公开(公告)号：US06787285B2

公开(公告)日：2004-09-07

申请号：US10006633

申请日：2001-12-05

申请人： Keun Kyu Kong ,  Gyu Dong Park ,  Jae Chang Jung ,  Ki Soo Shin

发明人： Keun Kyu Kong ,  Gyu Dong Park ,  Jae Chang Jung ,  Ki Soo Shin

IPC分类号： G03F7004

CPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/0395 ,  Y10S430/115 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/143 ,  Y10S430/168

摘要： A pattern width slimming-inhibiting method of photoresist pattern using photoresist composition containing thermal acid generator. When the formed pattern is heated, a thermal generator generates acid during the heating process, and a cross-linking reaction occurs to photoresist compositions, thereby preventing pattern width slimming due to SEM-beam for CD measurement.

摘要翻译： 使用含有热酸发生剂的光致抗蚀剂组合物的光致抗蚀剂图案的图案宽度减肥抑制方法。 当形成的图案被加热时，热发生器在加热过程中产生酸，并且光致抗蚀剂组合物发生交联反应，从而防止由于用于CD测量的SEM束的图案宽度减小。

公开(公告)号：US07563753B2

公开(公告)日：2009-07-21

申请号：US10317578

申请日：2002-12-12

申请人： Geun Su Lee ,  Jae Chang Jung ,  Ki Soo Shin ,  Keun Kyu Kong ,  Sung Koo Lee ,  Young Sun Hwang

发明人： Geun Su Lee ,  Jae Chang Jung ,  Ki Soo Shin ,  Keun Kyu Kong ,  Sung Koo Lee ,  Young Sun Hwang

IPC分类号： C11D7/50

CPC分类号： C11D3/3738 ,  C11D1/44 ,  C11D1/72 ,  C11D1/721 ,  C11D1/722 ,  C11D3/373 ,  C11D3/3742 ,  C11D7/263 ,  C11D7/265 ,  C11D7/267 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/34 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/422

摘要： Cleaning solutions for removing photoresist resins and a method of forming patterns using the same are disclosed. The cleaning solution includes water (H2O) as main component, one or more surfactants as additive selected from the group consisting of polyoxyalkylene compounds, a salt of alcohol amine of Formula 1 and hydrocarbon compounds having carboxylic acid (—COOH) group, a salt of alcohol amine of Formula 1 and hydrocarbon compounds having sulfonic acid (—SO3H) group, polyethylene glycol compounds, compounds of Formula 3, compounds having a molecular weight ranging from 1000 to 10000 including repeating unit of Formula 4, polyether denatured silicon compounds and alcohol compounds. wherein R1, R2, R3, R4, R5, A, l and n are defined in the specification.

摘要翻译： 公开了用于除去光致抗蚀剂树脂的清洁溶液和使用其形成图案的方法。 清洗溶液包括作为主要成分的水（H 2 O），一种或多种作为添加剂的表面活性剂，其选自聚氧化烯化合物，式1的醇胺盐和具有羧酸（-COOH）基团的烃化合物， 式1的醇胺和具有磺酸（-SO 3 H）基团的烃化合物，聚乙二醇化合物，式3化合物，分子量为1000至10000的化合物，包括式4的重复单元，聚醚变性硅化合物和醇化合物 。 其中R1，R2，R3，R4，R5，A，1和n在本说明书中定义。

公开(公告)号：US06806025B2

公开(公告)日：2004-10-19

申请号：US10079348

申请日：2002-02-20

申请人： Geun Su Lee ,  Jae Chang Jung ,  Ki Soo Shin

发明人： Geun Su Lee ,  Jae Chang Jung ,  Ki Soo Shin

IPC分类号： G03F7004

CPC分类号： C07D493/08 ,  C07C17/30 ,  C07D495/08 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0395 ,  Y02P20/55 ,  C07C23/18

摘要： Photoresist monomers of following Formula 1, photoresist polymers thereof, and photoresist compositions containing the same. The photoresist composition has excellent etching resistance, heat resistance and adhesiveness to a wafer, and is developable in aqueous tetramethylammonium hydroxide (TMAH) solution. In addition, the photoresist composition has low light absorbance at 157 nm wavelength, and thus is suitable for a photolithography process using ultraviolet light sources such as VUV (157 nm) in fabricating a minute circuit for a high integration semiconductor device. wherein, X1, X2, Y1, Y2, Y3, Y4, Y5, Y6, Y7, Y8, l and m are as defined in the specification of the invention.

