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    Memory device employing magnetic domain wall movement
    3.
    发明授权
    Memory device employing magnetic domain wall movement 有权
    采用磁畴壁运动的记忆装置

    公开(公告)号：US07652906B2

    公开(公告)日：2010-01-26

    申请号：US11851049

    申请日：2007-09-06

    申请人： Chee-kheng Lim ,  Eun-sik Kim ,  Sung-chul Lee

    发明人： Chee-kheng Lim ,  Eun-sik Kim ,  Sung-chul Lee

    IPC分类号： G11C19/00

    CPC分类号： G11C11/14 ,  G11C19/0808 ,  G11C19/0816 ,  G11C19/0841 ,  Y10S977/933

    摘要： Provided is a memory device employing magnetic domain wall movement. The memory device includes a first track, an interconnecting layer, and a second track. The first track including a magnetic material is formed in a first direction. The interconnecting layer is formed on the first track. The second track including a magnetic material is formed in a second direction on the interconnecting layer.

    摘要翻译： 提供了采用磁畴壁运动的存储器件。 存储器件包括第一轨道，互连层和第二轨道。 包括磁性材料的第一轨迹形成在第一方向上。 互连层形成在第一轨道上。 包括磁性材料的第二轨道在互连层上沿第二方向形成。

    Magnetic random access memory device using current induced switching
    4.
    发明申请
    Magnetic random access memory device using current induced switching 有权
    使用电流感应开关的磁性随机存取存储器件

    公开(公告)号：US20080055789A1

    公开(公告)日：2008-03-06

    申请号：US11896214

    申请日：2007-08-30

    申请人： Eun-sik Kim ,  Kook-hyun Sunwoo ,  Sung-chul Lee

    发明人： Eun-sik Kim ,  Kook-hyun Sunwoo ,  Sung-chul Lee

    IPC分类号： G11B5/33

    CPC分类号： G11C11/16

    摘要： Provided is a magnetic memory device that uses a current induced switching (CID) method. The magnetic memory device that uses a CID method includes a lower electrode, a magnetic resistance structure that is formed on the lower electrode which comprises a free layer whose widths of two sides are varied, and an upper electrode formed on the magnetic resistance structure.

    摘要翻译： 提供了使用电流感应开关（CID）方法的磁存储器件。 使用CID方法的磁存储器件包括下电极，形成在下电极上的磁阻结构，该电阻结构包括两侧宽度变化的自由层和形成在该磁阻结构上的上电极。

    Data storage device using magnetic domain wall movement and method of operating the same
    5.
    发明授权
    Data storage device using magnetic domain wall movement and method of operating the same 有权
    使用磁畴壁运动的数据存储装置及其操作方法

    公开(公告)号：US07961491B2

    公开(公告)日：2011-06-14

    申请号：US11730121

    申请日：2007-03-29

    申请人： Sung-chul Lee ,  Sung-hoon Choa ,  Eun-sik Kim

    发明人： Sung-chul Lee ,  Sung-hoon Choa ,  Eun-sik Kim

    IPC分类号： G11C19/00

    CPC分类号： G11C11/14 ,  G11C19/0808 ,  Y10S977/933 ,  Y10S977/935

    摘要： Provided are a data storage device using a magnetic domain wall movement and a method of operating the data storage device. The data storage device includes a magnetic layer which has a plurality of magnetic domains, a current applying unit which applies current for a magnetic domain wall movement to the magnetic layer, and a head for reading and writing, wherein the magnetic layer comprises a plurality of perpendicular magnetic layers formed on a substrate in a plurality of rows and columns, and a horizontal magnetic layer formed on the perpendicular magnetic layers to connect the perpendicular magnetic layers.

