公开(公告)号：US08580660B2

公开(公告)日：2013-11-12

申请号：US13523603

申请日：2012-06-14

申请人： Ming-Ren Lin ,  Judy Xilin An ,  Zoran Krivokapic ,  Cyrus E. Tabery ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

发明人： Ming-Ren Lin ,  Judy Xilin An ,  Zoran Krivokapic ,  Cyrus E. Tabery ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L29/72

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66818

摘要： A double gate metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) includes a fin, a first gate and a second gate. The first gate is formed on top of the fin. The second gate surrounds the fin and the first gate. In another implementation, a triple gate MOSFET includes a fin, a first gate, a second gate, and a third gate. The first gate is formed on top of the fin. The second gate is formed adjacent the fin. The third gate is formed adjacent the fin and opposite the second gate.

摘要翻译： 双栅极金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）包括鳍状物，第一栅极和第二栅极。 第一个门形成在鳍的顶部。 第二个门围绕翅片和第一个门。 在另一实施方案中，三栅极MOSFET包括鳍片，第一栅极，第二栅极和第三栅极。 第一个门形成在鳍的顶部。 第二个门形成在翅片附近。 第三栅极形成在翅片附近并与第二栅极相对。

公开(公告)号：US07235436B1

公开(公告)日：2007-06-26

申请号：US10614051

申请日：2003-07-08

申请人： Ming-Ren Lin ,  Zoran Krivokapic ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

发明人： Ming-Ren Lin ,  Zoran Krivokapic ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L21/84

CPC分类号： H01L21/845 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

摘要： A method for doping fin structures in FinFET devices includes forming a first glass layer on the fin structure of a first area and a second area. The method further includes removing the first glass layer from the second area, forming a second glass layer on the fin structure of the first area and the second area, and annealing the first area and the second area to dope the fin structures.

摘要翻译： 在FinFET器件中掺杂鳍结构的方法包括在第一区域和第二区域的鳍结构上形成第一玻璃层。 该方法还包括从第二区域去除第一玻璃层，在第一区域和第二区域的翅片结构上形成第二玻璃层，并退火第一区域和第二区域以掺杂翅片结构。

公开(公告)号：US08222680B2

公开(公告)日：2012-07-17

申请号：US10274961

申请日：2002-10-22

申请人： Ming-Ren Lin ,  Judy Xilin An ,  Zoran Krivokapic ,  Cyrus E. Tabery ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

发明人： Ming-Ren Lin ,  Judy Xilin An ,  Zoran Krivokapic ,  Cyrus E. Tabery ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L29/72

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66818

摘要： A double gate metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) includes a fin, a first gate and a second gate. The first gate is formed on top of the fin. The second gate surrounds the fin and the first gate. In another implementation, a triple gate MOSFET includes a fin, a first gate, a second gate, and a third gate. The first gate is formed on top of the fin. The second gate is formed adjacent the fin. The third gate is formed adjacent the fin and opposite the second gate.

摘要翻译： 双栅极金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）包括鳍状物，第一栅极和第二栅极。 第一个门形成在鳍的顶部。 第二个门围绕翅片和第一个门。 在另一实施方案中，三栅极MOSFET包括鳍片，第一栅极，第二栅极和第三栅极。 第一个门形成在鳍的顶部。 第二个门形成在翅片附近。 第三栅极形成在翅片附近并与第二栅极相对。

公开(公告)号：US06842048B2

公开(公告)日：2005-01-11

申请号：US10301617

申请日：2002-11-22

申请人： Zoran Krivokapic ,  Judy Xilin An ,  Ming-Ren Lin ,  Haihong Wang

发明人： Zoran Krivokapic ,  Judy Xilin An ,  Ming-Ren Lin ,  Haihong Wang

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/12 ,  H01L29/423 ,  H01L29/786 ,  H03K19/20

CPC分类号： H01L27/1203 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7856

摘要： A NOR gate includes is constructed with two asymmetric FinFET type transistors instead of the conventional four-transistor NOR gate. The reduction in the number of transistors from four down to two allows for significant improvements in integrated semiconductor circuits.

摘要翻译： NOR门包括用两个非对称的FinFET型晶体管构成，而不是常规的四晶体管或非门。 晶体管数量从四个减少到二个允许集成半导体电路的显着改进。

公开(公告)号：US07196372B1

公开(公告)日：2007-03-27

申请号：US10614177

申请日：2003-07-08

申请人： Bin Yu ,  Ming-Ren Lin ,  Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Zoran Krivokapic

发明人： Bin Yu ,  Ming-Ren Lin ,  Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Zoran Krivokapic

IPC分类号： H01L29/788

CPC分类号： H01L29/7887 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/785

摘要： A non-volatile memory device includes a substrate, an insulating layer, a fin, an oxide layer, spacers and one or more control gates. The insulating layer is formed on the substrate and the fin is formed on the insulating layer. The oxide layer is formed on the fin and acts as a tunnel oxide for the memory device. The spacers are formed adjacent the side surfaces of the fin and the control gates are formed adjacent the spacers. The spacers act as floating gate electrodes for the non-volatile memory device.

