公开(公告)号：US07289231B2

公开(公告)日：2007-10-30

申请号：US10744067

申请日：2003-12-24

申请人： Tarek Lutz ,  Markus Menath

发明人： Tarek Lutz ,  Markus Menath

IPC分类号： G01B11/14 ,  G01B11/16 ,  G01N21/00 ,  G01N21/86 ,  G01V8/00 ,  G06K9/00

CPC分类号： G03F1/84 ,  G01N21/958

摘要： An apparatus for determining physical properties of a mask blank. The apparatus includes, for example, an illumination device for radiating a predetermined light laterally into the mask blank, a detection device opposite the illumination device for detecting the light which has been scattered and/or runs through the mask blank, and an evaluation device for determining predetermined properties of the mask blank from the light which has been scattered and/or has run through the mask blank and has been detected in the detection device. The present invention likewise provides a method for determining physical properties of a mask blank.

摘要翻译： 一种用于确定面罩坯料的物理特性的装置。 该装置包括例如用于将预定光横向辐射到掩模坯料中的照明装置，与照明装置相对的用于检测已经散射和/或穿过掩模板的光的检测装置，以及用于 从已经散布和/或已经穿过掩模板的光已经在检测装置中检测到的光中确定掩模坯料的预定特性。 本发明同样提供了一种用于确定掩模坯料的物理性质的方法。

公开(公告)号：US20050214656A1

公开(公告)日：2005-09-29

申请号：US11059637

申请日：2005-02-16

申请人： Tarek Lutz ,  Jens Schneider

发明人： Tarek Lutz ,  Jens Schneider

IPC分类号： G03C5/00 ,  G03F1/70 ,  G03F1/78 ,  G03F7/22 ,  G03F9/00 ,  G06F17/50

CPC分类号： G03F1/78 ,  G03F1/68 ,  G03F1/70

摘要： In a process for producing a mask, layout data is provided for a semiconductor layout. The layout data is fractionated to create control data for a pattern generator. Slivers are identified slivers from the fractionating step. Second control data can be created from an enlarged imaging of the slivers. A first exposure can then be carried out using the control data and a second exposure can be carried out using the second data. The second exposure is carried out with a lower exposure dose as compared to the first exposure.

摘要翻译： 在制造掩模的过程中，为半导体布局提供了布局数据。 分配布局数据以创建模式生成器的控制数据。 分条是从分馏步骤确定的条子。 可以从条子的放大成像创建第二控制数据。 然后可以使用控制数据执行第一曝光，并且可以使用第二数据执行第二曝光。 与第一次暴露相比，以较低的曝光剂量进行第二次曝光。

公开(公告)号：US06953644B2

公开(公告)日：2005-10-11

申请号：US10408806

申请日：2003-04-07

申请人： Christian Ebi ,  Frank Erber ,  Torsten Franke ,  Fritz Gans ,  Tarek Lutz ,  Günther Ruhl ,  Bernd Schönherr

发明人： Christian Ebi ,  Frank Erber ,  Torsten Franke ,  Fritz Gans ,  Tarek Lutz ,  Günther Ruhl ,  Bernd Schönherr

IPC分类号： G03F1/00 ,  G03F1/14 ,  G03F7/20 ,  G03F9/00 ,  H01J37/30 ,  H01J37/302 ,  H01J37/317

CPC分类号： B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/3175 ,  H01J2237/31769 ,  H01J2237/31796 ,  Y10S430/143

摘要： A method for compensating for scatter/reflection effects in particle beam lithography includes the following steps: providing at least one layer of a material that is sensitive to particle beams, using at least one particle beam to write predetermined patterns in a limited area of the material that is sensitive to particle beams, and using at least one particle beam to write at least one frame, which surrounds the limited area, into the material that is sensitive to particle beams so that variations in the background dose within the limited area are less than 30% of the maximum background dose within the limited area. This provides the advantage that a considerably more homogeneous background dose and hence considerably less variation in the CD measure, can be produced within the area that is written to by the particle beam, in a simple and cost-effective manner.

摘要翻译： 用于补偿粒子束光刻中的散射/反射效应的方法包括以下步骤：使用至少一个粒子束来提供至少一层对粒子束敏感的材料，以在材料的有限区域中写入预定图案 对粒子束敏感，并且使用至少一个粒子束将围绕有限区域的至少一个框架写入对粒子束敏感的材料，使得在有限区域内的背景剂量的变化小于 有限区域内最大背景剂量的30％。 这提供了以简单和成本有效的方式在由粒子束写入的区域内产生显着更均匀的背景剂量并因此在CD测量中显着较小变化的优点。

公开(公告)号：US07410732B2

公开(公告)日：2008-08-12

申请号：US11059637

申请日：2005-02-16

申请人： Tarek Lutz ,  Jens Schneider

发明人： Tarek Lutz ,  Jens Schneider

IPC分类号： G03F1/00

CPC分类号： G03F1/78 ,  G03F1/68 ,  G03F1/70

摘要： In a process for producing a mask, layout data is provided for a semiconductor layout. The layout data is fractionated to create control data for a pattern generator. Slivers are identified slivers from the fractionating step. Second control data can be created from an enlarged imaging of the slivers. A first exposure can then be carried out using the control data and a second exposure can be carried out using the second data. The second exposure is carried out with a lower exposure dose as compared to the first exposure.

摘要翻译： 在制造掩模的过程中，为半导体布局提供了布局数据。 分配布局数据以创建模式生成器的控制数据。 分条是从分馏步骤确定的条子。 可以从条子的放大成像创建第二控制数据。 然后可以使用控制数据执行第一曝光，并且可以使用第二数据执行第二曝光。 与第一次暴露相比，以较低的曝光剂量进行第二次曝光。

公开(公告)号：US07087910B2

公开(公告)日：2006-08-08

申请号：US10835217

申请日：2004-04-29

申请人： Jens Schneider ,  Tarek Lutz

发明人： Jens Schneider ,  Tarek Lutz

IPC分类号： H01J37/304

CPC分类号： H01J37/3174 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J2237/30438 ,  H01J2237/30461 ,  H01J2237/31788 ,  H01J2237/31793

摘要： A method for detecting and compensating for positional displacements of a photolithographic mask unit, includes providing mask production data for the writing of the mask unit with an electron beam. A structure density of the mask unit is input and an electron beam deflection is brought about on the mask unit in dependence on the determined structure density of the mask unit. The mask production data are corrected through the use of the determined electron beam deflection, in order to obtain corrected mask production data, and the corrected mask production data are output. A lithography apparatus for mask units with correction of positional displacements of the mask unit, is also provided.

摘要翻译： 一种用于检测和补偿光刻掩模单元的位置位移的方法，包括提供用于用电子束写入掩模单元的掩模生产数据。 输入掩模单元的结构密度，并根据确定的掩模单元的结构密度在掩模单元上产生电子束偏转。 通过使用确定的电子束偏转来校正掩模生产数据，以获得校正的掩模生产数据，并且输出校正的掩模生产数据。 还提供了一种用于具有校正掩模单元的位置位移的掩模单元的光刻设备。