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公开(公告)号：CN101914754B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN200910258492.3
申请日：2009-09-17
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: C04B35/453 , C04B35/63416 , C04B35/638 , C04B2235/3232 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/5409 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C23C14/086 , C23C14/3414
Abstract: 本发明的课题在于提供一种耐环境性优异的氧化锌类靶。所述氧化锌类靶以氧化锌为主要成分，含有钛(Ti)和镓(Ga)两种元素，两元素含量为钛1.1at％以上或镓4.5at％以上的范围。
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公开(公告)号：CN105358734B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201580001209.2
申请日：2015-04-02
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Inventor： 池田真
Abstract: 本发明提供一种溅镀靶材，其能通过直流电源进行放电，且适用于形成静电容量方式的触控式面板用传感器薄膜的黑化层。本发明有关一种溅镀靶材，其具有铜系金属相与氧化物相的混合组织，氧含量为5原子％至30原子％，相对密度为85％以上，且体积电阻值为1.0×10-2Ωcm以下。优选其铜系金属相的平均粒径为0.5μm至10.0μm，且氧化物相的平均粒径为0.05μm至7.0μm。
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公开(公告)号：CN101914754A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200910258492.3
申请日：2009-09-17
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: C04B35/453 , C04B35/63416 , C04B35/638 , C04B2235/3232 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/5409 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C23C14/086 , C23C14/3414
Abstract: 本发明的课题在于提供一种耐环境性优异的氧化锌类靶。所述氧化锌类靶以氧化锌为主要成分，含有钛(Ti)和镓(Ga)两种元素，两元素含量为钛1.1at％以上或镓4.5at％以上的范围。
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公开(公告)号：CN110392747B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201880013540.X
申请日：2018-02-06
Applicant: 三井金属矿业株式会社 , HOYA株式会社 , HOYA电子新加坡股份有限公司
Abstract: 本发明的溅射靶的钼含量为3摩尔％以上且25摩尔％以下、硅含量为75摩尔％以上且97摩尔％以下。溅射靶包含硅粒子的平均粒径为2.0μm以下的硅相和硅化钼粒子的平均粒径为2.5μm以下的硅化钼相。在硅相中存在的长径为0.3μm以上的空孔的平均个数在90μm×125μm的范围内为10个以下。
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公开(公告)号：CN105358734A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201580001209.2
申请日：2015-04-02
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Inventor： 池田真
Abstract: 本发明提供一种溅镀靶材，其能通过直流电源进行放电，且适用于形成静电容量方式的触控式面板用传感器薄膜的黑化层。本发明有关一种溅镀靶材，其具有铜系金属相与氧化物相的混合组织，氧含量为5原子％至30原子％，相对密度为85％以上，且体积电阻值为1.0×10-2Ωcm以下。优选其铜系金属相的平均粒径为0.5μm至10.0μm，且氧化物相的平均粒径为0.05μm至7.0μm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103228816B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201180056488.4
申请日：2011-11-28
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Inventor： 池田真
CPC classification number: G11B5/851 , B22F2998/10 , C22C33/0278 , C23C14/3414 , H01F41/183 , B22F1/0003 , C22C1/1084 , B22F3/105 , B22F3/15
Abstract: 本发明为一种溅射靶，其特征在于，含有Ag和C。本发明的溅射靶在Fe、Pt及C的基础上还含有Ag。由于含有Ag，从而本发明的溅射靶成为高密度。其结果为，能够减少在实施溅射时将溅射靶设置在真空气氛中之际，从溅射靶释放出的气体的量，从而能够提高通过实施溅射而形成的薄膜的特性。此外，本发明的溅射靶即使在通过低温烧结而被制造的情况下也成为高密度。
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公开(公告)号：CN110392747A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201880013540.X
申请日：2018-02-06
Applicant: 三井金属矿业株式会社 , HOYA株式会社 , HOYA电子新加坡股份有限公司
Abstract: 本发明的溅射靶的钼含量为3摩尔％以上且25摩尔％以下、硅含量为75摩尔％以上且97摩尔％以下。溅射靶包含硅粒子的平均粒径为2.0μm以下的硅相和硅化钼粒子的平均粒径为2.5μm以下的硅化钼相。在硅相中存在的长径为0.3μm以上的空孔的平均个数在90μm×125μm的范围内为10个以下。
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公开(公告)号：CN106103792A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580002257.3
申请日：2015-09-11
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Inventor： 池田真
CPC classification number: C22C9/01 , C22C9/02 , C23C14/34 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 本发明的铜基合金溅射靶含有4质量％～16质量％的锡及4质量％～11质量％的铝，剩余部分包含铜及不可避免的杂质。本发明的靶在将使用该靶而直接形成于玻璃基板上的保护层在退火前的、于室温(25℃)下的体积电阻率设定为R1，将在大气气氛下于350℃对所述保护层进行退火30分钟后的体积电阻率设定为R2时，优选为R1＞R2。
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公开(公告)号：CN103228816A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201180056488.4
申请日：2011-11-28
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Inventor： 池田真
CPC classification number: G11B5/851 , B22F2998/10 , C22C33/0278 , C23C14/3414 , H01F41/183 , B22F1/0003 , C22C1/1084 , B22F3/105 , B22F3/15
Abstract: 本发明为一种溅射靶，其特征在于，含有Ag和C。本发明的溅射靶在Fe、Pt及C的基础上还含有Ag。由于含有Ag，从而本发明的溅射靶成为高密度。其结果为，能够减少在实施溅射时将溅射靶设置在真空气氛中之际，从溅射靶释放出的气体的量，从而能够提高通过实施溅射而形成的薄膜的特性。此外，本发明的溅射靶即使在通过低温烧结而被制造的情况下也成为高密度。
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