公开(公告)号：CN101120436A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200680005022.0

申请日：2006-02-15

Applicant: 株式会社爱发科 ,  三井化学株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 藤井宣年 ,  高村一夫 ,  三好秀典 ,  田中博文 ,  大池俊辅 ,  村上雅美 ,  窪田武司 ,  藏野义人

IPC: H01L21/316 ,  C01B33/12 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76826 ,  C01B33/12 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31695 ,  Y10T428/249994

Abstract: 本发明提供一种改性多孔质二氧化硅膜，其对多孔质二氧化硅膜，在减压(30kPa以下)下使具有至少各1个的疏水性基团(碳数1～6的烷基或C6H5基团)和可聚合性基团(氢原子、羟基或卤原子)的疏水性化合物进行气相聚合反应，使该膜中的空孔内壁生成疏水性聚合薄膜，由此得到该改性多孔质二氧化硅膜。该多孔质二氧化硅膜具有低介电常数及低折射率，且机械强度及疏水性得到改良。本发明还提供一种使用该多孔质二氧化硅膜的半导体装置。

公开(公告)号：CN1681737A

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN03821314.1

申请日：2003-09-08

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 高村一夫 ,  大池俊辅 ,  洼田武司 ,  村上雅美 ,  藏野义人

IPC: C01B33/12 ,  H01L21/316 ,  C09D183/02 ,  C09D183/04

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31695 ,  Y10T428/31663

Abstract: 本发明为一种主要由Si－O结合构成的多孔质薄膜的改质方法，其将具有1个或1个以上的Si－X－Si结合单元(X表示O、NR、CnH2n或C6H4、R表示CmH2m+1或C6H5、m为1～6的整数、n为1或2)、和2个或2个以上的Si－A结合单元(A表示H、OH、OCeH2e+1或卤原子、e为1～6的整数)(同一分子内的A相同或相异均可)的有机硅化合物与该多孔质薄膜接触，并进行不使用金属催化剂的热处理。由该方法取得的多孔质薄膜，其疏水性和机械强度均相当优异，故可以使用于光机能材料、电子机能材料。尤其是非常适用于半导体用材料，可以适用作为半导体装置的层间绝缘膜。

公开(公告)号：CN101238556B

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN200680028669.5

申请日：2006-08-10

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 村上雅美 ,  大池俊辅 ,  藏野义人 ,  在塚真 ,  和知浩子

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: 本发明提供兼有低介电常数和高机械强度、可适用于光机能材料、电子机能材料等的多孔质二氧化硅和多孔质二氧化硅薄膜的制造方法、使用该多孔质二氧化硅薄膜的层间绝缘膜、半导体用材料、半导体装置的制造方法以及用于制造这些的制造装置。将包含烷氧基硅烷类的水解缩合物和表面活性剂的溶液进行干燥获得复合体，依次对该复合体进行紫外线照射处理以及用含有烷基的有机硅化合物进行疏水化处理。如果将上述溶液在基板上干燥形成复合体，则可得到多孔质二氧化硅薄膜。

公开(公告)号：CN100474530C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200680005022.0

申请日：2006-02-15

Applicant: 株式会社爱发科 ,  三井化学株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 藤井宣年 ,  高村一夫 ,  三好秀典 ,  田中博文 ,  大池俊辅 ,  村上雅美 ,  窪田武司 ,  藏野义人

IPC: H01L21/316 ,  C01B33/12 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76826 ,  C01B33/12 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31695 ,  Y10T428/249994

Abstract: 本发明提供一种改性多孔质二氧化硅膜，其对多孔质二氧化硅膜，在减压(30kPa以下)下使具有至少各1个的疏水性基团(碳数1～6的烷基或C6H5基团)和可聚合性基团(氢原子、羟基或卤原子)的疏水性化合物进行气相聚合反应，使该膜中的空孔内壁生成疏水性聚合薄膜，由此得到该改性多孔质二氧化硅膜。该多孔质二氧化硅膜具有低介电常数及低折射率，且机械强度及疏水性得到改良。本发明还提供一种使用该多孔质二氧化硅膜的半导体装置。

公开(公告)号：CN101238556A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200680028669.5

申请日：2006-08-10

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 村上雅美 ,  大池俊辅 ,  藏野义人 ,  在塚真 ,  和知浩子

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: 本发明提供兼有低介电常数和高机械强度、可适用于光机能材料、电子机能材料等的多孔质二氧化硅和多孔质二氧化硅薄膜的制造方法、使用该多孔质二氧化硅薄膜的层间绝缘膜、半导体用材料、半导体装置的制造方法以及用于制造这些的制造装置。将包含烷氧基硅烷类的水解缩合物和表面活性剂的溶液进行干燥获得复合体，依次对该复合体进行紫外线照射处理以及用含有烷基的有机硅化合物进行疏水化处理。如果将上述溶液在基板上干燥形成复合体，则可得到多孔质二氧化硅薄膜。

公开(公告)号：CN1331745C

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN03821314.1

申请日：2003-09-08

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 高村一夫 ,  大池俊辅 ,  洼田武司 ,  村上雅美 ,  藏野义人

IPC: C01B33/12 ,  H01L21/316 ,  C09D183/02 ,  C09D183/04

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31695 ,  Y10T428/31663

Abstract: 本发明为一种主要由Si-O结合构成的多孔质薄膜的改质方法，其将具有1个或1个以上的Si-X-Si结合单元(X表示O、NR、CnH2n或C6H4、R表示CmH2m+1或C6H5、m为1～6的整数、n为1或2)、和2个或2个以上的Si-A结合单元(A表示H、OH、OCeH2e+1或卤原子、e为1～6的整数)(同一分子内的A相同或相异均可)的有机硅化合物与该多孔质薄膜接触，并进行不使用金属催化剂的热处理。由该方法取得的多孔质薄膜，其疏水性和机械强度均相当优异，故可以使用于光机能材料、电子机能材料。尤其是非常适用于半导体用材料，可以适用作为半导体装置的层间绝缘膜。