公开(公告)号：CN105705672A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201480059995.7

申请日：2014-10-21

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 石田新太郎 ,  长谷川淳

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/00 ,  C23C14/08 ,  H01L21/363

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6027 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/81 ,  C23C14/086 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明涉及一种溅射靶。所述溅射靶为由In、Ga以及Zn的氧化物组成的溅射靶，并且为在80℃的质量百分比28％盐酸中，相对于该盐酸而将质量百分比40％的量的所述溅射靶浸渍了24小时之时所获得的溶解残渣的、相对于所述浸渍的溅射靶的质量比为质量百分比0.5％以下的溅射靶。本发明的由In、Ga以及Zn的氧化物组成的溅射靶在溅射时电弧或结块的产生较少，并且能够由该溅射靶获得成品率较好的氧化物半导体膜。