公开(公告)号：CN107492529A

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201710443703.5

申请日：2017-06-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘惠仁 ,  张元基

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/538

CPC classification number: H01L23/5389 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/19 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L23/3185

Abstract: 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括：再分布基底；互连基底，位于再分布基底上，并且包括穿透其的孔和在其下部分中的凹进区域；半导体芯片，位于再分布基底上并且设置在互连基底的孔中；成型层，覆盖半导体芯片和互连基底。凹进区域连接到孔。成型层填充凹进区域和位于半导体芯片与互连基底之间的间隙。

公开(公告)号：CN107492505B

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN201710416629.8

申请日：2017-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张元基 ,  金永锡 ,  刘惠仁

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及一种制造半导体封装的方法以及所使用的载带膜。所述方法可包含在封装衬底中形成空腔以及在载带膜上提供封装衬底和管芯。此处，载带膜可包含胶带衬底和在胶带衬底上的绝缘层，且可将管芯提供于封装衬底的空腔中。所述方法可进一步包含随后形成包封层以覆盖绝缘层和空腔中的管芯以及覆盖绝缘层上的封装衬底，以及从绝缘层去除胶带衬底。

公开(公告)号：CN107527885B

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN201710416609.0

申请日：2017-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张元基 ,  李东沅 ,  姜明成 ,  刘惠仁

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L21/78

Abstract: 一种制造半导体装置的方法包括：在封装衬底上堆叠第一半导体芯片。第一半导体芯片中的每一个包括第一粘合膜。所述方法包括在第一半导体芯片上分别堆叠第二半导体芯片。第二半导体芯片中的每一个包括第二粘合膜。所述方法包括挤压第一粘合膜及第二粘合膜以形成粘合结构。粘合结构包括设置在第一半导体芯片的侧壁上及第二半导体芯片的侧壁上的延伸部。所述方法包括移除延伸部。所述方法包括形成实质上覆盖第一半导体芯片及第二半导体芯片的第一模制层。所述方法包括对第一半导体芯片之间与第二半导体芯片之间的封装衬底执行切割工艺，以形成多个半导体封装。所述制造半导体装置的方法可有效地移除覆盖半导体芯片的粘合结构的延伸部。

公开(公告)号：CN107492505A

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201710416629.8

申请日：2017-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张元基 ,  金永锡 ,  刘惠仁

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67121 ,  H01L21/568 ,  H01L21/673 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/19 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2924/3511 ,  H01L21/67132

Abstract: 本发明涉及一种制造半导体封装的方法以及所使用的载带膜。所述方法可包含在封装衬底中形成空腔以及在载带膜上提供封装衬底和管芯。此处，载带膜可包含胶带衬底和在胶带衬底上的绝缘层，且可将管芯提供于封装衬底的空腔中。所述方法可进一步包含随后形成包封层以覆盖绝缘层和空腔中的管芯以及覆盖绝缘层上的封装衬底，以及从绝缘层去除胶带衬底。

公开(公告)号：CN111384008A

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201910997715.1

申请日：2019-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李政泌 ,  姜明成 ,  金永锡 ,  徐光仙 ,  刘惠仁 ,  崔容元

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  C09J7/28

Abstract: 公开了一种粘合膜包括：多孔金属层，在其中具有多个孔；第一粘合层，在多孔金属层的一侧上；粘合物质，至少部分地填充多孔金属层的孔隙；以及多个第一导热构件，分布在第一粘合层中。

公开(公告)号：CN107527885A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710416609.0

申请日：2017-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张元基 ,  李东沅 ,  姜明成 ,  刘惠仁

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L21/78

Abstract: 一种制造半导体装置的方法包括：在封装衬底上堆叠第一半导体芯片。第一半导体芯片中的每一个包括第一粘合膜。所述方法包括在第一半导体芯片上分别堆叠第二半导体芯片。第二半导体芯片中的每一个包括第二粘合膜。所述方法包括挤压第一粘合膜及第二粘合膜以形成粘合结构。粘合结构包括设置在第一半导体芯片的侧壁上及第二半导体芯片的侧壁上的延伸部。所述方法包括移除延伸部。所述方法包括形成实质上覆盖第一半导体芯片及第二半导体芯片的第一模制层。所述方法包括对第一半导体芯片之间与第二半导体芯片之间的封装衬底执行切割工艺，以形成多个半导体封装。所述制造半导体装置的方法可有效地移除覆盖半导体芯片的粘合结构的延伸部。