知搜-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

35 条记录 (耗时 0.029 秒)

    Phase change random access memory and method of operating the same
    2.
    发明授权
    Phase change random access memory and method of operating the same 有权
    相变随机存取存储器及其操作方法

    公开(公告)号：US07642540B2

    公开(公告)日：2010-01-05

    申请号：US11359428

    申请日：2006-02-23

    申请人： Sang-mock Lee ,  Yoon-ho Khang ,  Jin-seo Noh ,  Dong-seok Suh

    发明人： Sang-mock Lee ,  Yoon-ho Khang ,  Jin-seo Noh ,  Dong-seok Suh

    IPC分类号： H01L47/00

    CPC分类号： G11C13/025 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/52 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148

    摘要： A phase change random access memory (PRAM), and a method of operating the PRAM are provided. In the PRAM comprising a switching element and a storage node connected to the switching element, the storage node comprises a first electrode, a second electrode, a phase change layer between the first electrode and a second electrode, and a heat efficiency improving element formed between the first electrode and the phase change layer. The heat efficiency improving element may be one of a carbon nanotube (CNT) layer, a nanoparticle layer, and a nanodot layer, and the nanoparticle layer may be a fullerene layer.

    摘要翻译： 提供相变随机存取存储器（PRAM）以及操作PRAM的方法。 在包括开关元件和连接到开关元件的存储节点的PRAM中，存储节点包括第一电极，第二电极，在第一电极和第二电极之间的相变层，以及在第一电极和第二电极之间形成的热效率改善元件 第一电极和相变层。 热效率改善元件可以是碳纳米管（CNT）层，纳米颗粒层和纳米点层之一，并且纳米颗粒层可以是富勒烯层。

    Phase change random access memory and method of operating the same
    4.
    发明申请
    Phase change random access memory and method of operating the same 有权
    相变随机存取存储器及其操作方法

    公开(公告)号：US20070051935A1

    公开(公告)日：2007-03-08

    申请号：US11359428

    申请日：2006-02-23

    申请人： Sang-mock Lee ,  Yoon-ho Khang ,  Jin-seo Noh ,  Dong-seok Suh

    发明人： Sang-mock Lee ,  Yoon-ho Khang ,  Jin-seo Noh ,  Dong-seok Suh

    IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L29/00

    CPC分类号： G11C13/025 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/52 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148

    摘要： A phase change random access memory (PRAM), and a method of operating the PRAM are provided. In the PRAM comprising a switching element and a storage node connected to the switching element, the storage node comprises a first electrode, a second electrode, a phase change layer between the first electrode and a second electrode, and a heat efficiency improving element formed between the first electrode and the phase change layer. The heat efficiency improving element may be one of a carbon nanotube (CNT) layer, a nanoparticle layer, and a nanodot layer, and the nanoparticle layer may be a fullerene layer.

    摘要翻译： 提供相变随机存取存储器（PRAM）以及操作PRAM的方法。 在包括开关元件和连接到开关元件的存储节点的PRAM中，存储节点包括第一电极，第二电极，在第一电极和第二电极之间的相变层，以及在第一电极和第二电极之间形成的热效率改善元件 第一电极和相变层。 热效率改善元件可以是碳纳米管（CNT）层，纳米颗粒层和纳米点层之一，并且纳米颗粒层可以是富勒烯层。

    Method of operating and structure of phase change random access memory (PRAM)
    5.
    发明申请
    Method of operating and structure of phase change random access memory (PRAM) 有权
    相变随机存取存储器（PRAM）的操作和结构方法

    公开(公告)号：US20060152186A1

    公开(公告)日：2006-07-13

    申请号：US11329171

    申请日：2006-01-11

    申请人： Dong-seok Suh ,  Yoon-ho Khang ,  Sang-mock Lee ,  Jin-seo Noh

    发明人： Dong-seok Suh ,  Yoon-ho Khang ,  Sang-mock Lee ,  Jin-seo Noh

    IPC分类号： G05B19/29

    CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2213/79

    摘要： Provided is a method of operating a phase change random access memory comprising a switching device and a storage node comprising a phase change layer. The method includes applying a reset current passing through the phase change layer from a lower portion of the phase change layer toward an upper portion of the phase change layer and being smaller than 1.6 mA to the storage node to change a portion of the phase change layer into an amorphous state. The set voltage is in an opposite direction is exemplary embodiments, and a connector is of small cross-sectional area.

