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    Dynamically reconfigurable holograms with electronically erasable programmable intermediate layers
    1.
    发明授权
    Dynamically reconfigurable holograms with electronically erasable programmable intermediate layers 有权
    具有电子可擦除可编程中间层的动态可重构全息图

    公开(公告)号：US08149485B2

    公开(公告)日：2012-04-03

    申请号：US12317731

    申请日：2008-12-29

    申请人： Jingjing Li ,  Philip J. Kuekes ,  Shih-Yuan Wang

    发明人： Jingjing Li ,  Philip J. Kuekes ,  Shih-Yuan Wang

    IPC分类号： G03H1/08 ,  G02B5/32 ,  G02F1/01

    CPC分类号： G03H1/22 ,  G03H1/02 ,  G03H1/2294 ,  G03H2001/0224 ,  G03H2225/22 ,  G03H2225/32 ,  G03H2225/33 ,  G03H2225/60 ,  G03H2240/24 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/765

    摘要： Dynamically reconfigurable holograms with electronically erasable programmable intermediate layers are disclosed. An example apparatus includes first nanowires, each of the first nanowires having protuberances along a length thereof. The example apparatus also includes second nanowires arranged approximately perpendicular to the first nanowires, the protuberances of the first nanowires being approximately parallel to corresponding ones of the second nanowires. In addition, a layer is disposed between the first and second nanowires. The layer is to control refractive indices at nanowire intersections at intersecting ones of the first and second nanowires.

    摘要翻译： 公开了具有电子可擦除可编程中间层的动态可重构全息图。 示例性设备包括第一纳米线，第一纳米线中的每一个具有沿其长度的突起。 示例性装置还包括大致垂直于第一纳米线布置的第二纳米线，第一纳米线的突起大致平行于第二纳米线中的相应纳米线。 此外，在第一和第二纳米线之间设置一层。 该层用于控制在第一和第二纳米线的相交处的纳米线交点处的折射率。

    DYNAMICALLY RECONFIGURABLE HOLOGRAMS
    3.
    发明申请
    DYNAMICALLY RECONFIGURABLE HOLOGRAMS 有权
    动态可重构的HOLOGRAMS

    公开(公告)号：US20110273755A1

    公开(公告)日：2011-11-10

    申请号：US13142484

    申请日：2008-12-29

    申请人： Shih-Yuan Wang ,  Alexandre M. Bratkovski ,  R. Stanley Williams ,  Jingjing Li ,  Wei Wu ,  Philip J. Kuekes

    发明人： Shih-Yuan Wang ,  Alexandre M. Bratkovski ,  R. Stanley Williams ,  Jingjing Li ,  Wei Wu ,  Philip J. Kuekes

    IPC分类号： G03H1/14 ,  H01L45/00 ,  B82Y99/00

    CPC分类号： G03H1/02 ,  G02B1/007 ,  G03H1/2249 ,  G03H1/2294 ,  G03H2001/0224 ,  G03H2210/30 ,  G03H2225/22 ,  G03H2225/32 ,  G03H2225/33

    摘要： Various embodiments of the present invention relate to systems that can be used as holograms and can be electronically controlled and dynamically reconfigured to generate three-dimensional motion picture images. In one embodiment, a dynamically reconfigurable hologram (1200) comprises a phase-control layer (1202) including a two-dimensional array of phase-modulation pixels (1212). The hologram also comprises an intensity-control layer (1204) including a two-dimensional array of intensity-control pixels (1214). One or more three-dimensional motion pictures can be produced by electronically addressing the individual phase-modulation pixels and intensity-control pixels in order to phase and control the intensity of light emanating from pixels of the hologram.

    摘要翻译： 本发明的各种实施例涉及可以用作全息图并且可以被电子控制和动态重新配置以产生三维运动图像图像的系统。 在一个实施例中，动态可重构全息图（1200）包括包括相位调制像素的二维阵列（1212）的相位控制层（1202）。 全息图还包括包括强度控制像素（1214）的二维阵列的强度控制层（1204）。 可以通过电子地寻址各个相位调制像素和强度控制像素来产生一个或多个三维运动图像，以便相位和控制从全息图像素发出的光的强度。

    Dynamically reconfigurable holograms with electronically erasable programmable intermediate layers
    4.
    发明申请
    Dynamically reconfigurable holograms with electronically erasable programmable intermediate layers 有权
    具有电子可擦除可编程中间层的动态可重构全息图

    公开(公告)号：US20100165431A1

    公开(公告)日：2010-07-01

    申请号：US12317731

    申请日：2008-12-29

    申请人： Jingjing Li ,  Philip J. Kuekes ,  Shih-Yuan Wang

    发明人： Jingjing Li ,  Philip J. Kuekes ,  Shih-Yuan Wang

    IPC分类号： G03H1/22

    CPC分类号： G03H1/22 ,  G03H1/02 ,  G03H1/2294 ,  G03H2001/0224 ,  G03H2225/22 ,  G03H2225/32 ,  G03H2225/33 ,  G03H2225/60 ,  G03H2240/24 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/765

