公开(公告)号：CN115707241A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210971126.8

申请日：2022-08-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 车泰欢 ,  吴民在 ,  张景泰

IPC: H10B41/35 ,  H10B41/42 ,  H10B41/50 ,  H10B41/20 ,  H10B43/35 ,  H10B43/40 ,  H10B43/50 ,  H10B43/20

Abstract: 半导体器件可以包括：第一堆叠结构，包括层间绝缘层和栅电极，并且包括第一下堆叠结构和第一上堆叠结构，该层间绝缘层和栅电极在垂直于衬底的上表面的第一方向上交替堆叠在衬底的第一区域上；第二堆叠结构，包括层间绝缘层和牺牲绝缘层，并且包括第二下堆叠结构和第二上堆叠结构，该层间绝缘层和牺牲绝缘层在第一方向上交替堆叠在衬底的第二区域上；沟道结构，穿透第一上堆叠结构和第一下堆叠结构，在第一方向上延伸，并且包括沟道层；以及对准键结构，穿透第二下堆叠结构，并且在第一方向上延伸。第二上堆叠结构可以包括在对准键结构上的第一对准键区域。