摘要翻译： 下列通式1的光致抗蚀剂单体，其光致抗蚀剂聚合物和含有它们的光致抗蚀剂组合物。 光致抗蚀剂组合物具有优异的耐蚀刻性，耐热性和对晶片的粘合性，并且可在四甲基氢氧化铵（TMAH）水溶液中显影。 此外，光致抗蚀剂组合物在157nm波长处具有低吸光度，因此适用于在制造用于高集成半导体器件的微小电路中使用诸如VUV（157nm）的紫外光源的光刻工艺。其中，X1， X2，Y1，Y2，Y3，Y4，Y5，Y6，Y7，Y8，I和m如本发明的说明书中所定义。

公开(公告)号：US06720129B2

公开(公告)日：2004-04-13

申请号：US10107659

申请日：2002-03-27

申请人： Geun Su Lee ,  Jae Chang Jung ,  Ki Soo Shin

发明人： Geun Su Lee ,  Jae Chang Jung ,  Ki Soo Shin

IPC分类号： G03P7004

CPC分类号： G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/108

摘要： Photoresist polymers, and photoresist compositions using the polymer are disclosed. More specifically, photoresist polymers containing maleimide represented by Formula 1. Photoresist compositions including the photoresist polymers have excellent etching resistance, heat resistance and adhesiveness, and development ability in aqueous tetramethylammonium hydroxide (TMAH) solution. As the compositions have low light absorbance at 193 nm and 157 nm wavelength, they are suitable for a process using ultraviolet light source such as VUV (157 nm). wherein, 1, R1, R2, R3, R, R′, R″, R″′, X, a and b are defined in the specification.

摘要翻译： 公开了使用聚合物的光致抗蚀剂聚合物和光致抗蚀剂组合物。 更具体地，含有由式1表示的马来酰亚胺的光致抗蚀剂聚合物。包含光致抗蚀剂聚合物的光致抗蚀剂组合物具有优异的耐蚀刻性，耐热性和粘合性以及四甲基氢氧化铵（TMAH）水溶液的显影能力。 由于组合物在193nm和157nm波长处具有低吸光度，它们适用于使用诸如VUV（157nm）的紫外光源的方法，其中1，R1，R2，R3，R，R'，R' '，R“'，X，a和b在说明书中定义。

公开(公告)号：US06924078B2

公开(公告)日：2005-08-02

申请号：US10225992

申请日：2002-08-22

申请人： Geun Su Lee ,  Jae Chang Jung ,  Ki Soo Shin ,  Se Jin Choi ,  Deog Bae Kim ,  Jae Hyun Kim

发明人： Geun Su Lee ,  Jae Chang Jung ,  Ki Soo Shin ,  Se Jin Choi ,  Deog Bae Kim ,  Jae Hyun Kim

IPC分类号： G03F7/027 ,  C07D273/00 ,  C07D323/00 ,  C08F226/06 ,  C08F232/00 ,  C08F234/02 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027 ,  G03F7/40

CPC分类号： C07D273/00 ,  C07D323/00 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/143

摘要： Photoresist monomers, polymers thereof, photoresist compositions containing the same for preventing acid generated in the exposed area during the course of a photolithography process from being diffused to the unexposed area. The line edge roughness and slope pattern are improved when an ultrafine photoresist pattern is formed using photoresist copolymer having a multi-oxygen-containing compound as a repeating unit such as an ethyleneoxy moiety represented by Formula 1 with at least one polymerizable carbon-carbon double bond. In addition, the shape of pattern is improved by eliminating top loss and the adhesion of pattern to the substrate is improved. wherein n is an integer ranging from 1 to 5.