    摘要翻译： 提供了一种操作包括切换装置和包括相变层的存储节点的相变随机存取存储器的方法。 该方法包括从相变层的下部向相变层的上部施加通过相变层的复位电流，并向存储节点施加小于1.6mA的改变相变层的一部分的复位电流 变成无定形状态。 设定电压是示例性实施例的相反方向，并且连接器具有小的横截面积。

    Method of operating and structure of phase change random access memory (PRAM)
    6.
    发明授权
    Method of operating and structure of phase change random access memory (PRAM) 有权
    相变随机存取存储器（PRAM）的操作和结构方法

    公开(公告)号：US07824953B2

    公开(公告)日：2010-11-02

    申请号：US11329171

    申请日：2006-01-11

    申请人： Dong-seok Suh ,  Yoon-ho Khang ,  Sang-mock Lee ,  Jin-seo Noh

    发明人： Dong-seok Suh ,  Yoon-ho Khang ,  Sang-mock Lee ,  Jin-seo Noh

    IPC分类号： H01L29/02

    CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2213/79

    摘要： Provided is a method of operating a phase change random access memory comprising a switching device and a storage node comprising a phase change layer. The method includes applying a reset current passing through the phase change layer from a lower portion of the phase change layer toward an upper portion of the phase change layer and being smaller than 1.6 mA to the storage node to change a portion of the phase change layer into an amorphous state. The set voltage is in an opposite direction is exemplary embodiments, and a connector is of small cross-sectional area.

    摘要翻译： 提供了一种操作包括切换装置和包括相变层的存储节点的相变随机存取存储器的方法。 该方法包括从相变层的下部向相变层的上部施加通过相变层的复位电流，并向存储节点施加小于1.6mA的改变相变层的一部分的复位电流 变成无定形状态。 设定电压是示例性实施例的相反方向，并且连接器具有小的横截面积。

    Phase change material, phase change random access memory including the same, and methods of manufacturing and operating the same
    8.
    发明申请
    Phase change material, phase change random access memory including the same, and methods of manufacturing and operating the same 有权
    相变材料，包括相变的相变随机存取存储器及其制造和操作的方法

    公开(公告)号：US20070029606A1

    公开(公告)日：2007-02-08

    申请号：US11498796

    申请日：2006-08-04

    申请人： Jin-seo Noh ,  Yoon-ho Khang ,  Sang-mock Lee ,  Dong-seok Suh

    发明人： Jin-seo Noh ,  Yoon-ho Khang ,  Sang-mock Lee ,  Dong-seok Suh

    IPC分类号： H01L29/788

    CPC分类号： H01L45/1286 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144

    摘要： A phase change material, a PRAM including the same, and methods of manufacturing and operating the same are provided. Insulating impurities may be uniformly distributed over an entire or partial region of the phase change material. The PRAM may include a phase change layer including the phase change material. The insulating impurity content of the phase change material may be 0.1 to 10% (inclusive) the volume of the phase change material. The insulating impurity content of the phase change material may be adjusted by controlling the power applied to a target including the insulating impurities.

    摘要翻译： 提供了相变材料，包括其的PRAM及其制造和操作方法。 绝缘杂质可以均匀分布在相变材料的整个或部分区域上。 PRAM可以包括包括相变材料的相变层。 相变材料的绝缘杂质含量可以为相变材料体积的0.1〜10％（含）。 可以通过控制施加到包括绝缘杂质的靶的功率来调节相变材料的绝缘杂质含量。