公开(公告)号：CN101238556B

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN200680028669.5

申请日：2006-08-10

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 村上雅美 ,  大池俊辅 ,  藏野义人 ,  在塚真 ,  和知浩子

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: 本发明提供兼有低介电常数和高机械强度、可适用于光机能材料、电子机能材料等的多孔质二氧化硅和多孔质二氧化硅薄膜的制造方法、使用该多孔质二氧化硅薄膜的层间绝缘膜、半导体用材料、半导体装置的制造方法以及用于制造这些的制造装置。将包含烷氧基硅烷类的水解缩合物和表面活性剂的溶液进行干燥获得复合体，依次对该复合体进行紫外线照射处理以及用含有烷基的有机硅化合物进行疏水化处理。如果将上述溶液在基板上干燥形成复合体，则可得到多孔质二氧化硅薄膜。

公开(公告)号：CN101238556A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200680028669.5

申请日：2006-08-10

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 村上雅美 ,  大池俊辅 ,  藏野义人 ,  在塚真 ,  和知浩子

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: 本发明提供兼有低介电常数和高机械强度、可适用于光机能材料、电子机能材料等的多孔质二氧化硅和多孔质二氧化硅薄膜的制造方法、使用该多孔质二氧化硅薄膜的层间绝缘膜、半导体用材料、半导体装置的制造方法以及用于制造这些的制造装置。将包含烷氧基硅烷类的水解缩合物和表面活性剂的溶液进行干燥获得复合体，依次对该复合体进行紫外线照射处理以及用含有烷基的有机硅化合物进行疏水化处理。如果将上述溶液在基板上干燥形成复合体，则可得到多孔质二氧化硅薄膜。