    摘要： Various embodiments of the present invention relate to dynamically reconfigurable hologram comprising a phase-modulation layer and an intensity-control layer. The phase modulation layer comprises an electronically programmable erasable negative index material crossbar. The crossbar includes a first layer of approximately parallel nanowires (502) and a second layer of approximately parallel nanowires (504) that overlay the nanowires in the first layer. The nanowires in the first and second layers have substantially regularly spaced fingers. The crossbar also includes resonant elements (812) comprising two fingers of a nanowire in the first layer, two fingers of a nanowire in the second layer, and an intermediate layer (1006,1302) sandwiched between the nanowire in the first layer and the nanowire in the second layer. The refractive index of each resonant element is controlled by changing the charge density within the intermediate layer.

    摘要翻译： 本发明的各种实施例涉及包括相位调制层和强度控制层的动态可重构全息图。 相位调制层包括电子可编程可擦除负指数材料交叉开关。 交叉开关包括大致平行的纳米线（502）的第一层和覆盖第一层中的纳米线的近似平行的纳米线（504）的第二层。 第一层和第二层中的纳米线具有大致规则间隔的指状物。 横杆还包括谐振元件（812），其包括第一层中的纳米线的两个指状物，第二层中的纳米线的两个指状物和夹在第一层中的纳米线和纳米线之间的中间层（1006,1302） 在第二层。 通过改变中间层内的电荷密度来控制每个谐振元件的折射率。

    Fabricating Arrays Of Metallic Nanostructures
    7.
    发明申请
    Fabricating Arrays Of Metallic Nanostructures 失效
    制造金属纳米结构阵列

    公开(公告)号：US20090294755A1

    公开(公告)日：2009-12-03

    申请号：US12509689

    申请日：2009-07-27

    申请人： Philip J. Kuekes ,  M. Saif Islam ,  Shih-Yuan Wang ,  Alexandre M. Bratkovaski

    发明人： Philip J. Kuekes ,  M. Saif Islam ,  Shih-Yuan Wang ,  Alexandre M. Bratkovaski

    IPC分类号： H01L29/15 ,  B05C11/00

    CPC分类号： G02B6/107 ,  B82Y30/00 ,  Y10S977/712 ,  Y10S977/762 ,  Y10T29/41

    摘要： A patterned array of metallic nanostructures and fabrication thereof is described. A device comprises a patterned array of metallic columns vertically extending from a substrate. Each metallic column is formed by metallically coating one of an array of non-metallic nanowires catalytically grown from the substrate upon a predetermined lateral pattern of seed points placed thereon according to a nanoimprinting process. An apparatus for fabricating a patterned array of metallic nanostructures is also described.

    摘要翻译： 描述了金属纳米结构的图案阵列及其制造。 一种器件包括从衬底垂直延伸的金属柱的图案化阵列。 根据纳米压印方法，通过在其上放置的种子点的预定横向图案上，从衬底催化生长的非金属纳米线阵列之一金属地涂覆每个金属柱。 还描述了用于制造金属纳米结构的图案化阵列的装置。

    Photonic Device And Method Of Making Same Using Nanowire Bramble Layer
    8.
    发明申请
    Photonic Device And Method Of Making Same Using Nanowire Bramble Layer 审中-公开
    光子器件及其使用纳米线布拉格层的方法

    公开(公告)号：US20090188557A1

    公开(公告)日：2009-07-30

    申请号：US12253206

    申请日：2008-10-16

    申请人： Shih-Yuan Wang ,  Philip J. Kuekes ,  Nobuhiko Kobayashl ,  R. Stanley Williams

    发明人： Shih-Yuan Wang ,  Philip J. Kuekes ,  Nobuhiko Kobayashl ,  R. Stanley Williams

    IPC分类号： H01L31/042

    CPC分类号： H01L31/0384 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/548

    摘要： A photonic device and a method of making the device employ a bramble layer of nanowires having an uneven contour. The photonic device and the method include a first layer of a microcrystalline material provided on a substrate surface and a bramble layer of nanowires formed on the first layer. The photonic device and the method further include a second layer provided on the bramble layer. The nanowires have first ends integral to crystallites in the microcrystalline first layer and second ends opposite to the first ends. Different angular orientations of the nanowires provide the uneven contour of the bramble layer. The second layer has an uneven surface corresponding to the uneven contour of the bramble layer.

