公开(公告)号：US20140001268A1

公开(公告)日：2014-01-02

申请号：US14001774

申请日：2012-03-12

申请人： Sang-Gyu Lee ,  Suk-Joo Lee ,  Bong-Ki Park

发明人： Sang-Gyu Lee ,  Suk-Joo Lee ,  Bong-Ki Park

IPC分类号： G06K19/06 ,  G06K7/12 ,  G06K7/14

CPC分类号： G06K7/14 ,  G06K7/12 ,  G06K19/0614

摘要： Disclosed are a film having codes recorded thereon, a reader used to recognize the film having the codes recorded thereon, and electronic equipment including a display device to which the film having the codes recorded thereon is attached. The reader includes a light emitting part irradiating light having a first wavelength onto a film surface printed with a code by using a predetermined fluorescent material, and a light receiving part receiving only a light having a second wavelength radiated by the predetermined fluorescent material if the light having the first wavelength is irradiated on the code. The reader recognizes the codes together with a screen when a code pattern is printed on the surface of the transparent material and the transparent material is attached on the surface of a display part provided in the electronic equipment.

摘要翻译： 公开了一种具有记录在其上的代码的电影，用于识别其上记录有代码的胶片的读取器，以及包括其上记录有代码的胶片的显示装置的电子设备。 读取器包括通过使用预定的荧光材料将具有第一波长的光照射到印有代码的膜表面上的发光部分和仅接收由预定荧光材料辐射的具有第二波长的光的光接收部分，如果光 具有第一波长的光被照射在代码上。 当将代码图案印刷在透明材料的表面上时，读取器与屏幕一起识别代码，并且透明材料附着在设置在电子设备中的显示部件的表面上。

公开(公告)号：US08431331B2

公开(公告)日：2013-04-30

申请号：US12267687

申请日：2008-11-10

申请人： Yool Kang ,  Suk-joo Lee ,  Jung-hyeon Lee ,  Shi-yong Yi

发明人： Yool Kang ,  Suk-joo Lee ,  Jung-hyeon Lee ,  Shi-yong Yi

IPC分类号： G03F7/40

CPC分类号： H01L21/027 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/32139

摘要： A method of forming fine patterns of a semiconductor device according to a double patterning process that uses acid diffusion is provided. In this method, a plurality of first mask patterns are formed on a substrate so as to be separated from one another. A capping film including an acid source is formed on sidewalls and an upper surface of each of the plurality of first mask patterns. A second mask layer is formed on the capping films. A plurality of acid diffused regions are formed within the second mask layer by diffusing acid obtained from the acid source from the capping films into the second mask layer. A plurality of second mask patterns are formed of residual parts of the second mask layer which remain in the first spaces after removing the acid diffused regions of the second mask layer.

摘要翻译： 提供了根据使用酸扩散的双重图案化工艺形成半导体器件的精细图案的方法。 在该方法中，在基板上形成多个第一掩模图案以彼此分离。 在多个第一掩模图案的每一个的侧壁和上表面上形成包括酸源的封盖膜。 在封盖膜上形成第二掩模层。 通过将从酸源获得的酸从封盖膜扩散到第二掩模层中，在第二掩模层内形成多个酸扩散区。 多个第二掩模图案由除去第二掩模层的酸扩散区域之后残留在第一间隙中的第二掩模层的残留部分形成。

公开(公告)号：US20110177437A1

公开(公告)日：2011-07-21

申请号：US13079078

申请日：2011-04-04

申请人： Sung-soo Suh ,  Suk-joo Lee ,  Han-ku Cho ,  Yong-jin Chun ,  Sung-woo Lee ,  Young-chang Kim

发明人： Sung-soo Suh ,  Suk-joo Lee ,  Han-ku Cho ,  Yong-jin Chun ,  Sung-woo Lee ,  Young-chang Kim

IPC分类号： G03F1/00

CPC分类号： G03F1/36

摘要： Provided are a compensating mask, a multi-optical system using the compensating mask, and a method of compensating for a 3-dimensional (3-D) mask effect using the compensating mask. Methods of compensating for a 3-D mask effect using a compensating mask may include generating a first kernel corresponding to a normal mask used for forming a minute pattern, generating a second kernel corresponding to a compensating mask, mixing the first kernel corresponding to the normal mask with the second kernel corresponding to the compensating mask, and generating a multi-optical system kernel corresponding to mixing the first kernel and the second kernel.

摘要翻译： 提供了补偿掩模，使用补偿掩模的多光学系统以及使用补偿掩模来补偿三维（3-D）掩模效应的方法。 使用补偿掩模补偿3-D掩模效应的方法可以包括生成对应于用于形成微图案的正常掩模的第一内核，生成与补偿掩码相对应的第二内核，将与正常对应的第一内核混合 掩模与第二核对应于补偿掩模，并且生成对应于混合第一内核和第二内核的多光学系统内核。

公开(公告)号：US07892982B2

公开(公告)日：2011-02-22

申请号：US11978718

申请日：2007-10-30

申请人： Doo-youl Lee ,  Pan-suk Kwak ,  Sung-gon Jung ,  Jung-hyeon Lee ,  Suk-joo Lee ,  Cha-won Koh ,  Ji-young Lee

发明人： Doo-youl Lee ,  Pan-suk Kwak ,  Sung-gon Jung ,  Jung-hyeon Lee ,  Suk-joo Lee ,  Cha-won Koh ,  Ji-young Lee

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76838

摘要： A method for forming fine patterns of a semiconductor device includes forming an etching film on a substrate having first and second areas, forming first mask patterns on the substrate to have a first pattern density in the first area and a second pattern density in the second area, forming first capping patterns between the first mask patterns, forming second capping patterns between the first mask patterns, such that recess areas are formed between second capping patterns, and such that a first etching pattern is defined to include the first and second capping patterns, forming second mask patterns in the recess areas to include the first and second mask patterns, removing one of the first and second etching patterns, such that a single etching pattern is remaining on the substrate, and etching the etching film using the remaining etching pattern as an etch mask to form etching film patterns.