摘要翻译： 光致抗蚀剂单体，其聚合物，含有其的光致抗蚀剂组合物，用于防止在光刻过程中在曝光区域产生的酸被扩散到未曝光区域。 当使用具有多含氧化合物作为重复单元的光致抗蚀剂共聚物形成超细光致抗蚀剂图案时，线边缘粗糙度和斜率图案得到改善，所述重复单元例如由式1表示的乙氧基部分与至少一个可聚合的碳 - 碳双键 。 此外，通过消除顶部损耗来提高图案的形状，并提高图案对基板的粘附性。 其中n是1至5的整数。

公开(公告)号：US06921622B2

公开(公告)日：2005-07-26

申请号：US10054532

申请日：2002-01-22

申请人： Geun Su Lee ,  Jae Chang Jung ,  Ki Soo Shin

发明人： Geun Su Lee ,  Jae Chang Jung ,  Ki Soo Shin

IPC分类号： C08F234/04 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/0046 ,  C08F234/04 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/106

摘要： Photoresist monomers of following Formula 1, photoresist polymers thereof, and photoresist compositions containing the same. The photoresist polymer includes a repeating unit comprising the photoresist monomer of Formula 1 as a comonomer and the photoresist composition containing the same have excellent etching resistance, heat resistance and adhesiveness to a wafer, and is developable in aqueous tetramethylammonium hydroxide (TMAH) solution. In addition, the photoresist composition has low light absorbance at 157 nm wavelength, and thus is suitable for a photolithography process using ultraviolet light sources such as VUV (157 nm) in fabricating a minute circuit for a high integration semiconductor device

摘要翻译： 下列通式1的光致抗蚀剂单体，其光致抗蚀剂聚合物和含有它们的光致抗蚀剂组合物。 光致抗蚀剂聚合物包括包含作为共聚单体的式1的光致抗蚀剂单体的重复单元，并且含有该光致抗蚀剂组合物的光致抗蚀剂组合物具有优异的耐蚀刻性，耐热性和与晶片的粘合性，并且可在四甲基氢氧化铵（TMAH）水溶液中显影。 此外，光致抗蚀剂组合物在157nm波长处具有低吸光度，因此适用于在制造用于高集成度半导体器件的微小电路中使用诸如VUV（157nm）的紫外光源的光刻工艺

公开(公告)号：US06916594B2

公开(公告)日：2005-07-12

申请号：US10722815

申请日：2003-11-26

申请人： Cheol Kyu Bok ,  Jae Chang Jung ,  Seung Chan Moon ,  Ki Soo Shin

发明人： Cheol Kyu Bok ,  Jae Chang Jung ,  Seung Chan Moon ,  Ki Soo Shin

IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027 ,  G03C1/492

CPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/0395

摘要： Overcoating compositions for photoresist and methods for reducing linewidth of the photoresist patterns are disclosed. More specifically, an overcoating composition containing acids is coated on a whole surface of a photoresist pattern formed by a common lithography process to diffuse the acids into the photoresist pattern. The photoresist in the portion where the acids are diffused is developed with an alkali solution to be removed. As a result, the linewidth of positive photoresist patterns can be reduced, and the linewidth of negative photoresist patterns can be prevented from slimming in a subsequent linewidth measurement process using SEM.

摘要翻译： 公开了用于光致抗蚀剂的覆盖组合物和用于降低光致抗蚀剂图案的线宽的方法。 更具体地说，在通过普通光刻工艺形成的光致抗蚀剂图案的整个表面上涂覆含有酸的外涂层组合物，以将酸扩散到光刻胶图案中。 酸分散的部分中的光致抗蚀剂用待除去的碱溶液显影。 结果，可以减少正光致抗蚀剂图案的线宽，并且可以在使用SEM的随后的线宽测量过程中防止负光致抗蚀剂图案的线宽减轻。

公开(公告)号：US06858371B2

公开(公告)日：2005-02-22

申请号：US10080335

申请日：2002-02-21

申请人： Geun Su Lee ,  Jae Chang Jung ,  Min Ho Jung ,  Cha Won Koh ,  Ki Soo Shin

发明人： Geun Su Lee ,  Jae Chang Jung ,  Min Ho Jung ,  Cha Won Koh ,  Ki Soo Shin

IPC分类号： G03F7/033 ,  C08F210/04 ,  C08F220/10 ,  C08F222/40 ,  C08F232/08 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027 ,  C08F26/06

CPC分类号： G03F7/0046 ,  G03F7/0395 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/108

摘要： Photoresist monomers, photoresist polymers prepared thereof, and photoresist compositions using the polymer are disclosed. More specifically, photoresist polymers comprising maleimide monomer represented by Formula 1, and a composition comprising the polymer thereof are disclosed. The photoresist composition has excellent etching resistance, heat resistance and adhesiveness, and can be developed in an aqueous tetramethylammonium hydroxide (TMAH) solution. As the composition has low light absorbance at 193 nm and 157 nm wavelength, and it is suitable for a process using ultraviolet light source such as VUV (157 nm) wherein, X1, X2, R1, R2 and R3 are defined in the specification.