    摘要翻译： 光子器件和使器件采用具有不均匀轮廓的纳米线的荆棘层的方法。 光子器件和方法包括设置在衬底表面上的第一层微晶材料和形成在第一层上的纳米线的荆棘层。 光子器件和方法还包括设置在荆棘层上的第二层。 纳米线具有与微晶第一层中的微晶成一体的第一端和与第一端相对的第二端。 纳米线的不同角度取向提供了荆棘层的不均匀轮廓。 第二层具有对应于荆棘层的不均匀轮廓的不平坦表面。

    Dynamically variable separation among nanoparticles for nano-enhanced Raman spectroscopy (NERS) molecular sensing
    9.
    发明授权
    Dynamically variable separation among nanoparticles for nano-enhanced Raman spectroscopy (NERS) molecular sensing 有权
    用于纳米增强拉曼光谱（NERS）分子感测的纳米颗粒之间的动态变化分离

    公开(公告)号：US07342656B2

    公开(公告)日：2008-03-11

    申请号：US11252134

    申请日：2005-10-17

    申请人： M. Saif Islam ,  Shih-Yuan Wang ,  R. Stanley Williams ,  Philip J. Kuekes ,  Wei Wu ,  Zhiyong Li

    发明人： M. Saif Islam ,  Shih-Yuan Wang ,  R. Stanley Williams ,  Philip J. Kuekes ,  Wei Wu ,  Zhiyong Li

    IPC分类号： G01J3/44 ,  G01N21/65

    CPC分类号： G01N21/658

    摘要： A NERS-active structure includes a deformable, active nanoparticle support structure for supporting a first nanoparticle and a second nanoparticle that is disposed proximate the first nanoparticle. The nanoparticles each comprise a NERS-active material. The deformable, active nanoparticle support structure is configured to vary the distance between the first nanoparticle and the second nanoparticle while performing NERS. Various active nanoparticle support structures are disclosed. A NERS system includes such a NERS-active structure, a radiation source for generating radiation scatterable by an analyte located proximate the NERS-active structure, and a radiation detector for detecting Raman scattered radiation scattered by the analyte. A method for performing NERS includes providing such a NERS-active structure, providing an analyte at a location proximate the NERS-active structure, irradiating the NERS-active structure and the analyte with radiation, varying the distance between the nanoparticles, and detecting Raman scattered radiation scattered by the analyte.

    摘要翻译： NERS活性结构包括用于支撑第一纳米颗粒的可变形的活性纳米颗粒支撑结构和邻近第一纳米颗粒设置的第二纳米颗粒。 纳米颗粒各自包含NERS-活性材料。 可变形的活性纳米颗粒支撑结构被配置为在执行NERS的同时改变第一纳米颗粒和第二纳米颗粒之间的距离。 公开了各种活性纳米颗粒载体结构。 NERS系统包括这样的NERS-活性结构，用于产生由位于NERS-活性结构附近的分析物可散射的辐射的辐射源，以及用于检测被分析物散射的拉曼散射辐射的辐射检测器。 执行NERS的方法包括提供这样的NERS活性结构，在靠近NERS-活性结构的位置提供分析物，用辐射照射NERS-活性结构和分析物，改变纳米颗粒之间的距离并检测拉曼散射 被分析物散射的辐射。

    Nanowire interconnection and nano-scale device applications
    10.
    发明授权
    Nanowire interconnection and nano-scale device applications 失效
    纳米线互连和纳米级器件应用

    公开(公告)号：US07307271B2

    公开(公告)日：2007-12-11

    申请号：US10982051

    申请日：2004-11-05

    申请人： M. Saif Islam ,  Philip J. Kuekes ,  Shih-Yuan Wang ,  Duncan R. Stewart ,  Shashank Sharma

    发明人： M. Saif Islam ,  Philip J. Kuekes ,  Shih-Yuan Wang ,  Duncan R. Stewart ,  Shashank Sharma

    IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L31/036

    CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01S5/0261 ,  H01S5/041 ,  H01S5/183 ,  H01S5/341 ,  H01S5/3412 ,  H01S5/3428 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/763 ,  Y10S977/764 ,  Y10S977/938

    摘要： A nano-colonnade structure-and methods of fabrication and interconnection thereof utilize a nanowire column grown nearly vertically from a (111) horizontal surface of a semiconductor layer to another horizontal surface of another layer to connect the layers. The nano-colonnade structure includes a first layer having the (111) horizontal surface; a second layer having the other horizontal surface; an insulator support between the first layer and the second layer that separates the first layer from the second layer. A portion of the second layer overhangs the insulator support, such that the horizontal surface of the overhanging portion is spaced from and faces the (111) horizontal surface of the first layer. The structure further includes a nanowire column extending nearly vertically from the (111) horizontal surface to the facing horizontal surface, such that the nanowire column connects the first layer to the second layer.

    摘要翻译： 纳米柱廊结构及其制造和互连方法利用从半导体层的（111）水平表面几乎垂直地生长到另一层的另一水平表面的纳米线柱，以连接这些层。 纳米柱廊结构包括具有（111）水平表面的第一层; 具有另一水平表面的第二层; 第一层和第二层之间的绝缘体支撑，其将第一层与第二层分离。 第二层的一部分突出于绝缘体支撑件上，使得伸出部分的水平表面与第一层的（111）水平表面间隔开并面对第一层的（111）水平表面。 该结构还包括从（111）水平表面几乎垂直延伸到相对的水平表面的纳米线列，使得纳米线列将第一层连接到第二层。