公开(公告)号：US09227295B2

公开(公告)日：2016-01-05

申请号：US13474137

申请日：2012-05-17

申请人： Shawn Rachelle Markham ,  Windsor Pipes Thomas, III

发明人： Shawn Rachelle Markham ,  Windsor Pipes Thomas, III

IPC分类号： B44C1/22 ,  B24B37/04 ,  B24B1/00 ,  B24B7/22 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  C03B17/06 ,  H01L21/683

CPC分类号： C03B33/02 ,  B24B1/00 ,  B24B7/228 ,  B24B37/042 ,  C03B17/064 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  Y02P40/57 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/24628

摘要： A non-polished glass wafer, a thinning system, and a method for using the non-polished glass wafer to thin a semiconductor wafer are described herein. In one embodiment, the glass wafer has a body (e.g., circular body) including a non-polished first surface and a non-polished second surface substantially parallel to each other. In addition, the circular body has a wafer quality index which is equal to a total thickness variation in micrometers plus one-tenth of a warp in micrometers that is less than 6.0.

摘要翻译： 这里描述了非抛光玻璃晶片，减薄系统以及使用非抛光玻璃晶片来薄化半导体晶片的方法。 在一个实施例中，玻璃晶片具有包括未经抛光的第一表面和基本上彼此平行的未抛光的第二表面的主体（例如圆形主体）。 此外，圆形体具有的晶片质量指数等于微米的总厚度变化加上小于6.0的千分之几十分之一的翘曲。

公开(公告)号：US20120302063A1

公开(公告)日：2012-11-29

申请号：US13474137

申请日：2012-05-17

申请人： Shawn Rachelle Markham ,  Windsor Pipes Thomas, III

发明人： Shawn Rachelle Markham ,  Windsor Pipes Thomas, III

IPC分类号： H01L21/304 ,  B32B3/26 ,  H01L21/306 ,  C03B17/06 ,  B44C1/22 ,  B24B7/00 ,  B32B17/00

CPC分类号： C03B33/02 ,  B24B1/00 ,  B24B7/228 ,  B24B37/042 ,  C03B17/064 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  Y02P40/57 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/24628

摘要： A non-polished glass wafer, a thinning system, and a method for using the non-polished glass wafer to thin a semiconductor wafer are described herein. In one embodiment, the glass wafer has a body (e.g., circular body) including a non-polished first surface and a non-polished second surface substantially parallel to each other. In addition, the circular body has a wafer quality index which is equal to a total thickness variation in micrometers plus one-tenth of a warp in micrometers that is less than 6.0.

摘要翻译： 这里描述了非抛光玻璃晶片，减薄系统以及使用非抛光玻璃晶片来薄化半导体晶片的方法。 在一个实施例中，玻璃晶片具有包括未经抛光的第一表面和基本上彼此平行的未抛光的第二表面的主体（例如圆形主体）。 此外，圆形体具有的晶片质量指数等于微米的总厚度变化加上小于6.0的千分之几十分之一的翘曲。

公开(公告)号：US20130228918A1

公开(公告)日：2013-09-05

申请号：US13780490

申请日：2013-02-28

申请人： Yi-An Chen ,  Yung-Jean Lu ,  Windsor Pipes Thomas, III

发明人： Yi-An Chen ,  Yung-Jean Lu ,  Windsor Pipes Thomas, III

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/15 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5384 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014

摘要： A three-dimensional integrated circuit (3D-IC) which incorporates a glass interposer and a method for fabricating the three-dimensional integrated circuit (3D-IC) with the glass interposer are described herein. In one embodiment, the 3D-IC incorporates a glass interposer which has vias formed therein which are not filled with a conductor that allow for precision metal-to-metal interconnects (for example) between redistribution layers. In another embodiment, the 3D-IC incorporates a glass interposer which has vias and has a coefficient of thermal expansion (CTE) that is different than the CTE of silicon which is 3.2 ppm/° C.

摘要翻译： 本文描述了一种结合玻璃插入件的三维集成电路（3D-IC）和用于制造具有玻璃插入件的三维集成电路（3D-IC）的方法。 在一个实施例中，3D-IC包括玻璃插入件，其具有形成在其中的通孔，其中未填充导体，该导体允许在再分布层之间进行精密的金属 - 金属互连（例如）。 在另一个实施例中，3D-IC包括具有通孔并具有不同于3.2ppm /℃的硅CTE的热膨胀系数（CTE）的玻璃插入件。