一牺牲层包括第一绝缘材料；形成包括绝缘层和第二牺牲层的模制体，绝缘层和第二牺牲层交替地且重复地堆叠在第一牺牲层上，绝缘层和第二牺牲层分别包括与第一绝缘材料不同的第二绝缘材料和第三绝缘材料；穿过模制体和第一牺牲层形成沟道；穿过模制体和第一牺牲层形成开口以暴露基底的上表面；通过开口去除第一牺牲层以形成第一间隙；形成沟道连接图案以填充第一间隙；以及用栅电极替换第二牺牲层。