    摘要翻译： 提供了使用磁畴壁移动的数据存储装置和操作数据存储装置的方法。 该数据存储装置包括具有多个磁畴的磁性层，向磁性层施加用于磁畴壁运动的电流的电流施加单元和用于读取和写入的磁头，其中该磁性层包括多个 在多个行和列中的基板上形成的垂直磁性层，以及形成在垂直磁性层上以连接垂直磁性层的水平磁性层。

    Magnetic random access memory device using current induced switching
    6.
    发明授权
    Magnetic random access memory device using current induced switching 有权
    使用电流感应开关的磁性随机存取存储器件

    公开(公告)号：US07778067B2

    公开(公告)日：2010-08-17

    申请号：US11896214

    申请日：2007-08-30

    申请人： Eun-sik Kim ,  Kook-hyun Sunwoo ,  Sung-chul Lee

    发明人： Eun-sik Kim ,  Kook-hyun Sunwoo ,  Sung-chul Lee

    IPC分类号： G11C11/15

    CPC分类号： G11C11/16

    摘要： Provided is a magnetic memory device that uses a current induced switching (CID) method. The magnetic memory device that uses a CID method includes a lower electrode, a magnetic resistance structure that is formed on the lower electrode which comprises a free layer whose widths of two sides are varied, and an upper electrode formed on the magnetic resistance structure.

    摘要翻译： 提供了使用电流感应开关（CID）方法的磁存储器件。 使用CID方法的磁存储器件包括下电极，形成在下电极上的磁阻结构，该电阻结构包括两侧宽度变化的自由层和形成在该磁阻结构上的上电极。

    Data storage device using magnetic domain wall movement and method of operating the same
    7.
    发明申请
    Data storage device using magnetic domain wall movement and method of operating the same 有权
    使用磁畴壁运动的数据存储装置及其操作方法

    公开(公告)号：US20080100963A1

    公开(公告)日：2008-05-01

    申请号：US11730121

    申请日：2007-03-29

    申请人： Sung-chul Lee ,  Sung-hoon Choa ,  Eun-sik Kim

    发明人： Sung-chul Lee ,  Sung-hoon Choa ,  Eun-sik Kim

    IPC分类号： G11B5/74

    CPC分类号： G11C11/14 ,  G11C19/0808 ,  Y10S977/933 ,  Y10S977/935

    摘要： Provided are a data storage device using a magnetic domain wall movement and a method of operating the data storage device. The data storage device includes a magnetic layer which has a plurality of magnetic domains, a current applying unit which applies current for a magnetic domain wall movement to the magnetic layer, and a head for reading and writing, wherein the magnetic layer comprises a plurality of perpendicular magnetic layers formed on a substrate in a plurality of rows and columns, and a horizontal magnetic layer formed on the perpendicular magnetic layers to connect the perpendicular magnetic layers.

    摘要翻译： 提供了使用磁畴壁移动的数据存储装置和操作数据存储装置的方法。 该数据存储装置包括具有多个磁畴的磁性层，向磁性层施加用于磁畴壁运动的电流的电流施加单元和用于读取和写入的磁头，其中该磁性层包括多个 在多个行和列中的基板上形成的垂直磁性层，以及形成在垂直磁性层上以连接垂直磁性层的水平磁性层。

    Oscillators and methods of operating the same
    10.
    发明授权
    Oscillators and methods of operating the same 有权
    振荡器和操作方法相同

    公开(公告)号：US08421545B2

    公开(公告)日：2013-04-16

    申请号：US13099684

    申请日：2011-05-03

    申请人： Kwang-seok Kim ,  Sung-chul Lee ,  Kee-won Kim ,  Sun-ae Seo ,  Ung-hwan Pi

    发明人： Kwang-seok Kim ,  Sung-chul Lee ,  Kee-won Kim ,  Sun-ae Seo ,  Ung-hwan Pi

    IPC分类号： H03L7/26 ,  H03B28/00 ,  H01L29/82

    CPC分类号： H03B15/006

    摘要： Oscillators and methods of operating the same, the oscillators include a pinned layer having a fixed magnetization direction, a first free layer over the pinned layer, and a second free layer over the first free layer. The oscillators are configured to generate a signal using precession of a magnetic moment of at least one of the first and second free layers.

    摘要翻译： 振荡器及其操作方法，振荡器包括具有固定磁化方向的钉扎层，被钉扎层上的第一自由层，以及在第一自由层上的第二自由层。 振荡器被配置为使用第一和第二自由层中的至少一个的磁矩的进动来产生信号。