公开(公告)号：US20140175513A1

公开(公告)日：2014-06-26

申请号：US13725330

申请日：2012-12-21

申请人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.

发明人： Liang-Gi Yao ,  I-Ming Chang ,  Yasutoshi Okuno ,  Chih-Hao Chang ,  Shou Zen Chang ,  Clement Hsingien Wann

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/2807 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/785

摘要： The present disclosure provides one embodiment of a semiconductor structure. The semiconductor structure includes a semiconductor substrate having a first semiconductor material and a first reactivity; and a low reactivity capping layer of disposed on the semiconductor substrate, wherein the low reactivity capping layer includes a second semiconductor material and a second reactivity less than the first reactivity, the low reactivity capping layer includes silicon germanium Si1−xGex and x is less than about 30%.

摘要翻译： 本公开提供了半导体结构的一个实施例。 半导体结构包括具有第一半导体材料和第一反应性的半导体衬底; 以及设置在所述半导体衬底上的低反应性覆盖层，其中所述低反应性覆盖层包括第二半导体材料和小于所述第一反应性的第二反应性，所述低反应性覆盖层包括硅锗Si1-xGex，并且x小于 约30％。

公开(公告)号：US20130256799A1

公开(公告)日：2013-10-03

申请号：US13874627

申请日：2013-05-01

申请人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.

发明人： Cheng-Hsien Wu ,  Chih-Hsin Ko ,  Clement Hsingien Wann

IPC分类号： H01L27/12

CPC分类号： H01L27/1211 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/8258 ,  H01L21/845 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/267

摘要： A CMOS FinFET device and method for fabricating a CMOS FinFET device is disclosed. An exemplary CMOS FinFET device includes a substrate including a first region and a second region. The CMOS FinFET further includes a fin structure disposed over the substrate including a first fin in the first region and a second fin in the second region. The CMOS FinFET further includes a first portion of the first fin comprising a material that is the same material as the substrate and a second portion of the first fin comprising a III-V semiconductor material deposited over the first portion of the first fin. The CMOS FinFET further includes a first portion of the second fin comprising a material that is the same material as the substrate and a second portion of the second fin comprising a germanium (Ge) material deposited over the first portion of the second fin.

摘要翻译： 公开了一种用于制造CMOS FinFET器件的CMOS FinFET器件和方法。 示例性的CMOS FinFET器件包括包括第一区域和第二区域的衬底。 CMOS FinFET还包括布置在衬底上的翅片结构，其包括在第一区域中的第一鳍片和在第二区域中的第二鳍片。 CMOS FinFET还包括第一鳍片的第一部分，其包括与衬底相同的材料的材料，以及第一鳍片的第二部分，其包括沉积在第一鳍片的第一部分上的III-V半导体材料。 CMOS FinFET还包括第二鳍片的第一部分，其包括与衬底相同的材料，第二鳍片的第二部分包括沉积在第二鳍片的第一部分上的锗（Ge）材料。