- 专利标题： 用于背照式图像传感器的抗反射层及其制造方法
- 专利标题（英）： Antireflective layer for backside illuminated image sensor and method of manufacturing same
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申请号： CN201110218318.3申请日： 2011-08-01
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公开(公告)号： CN102376724B公开(公告)日： 2013-11-20
- 发明人: 黄志辉 , 蔡正原 , 杜友伦 , 蔡嘉雄 , 杨敦年 , 刘人诚
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹
- 代理机构： 北京德恒律师事务所
- 代理商 陆鑫; 高雪琴
- 优先权： 12/890,913 2010.09.27 US; 61/373,500 2010.08.13 US
- 主分类号： H01L27/146
- IPC分类号： H01L27/146 ; H01L21/205
摘要：
本发明提供了一种呈现改进的量子效率的图像传感器器件。例如，提供了一种背照式(BSI)图像传感器器件，包括：具有前表面和后表面的基板；设置在基板的前表面处的感光区；以及设置在基板的后表面上方的抗反射层。当在小于700nm的波长处进行测量时，抗反射层具有大于或等于约2.2的折射率以及小于或等于约0.05的消光系数。本发明还提供了用于背照式图像传感器的抗反射层及其制造方法。
公开/授权文献
- CN102376724A 用于背照式图像传感器的抗反射层及其制造方法 公开/授权日：2012-03-14
IPC分类:
