公开(公告)号：CN112462570A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN202010818384.3

申请日：2020-08-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吕尚哲 ,  崔南柯

IPC: G03F1/36 ,  G03F7/20

Abstract: 一种光学邻近校正方法包括：提取掩模上的图案的布局的边缘，边缘包括该布局的作为曲线边缘的至少一个边缘；以及通过对所提取的布局的边缘应用边缘滤镜来生成图案的光学图像，该边缘滤镜包括与曲线边缘的角度对应的任意角度滤镜。可使用源扇区旋转来生成任意角度滤镜以与曲线边缘的角度对应。

公开(公告)号：CN119781251A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202410880352.4

申请日：2024-07-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吕尚哲 ,  梁宰圆

IPC: G03F7/20

Abstract: 本公开提供了由计算系统执行的用于生成邻近校正模型的方法、邻近校正方法及邻近校正系统。所述用于生成邻近校正模型的方法包括：在使用第一布局来执行第一工艺之后获取晶片上的多个拍摄图像；生成通过重叠所述多个拍摄图像而获得的重叠图像；以及使用所述第一布局的图像和所述重叠图像来对所述邻近校正模型执行机器学习。

公开(公告)号：CN118033985A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202311479838.9

申请日：2023-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吕尚哲

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/68

Abstract: 在训练用于光学邻近校正的深度学习模型的方法中，可以获得与样本布局相关联的样本输入图像，其中，样本布局是光学邻近校正的目标。可以从通过对样本布局执行光学邻近校正而制作的样本掩模中提取对应于样本输入图像的样本参考图像。可以基于所述样本输入图像以及所述样本参考图像对在光学邻近校正中使用的深度学习模型执行训练操作。样本布局可以包括形成半导体设备的工艺图案的样本布局图案。样本输入图像可以包括样本布局图案的角部分的图像。深度学习模型可以用于对样本布局图案的角部分执行圆角操作。

公开(公告)号：CN116432744A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202211579875.2

申请日：2022-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吕尚哲 ,  梁宰圆 ,  李赫 ,  李洙龙

IPC: G06N3/094 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/0475 ,  G06T3/60

Abstract: 公开了一种训练半导体处理图像生成器的方法。所述训练半导体处理图像生成器的方法包括：用包括第一组和第二组的多个掩模图像来训练所述半导体处理图像生成器；用所述第二组和通过对所述第一组应用变换而获得的第一变换组来训练所述半导体处理图像生成器；以及用所述第一组和通过对所述第二组应用变换而获得的第二变换组来训练所述半导体处理图像生成器。

公开(公告)号：CN119008438A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202410011796.4

申请日：2024-01-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吕尚哲 ,  全容辰 ,  姜旻澈 ,  梁宰圆

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/67 ,  G06N20/00 ,  G06T7/00 ,  G05B19/418

Abstract: 公开了一种电子设备的操作方法，该电子设备包括处理器并且支持半导体器件的制造。该操作方法包括：在处理器处，接收用于制造半导体器件的布局图像和通过拍摄实际制造的半导体器件而生成的拍摄图像；在处理器处，基于凸显布局图像和拍摄图像的边缘和拐角的结果来对齐布局图像和拍摄图像；以及在处理器处，基于对齐的布局图像和对齐的拍摄图像执行学习，使得根据布局图像生成第一修改后的布局图像，并且半导体器件是基于根据布局图像生成的第二修改后的布局图像来制造的。

公开(公告)号：CN116705790A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310176787.6

申请日：2023-02-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李受龙 ,  梁宰圆 ,  罗暻朝 ,  金志红 ,  吕尚哲 ,  李赫

IPC: H01L27/02 ,  G06F30/392 ,  G06T7/00 ,  G06N20/00 ,  G06F115/10 ,  G06F115/02

Abstract: 公开了一种电子装置的操作方法，该电子装置包括执行基于机器学习的半导体布局仿真模块的处理器。该操作方法包括：在由处理器执行的半导体布局仿真模块处接收布局图像；基于布局图像和半导体集成电路的制造装置信息图像推断晶片图像，半导体集成电路由半导体制造装置基于最终布局图像制造；当晶片图像不可接受时调整布局图像；以及当晶片图像可接受时确认布局图像为最终布局图像。

公开(公告)号：CN116068841A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202211356766.4

申请日：2022-11-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权美珍 ,  吕尚哲

IPC: G03F1/36 ,  G03F7/20

Abstract: 提供了一种能够制造包括曲线图案的掩模的可靠的掩模布局校正方法以及包括该校正方法的掩模制造方法。基于机器学习的掩模布局校正方法可以包括：获取包括曲线图案的掩模的经光学邻近校正(OPC)的布局图像；从基于经OPC的布局图像制造的掩模的扫描电子显微镜(SEM)图像提取掩模轮廓图像；使用经OPC的布局图像和掩模轮廓图像执行机器学习以生成转换模型；以及使用转换模型校正经OPC的布局图像。

公开(公告)号：CN112462570B

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202010818384.3

申请日：2020-08-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吕尚哲 ,  崔南柯

IPC: G03F1/36 ,  G03F7/20

Abstract: 一种光学邻近校正方法包括：提取掩模上的图案的布局的边缘，边缘包括该布局的作为曲线边缘的至少一个边缘；以及通过对所提取的布局的边缘应用边缘滤镜来生成图案的光学图像，该边缘滤镜包括与曲线边缘的角度对应的任意角度滤镜。可使用源扇区旋转来生成任意角度滤镜以与曲线边缘的角度对应。

公开(公告)号：CN118838108A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202410449366.0

申请日：2024-04-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吕尚哲

IPC: G03F1/36 ,  G03F1/42 ,  G03F1/44 ,  G03F7/20 ,  G03F9/00

Abstract: 提供了产生光学邻近校正模型的方法、校正光学邻近校正模型的方法、以及制造半导体装置的方法。产生光学邻近校正模型的方法包括：在目标图案的扫描电子显微镜图像的第一测量点处测量第一目标临界尺寸值，并在第二测量点处测量第二目标临界尺寸值；相对于目标图案的光学邻近校正模型的轮廓上的第一评估点通过使用第一目标临界尺寸值模拟光学邻近校正模型，第一评估点与第一测量点相对应；相对于轮廓上的第二评估点通过使用第二目标临界尺寸值模拟光学邻近校正模型，第二评估点与第二测量点相对应；以及将光学邻近校正模型拟合到第一评估点和第二评估点中的每一个。

公开(公告)号：CN116719206A

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202310134128.6

申请日：2023-02-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金景洙 ,  李洙龙 ,  梁宰圆 ,  吕尚哲 ,  李赫

IPC: G03F1/36

Abstract: 本发明构思提供了一种基于深度学习的光学邻近校正(OPC)图案的拐角倒圆方法，通过该方法可以确保图案化的可靠性，以及一种包括该拐角倒圆方法的OPC方法和掩模制造方法。该基于深度学习的OPC图案的拐角倒圆方法包括：获得晶片上的光阻(PR)图案或蚀刻图案的轮廓；获得与轮廓相对应的PR图案或蚀刻图案的正方形布局；利用正方形布局和轮廓通过深度学习生成变换模型；以及通过使用变换模型获得关于正方形布局目标的倒圆布局目标。