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公开(公告)号：CN106460163A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580032190.8
申请日：2015-05-25
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 实施方式的靶材是平板状的陶瓷。该靶材供溅镀的溅镀面的表面粗糙度Ra为0.5μm以上1.5μm以下，且形成于溅镀面的微裂隙的最大深度为15μm以下。
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公开(公告)号：CN105705672A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201480059995.7
申请日：2014-10-21
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C23C14/34 , C04B35/00 , C23C14/08 , H01L21/363
CPC classification number: C23C14/3414 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/64 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6027 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/77 , C04B2235/81 , C23C14/086 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631
Abstract: 本发明涉及一种溅射靶。所述溅射靶为由In、Ga以及Zn的氧化物组成的溅射靶，并且为在80℃的质量百分比28％盐酸中，相对于该盐酸而将质量百分比40％的量的所述溅射靶浸渍了24小时之时所获得的溶解残渣的、相对于所述浸渍的溅射靶的质量比为质量百分比0.5％以下的溅射靶。本发明的由In、Ga以及Zn的氧化物组成的溅射靶在溅射时电弧或结块的产生较少，并且能够由该溅射靶获得成品率较好的氧化物半导体膜。
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公开(公告)号：CN107419226B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201710100134.4
申请日：2013-01-11
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C23C14/34 , C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/634
Abstract: 本发明为一种陶瓷圆筒形溅射靶材，其特征在于,所述陶瓷圆筒形溅射靶材为，长度为500mm以上且相对密度为95％以上的一体部件。由于本发明的陶瓷圆筒形溅射靶材为具有高密度且500mm以上的长度的一体部件，因此无需将多个溅射靶材堆叠从而设为长尺寸来使用。因此，由于在磁控管旋转阴极溅射装置等中使用本发明的陶瓷圆筒形溅射靶材的情况下，靶材整体不存在分割部或者其数量较少，因此在溅射中电弧或微粒的产生较少。
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公开(公告)号：CN104066700B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201380006061.2
申请日：2013-01-11
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/62695 , C04B35/634 , C04B35/638 , C04B2235/3217 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/5409 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/77 , C04B2235/94 , C23C14/3407 , C23C14/3414
Abstract: 本发明为一种陶瓷圆筒形溅射靶材，其特征在于,所述陶瓷圆筒形溅射靶材为，长度为500mm以上且相对密度为95％以上的一体部件。由于本发明的陶瓷圆筒形溅射靶材为具有高密度且500mm以上的长度的一体部件，因此无需将多个溅射靶材堆叠从而设为长尺寸来使用。因此，由于在磁控管旋转阴极溅射装置等中使用本发明的陶瓷圆筒形溅射靶材的情况下，靶材整体不存在分割部或者其数量较少，因此在溅射中电弧或微粒的产生较少。
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公开(公告)号：CN104066700A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201380006061.2
申请日：2013-01-11
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C04B35/632 , C04B35/00 , C23C14/34
CPC classification number: C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/62695 , C04B35/634 , C04B35/638 , C04B2235/3217 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/5409 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/77 , C04B2235/94 , C23C14/3407 , C23C14/3414
Abstract: 本发明为一种陶瓷圆筒形溅射靶材，其特征在于,所述陶瓷圆筒形溅射靶材为，长度为500mm以上且相对密度为95％以上的一体部件。由于本发明的陶瓷圆筒形溅射靶材为具有高密度且500mm以上的长度的一体部件，因此无需将多个溅射靶材堆叠从而设为长尺寸来使用。因此，由于在磁控管旋转阴极溅射装置等中使用本发明的陶瓷圆筒形溅射靶材的情况下，靶材整体不存在分割部或者其数量较少，因此在溅射中电弧或微粒的产生较少。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107829073A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201710599096.1
申请日：2017-07-21
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/3407 , C23C14/35
Abstract: 本发明的圆筒形溅射靶(10)具有多个圆筒形溅射靶材(20)。溅射靶材(20)沿着它们的轴线A方向串联配置。沿着轴线A方向相邻的两个溅射靶材(20)是溅射靶材(20)的相对置的端面(21)彼此呈互补形状。端面(21)呈不具有与溅射靶材(20)的轴线A正交的平面的形状。
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公开(公告)号：CN107109637A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201680005087.9
申请日：2016-02-09
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Inventor： 石田新太郎
Abstract: 实施方式的陶瓷圆筒形靶材的内周面的表面粗糙度Ra为1.2μm以下。
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公开(公告)号：CN105683408A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201580002336.4
申请日：2015-07-16
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Inventor： 石田新太郎
Abstract: 本发明涉及的圆筒形溅射靶用靶材的制造方法包括外周面磨削工序、内周面磨削工序和精磨工序。在外周面磨削工序中，对陶瓷制的溅射靶材的外周面进行磨削。在内周面磨削工序中，对溅射靶材的内周面进行磨削。在精磨工序中，在外周面磨削工序和内周面磨削工序中的至少一个工序中，以2个以上的磨削方向进行磨削。
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公开(公告)号：CN1461501A
公开(公告)日：2003-12-10
申请号：CN02801160.0
申请日：2002-04-08
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: H01M4/525 , H01M4/505 , H01M4/587 , H01M10/0525
Abstract: 一种用于锂二次电池的活性物质，该活性物质包含一种能够用电化学方法插入和脱附锂并且金属铁含量小于5ppm的材料。小于5ppm的金属铁含量，在规定数量的循环后以较高的值范围维持容量保持率，以提高锂二次电池的性能。
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公开(公告)号：CN105705673B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201480059996.1
申请日：2014-10-14
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Inventor： 石田新太郎
IPC: C23C14/34 , H01L21/363
CPC classification number: C23C14/3414 , C23C14/086
Abstract: 本发明涉及一种溅射靶及其制造方法。所述溅射靶为使用金属性锌的含量为100ppm以下的氧化锌原料而被制造出的含有氧化锌的溅射靶。所述溅射靶的制造方法包括使氧化锌原料的金属性锌的含量减少的工序、以及使用在所述工序中获得的金属性锌的含量为100ppm以下的氧化锌原料来制造溅射靶的工序。本发明的溅射靶为含有氧化锌的溅射靶，并且在溅射过程中电弧或结块的发生较少。本发明的溅射靶的制造方法能够有效地制造出含有氧化锌并且在溅射过程中电弧或结块的发生较少的溅射靶。
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