摘要翻译： 非易失性存储器件包括衬底，绝缘层，鳍，氧化物层，间隔物和一个或多个控制栅极。 绝缘层形成在基板上，并且鳍形成在绝缘层上。 氧化层形成在翅片上并用作存储器件的隧道氧化物。 间隔件邻近翅片的侧表面形成，并且控制栅极邻近间隔件形成。 间隔件用作非易失性存储器件的浮栅电极。

公开(公告)号：US20060177998A1

公开(公告)日：2006-08-10

申请号：US11379435

申请日：2006-04-20

申请人： Ming-Ren Lin ,  Witold Maszara ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

发明人： Ming-Ren Lin ,  Witold Maszara ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L21/3205

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7842

摘要： A method may include forming a gate electrode over a fin structure, depositing a first metal layer on a top surface of the gate electrode, performing a first silicide process to convert a portion of the gate electrode into a metal-silicide compound, depositing a second metal layer on a top surface of the metal-silicide compound, and performing a second silicide process to form a fully-silicided gate electrode.

摘要翻译： 一种方法可以包括在鳍结构上形成栅电极，在栅电极的顶表面上沉积第一金属层，执行第一硅化工艺以将栅电极的一部分转化为金属硅化物， 在金属硅化物化合物的顶表面上的金属层，并且执行第二硅化物处理以形成全硅化物栅电极。

公开(公告)号：US08008136B2

公开(公告)日：2011-08-30

申请号：US11379435

申请日：2006-04-20

申请人： Ming-Ren Lin ,  Witold P. Maszara ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

发明人： Ming-Ren Lin ,  Witold P. Maszara ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7842

摘要： A method may include forming a gate electrode over a fin structure, depositing a first metal layer on a top surface of the gate electrode, performing a first silicide process to convert a portion of the gate electrode into a metal-silicide compound, depositing a second metal layer on a top surface of the metal-silicide compound, and performing a second silicide process to form a fully-silicided gate electrode.

摘要翻译： 一种方法可以包括在鳍结构上形成栅电极，在栅电极的顶表面上沉积第一金属层，执行第一硅化工艺以将栅电极的一部分转化为金属硅化物， 在金属硅化物化合物的顶表面上的金属层，并且执行第二硅化物处理以形成全硅化物栅电极。

公开(公告)号：US07541267B1

公开(公告)日：2009-06-02

申请号：US11765611

申请日：2007-06-20

申请人： Haihong Wang ,  Shibly S. Ahmed ,  Ming-Ren Lin ,  Bin Yu

发明人： Haihong Wang ,  Shibly S. Ahmed ,  Ming-Ren Lin ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7842

摘要： A method includes forming a first rectangular mesa from a layer of semiconducting material and forming a first dielectric layer around the first mesa. The method further includes forming a first rectangular mask over a first portion of the first mesa leaving an exposed second portion of the first mesa and etching the exposed second portion of the first mesa to produce a reversed T-shaped fin from the first mesa.

摘要翻译： 一种方法包括从半导体材料层形成第一矩形台面并在第一台面周围形成第一介电层。 该方法还包括在第一台面的第一部分上形成第一矩形掩模，离开第一台面的暴露的第二部分并蚀刻第一台面的暴露的第二部分以从第一台面产生反向的T形翅片。

公开(公告)号：US06855989B1

公开(公告)日：2005-02-15

申请号：US10674520

申请日：2003-10-01

申请人： Haihong Wang ,  Shibly S. Ahmed ,  Ming-Ren Lin ,  Bin Yu

发明人： Haihong Wang ,  Shibly S. Ahmed ,  Ming-Ren Lin ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L27/01 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66795

摘要： A fin field effect transistor includes a fin, a source region, a drain region, a first gate electrode and a second gate electrode. The fin includes a channel. The source region is formed adjacent a first end of the fin and the drain region is formed adjacent a second end of the fin. The first gate electrode includes a first layer of metal material formed adjacent the fin. The second gate electrode includes a second layer of metal material formed adjacent the first layer. The first layer of metal material has a different work function than the second layer of metal material. The second layer of metal material selectively diffuses into the first layer of metal material via metal interdiffusion.

摘要翻译： 翅片场效应晶体管包括鳍片，源极区域，漏极区域，第一栅极电极和第二栅极电极。 鳍包括一个通道。 源区域邻近翅片的第一端形成，并且漏极区域邻近翅片的第二端形成。 第一栅电极包括邻近翅片形成的第一金属材料层。 第二栅电极包括与第一层相邻形成的第二金属材料层。 第一层金属材料具有与第二层金属材料不同的功函数。 金属材料的第二层选择性地通过金属相互扩散扩散到金属材料的第一层中。

公开(公告)号：US06762448B1

公开(公告)日：2004-07-13

申请号：US10405343

申请日：2003-04-03

申请人： Ming-Ren Lin ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

发明人： Ming-Ren Lin ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L2708

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823437 ,  H01L27/088 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7842

摘要： A semiconductor device includes a group of fin structures. The group of fin structures includes a conductive material and is formed by growing the conductive material in an opening of an oxide layer. The semiconductor device further includes a source region formed at one end of the group of fin structures, a drain region formed at an opposite end of the group of fin structures, and at least one gate.

摘要翻译： 半导体器件包括一组翅片结构。 翅片结构的组包括导电材料，并且通过在氧化物层的开口中生长导电材料而形成。 半导体器件还包括形成在鳍片结构组的一端处的源极区域，形成在鳍片结构组的相对端处的漏极区域和至少一个栅极。