摘要翻译： 公开了光致抗蚀剂单体，其制备的光致抗蚀剂聚合物和使用该聚合物的光致抗蚀剂组合物。 更具体地，公开了包含由式1表示的马来酰亚胺单体的光致抗蚀剂聚合物和包含其聚合物的组合物。 光致抗蚀剂组合物具有优异的耐蚀刻性，耐热性和粘合性，并且可以在四甲基氢氧化铵（TMAH）水溶液中显影。 由于组合物在193nm和157nm波长处具有低吸光度，并且适用于使用紫外光源如VUV（157nm）的方法，其中X1，X2，R1，R2和R3在本说明书中定义。

公开(公告)号：US06753128B2

公开(公告)日：2004-06-22

申请号：US10272072

申请日：2002-10-16

申请人： Geun Su Lee ,  Jae Chang Jung ,  Ki Soo Shin

发明人： Geun Su Lee ,  Jae Chang Jung ,  Ki Soo Shin

IPC分类号： G03F7038

CPC分类号： G03F7/0045 ,  G03F7/0395

摘要： Photoresist additives for preventing the acid generated in the exposed area during the course of a photolithography process from being diffused to the unexposed area, photoresist compositions containing the same, and a process for forming a photoresist pattern using the same. Photoresist compositions comprising the disclosed additive can prevent acid diffusion effectively even if the additive is used in low concentrations, thereby improving LER, resulting in excellent profiles and lowering optimum irradiation energies. wherein, R1, R2, R3, R4 and k are as defined herein.

摘要翻译： 用于防止在光刻工艺过程中在曝光区域产生的酸扩散到未曝光区域的光刻胶添加剂，含有该光致抗蚀剂组合物的光致抗蚀剂组合物和使用其形成光致抗蚀剂图案的方法。 包含所公开的添加剂的光致抗蚀剂组合物即使以低浓度使用添加剂也能有效地防止酸扩散，从而改善LER，导致优异的轮廓并降低最佳照射能量。其中R1，R2，R3，R4和k如本文所定义 。

公开(公告)号：US06749990B2

公开(公告)日：2004-06-15

申请号：US10054095

申请日：2002-01-22

申请人： Jae Chang Jung ,  Geun Su Lee ,  Ki Soo Shin

发明人： Jae Chang Jung ,  Geun Su Lee ,  Ki Soo Shin

IPC分类号： G03F7004

CPC分类号： G03F7/0395 ,  G03F7/0046 ,  Y10S430/108

摘要： A chemical amplification photoresist monomer, a photoresist polymer prepared thereof, and a photoresist composition using the polymer. More specifically, a chemical amplification photoresist polymer comprising a fluorine-containing monomer represented by Chemical Formula 1, and a composition comprising the polymer. The photoresist composition has excellent etching resistance, heat resistance and adhesiveness, and is developable in aqueous tetramethylammonium hydroxide (TMAH) solution. As the composition has low light absorbance at 193 nm and 157 nm wavelength, it is very useful for forming ultramicro pattern in the process using a light source of far ultraviolet, especially of VUV (157 nm). In the Formula, R1, R2, R3 and R4 is defined in the specification.

摘要翻译： 化学扩增光致抗蚀剂单体，其制备的光致抗蚀剂聚合物和使用该聚合物的光致抗蚀剂组合物。 更具体地说，包括由化学式1表示的含氟单体的化学扩增光致抗蚀剂聚合物和包含该聚合物的组合物。光致抗蚀剂组合物具有优异的耐蚀刻性，耐热性和粘合性，并且可在四甲基氢氧化铵（TMAH） 解。 由于组合物在193nm和157nm波长处具有低吸光度，因此在使用远紫外光源（尤其是VUV（157nm））的方法中形成超微图案非常有用。在式中，R1，R2， R3和R4在本说明书中定义。