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    Integrated circuit with replacement gate stacks and method of forming same
    1.
    发明授权
    Integrated circuit with replacement gate stacks and method of forming same 有权
    具有更换栅极堆叠的集成电路及其形成方法

    公开(公告)号：US09589806B1

    公开(公告)日：2017-03-07

    申请号：US14886424

    申请日：2015-10-19

    申请人： GLOBALFOUNDRIES Inc.

    发明人： Ruqiang Bao ,  Unoh Kwon ,  Huihang Dong ,  John A. Fitzsimmons

    IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/49

    CPC分类号： H01L21/283 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/092 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545

    摘要： An IC structure including: a first replacement gate stack for the pFET, the first replacement gate stack including: an interfacial layer in a first opening in the dielectric layer; a high-k layer over the interfacial layer in the first opening; a pFET work function metal layer over the high-k layer in the first opening; and a first gate electrode layer over the pFET work function metal layer and substantially filling the first opening; and a second replacement gate stack for the nFET, the second gate stack laterally adjacent to the first gate stack and including: the interfacial layer in a second opening in the dielectric layer; the high-k layer over the interfacial layer in the second opening; a nFET work function metal layer over the high-k layer in the second opening; and a second gate electrode layer over the nFET work function metal layer and substantially filling the second opening.

    摘要翻译： 一种IC结构，包括：用于pFET的第一替换栅极堆叠，所述第一替换栅极堆叠包括：在所述介电层中的第一开口中的界面层; 在第一开口的界面层上的高k层; 在第一开口中的高k层上的pFET功函数金属层; 以及在pFET功函数金属层上方的基本上填充第一开口的第一栅极电极层; 以及用于nFET的第二替代栅极堆叠，所述第二栅极堆叠横向邻近所述第一栅极堆叠并且包括：所述介电层中的第二开口中的界面层; 在第二开口的界面层上的高k层; 在第二开口的高k层上的nFET功函数金属层; 以及在nFET功函数金属层上方的第二栅电极层，并基本上填充第二开口。