摘要翻译： 用于形成半导体器件的精细图案的方法包括在具有第一和第二区域的衬底上形成蚀刻膜，在衬底上形成第一掩模图案以在第一区域中具有第一图案密度，在第二区域中形成第二图案密度 在所述第一掩模图案之间形成第一封盖图案，在所述第一掩模图案之间形成第二封盖图案，使得在第二封盖图案之间形成凹陷区域，并且使得第一蚀刻图案被限定为包括所述第一和第二封盖图案， 在凹陷区域中形成第二掩模图案以包括第一和第二掩模图案，去除第一和第二蚀刻图案中的一个，使得在基板上残留单个蚀刻图案，并使用剩余的蚀刻图案蚀刻蚀刻膜作为 蚀刻掩模以形成蚀刻膜图案。

公开(公告)号：US20070178393A1

公开(公告)日：2007-08-02

申请号：US11656466

申请日：2007-01-23

申请人： Jin-Hong Park ,  Han-Ku Cho ,  Seong-Sue Kim ,  Sang-Gyun Woo ,  Suk-Joo Lee

发明人： Jin-Hong Park ,  Han-Ku Cho ,  Seong-Sue Kim ,  Sang-Gyun Woo ,  Suk-Joo Lee

IPC分类号： G03C5/00 ,  G21K5/00 ,  G03F1/00

CPC分类号： G03F1/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/34

摘要： A reflective photomask for EUV light is disclosed. The reflective photomask may include a projecting pattern selectively formed on a substrate and a reflective layer on the substrate and the projecting pattern.

摘要翻译： 公开了一种用于EUV光的反射光掩模。 反射光掩模可以包括选择性地形成在基板上的突出图案和在基板上的反射层和突出图案。

公开(公告)号：US20060147835A1

公开(公告)日：2006-07-06

申请号：US11293125

申请日：2005-12-05

申请人： Sook Lee ,  Min-jeong Oh ,  Suk-joo Lee

发明人： Sook Lee ,  Min-jeong Oh ,  Suk-joo Lee

IPC分类号： G03C1/76

CPC分类号： G03F7/0392 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/38

摘要： A chemically-amplified photoresist composition includes a polymer resin, a photo acid generator (PAG), and a thermal acid generator (TAG), where a thermal deprotection temperature of the polymer resin is greater than an acid generation temperature of the TAG. The photoresist composition may be utilized in a photolithography process which includes subjecting a layer of the photoresist composition to photon exposure which causes the PAG to decompose into acid, subjecting the photon-exposed layer of the photo resist composition to a heat treatment which causes the TAG to decompose into acid, and subjecting the heat-treated layer of photoreist composition to a post-exposure bake (PEB) at a temperature which is greater than the temperature of the heat treatment.

摘要翻译： 化学增幅光致抗蚀剂组合物包括聚合物树脂，光酸产生剂（PAG）和热酸产生剂（TAG），其中聚合物树脂的热去保护温度大于TAG的酸生成温度。 光致抗蚀剂组合物可以用于光刻工艺中，该方法包括使光致抗蚀剂组合物的一层经受光子曝光，导致PAG分解成酸，将光致抗蚀剂组合物的光子曝光层进行热处理，这导致TAG 分解成酸，并将光热组合物的热处理层在大于热处理温度的温度下经受曝光后烘烤（PEB）。

公开(公告)号：US06571384B2

公开(公告)日：2003-05-27

申请号：US09847290

申请日：2001-05-03

申请人： Hye-Soo Shin ,  Suk-Joo Lee ,  Jeung-Woo Lee ,  Dae-Youp Lee

发明人： Hye-Soo Shin ,  Suk-Joo Lee ,  Jeung-Woo Lee ,  Dae-Youp Lee

IPC分类号： G06F1750

CPC分类号： H01L21/32139 ,  Y10S438/975

摘要： A method of forming fine patterns in a semiconductor device through a double photo lithography process. A layer to be etched and a hard mask layer are sequentially formed on a semiconductor substrate. A first photo resist pattern is formed on the hard mask layer. A first hard mask layer pattern is formed by etching the hard mask layer using the first photo resist pattern. After the first photo resist pattern is removed, a second photo resist pattern is formed on the resultant structure. A second hard mask layer pattern is formed by etching the first hard mask layer pattern using the second photo resist pattern. The layer to be etched is then etched using the second hard mask layer pattern after the second photo resist pattern has been removed, resulting in patterns have line edges without rounding.

摘要翻译： 一种通过双光刻工艺在半导体器件中形成精细图案的方法。 在半导体衬底上依次形成待蚀刻的层和硬掩模层。 第一光刻胶图案形成在硬掩模层上。 通过使用第一光致抗蚀剂图案蚀刻硬掩模层来形成第一硬掩模层图案。 在去除第一光致抗蚀剂图案之后，在所得结构上形成第二光致抗蚀剂图案。 通过使用第二光刻胶图案蚀刻第一硬掩模层图案来形成第二硬掩模层图案。 然后在去除第二光致抗蚀剂图案之后，使用第二硬掩模层图案蚀刻待蚀刻的层，导致图案具有没有圆化的线边。

公开(公告)号：US20140051055A1

公开(公告)日：2014-02-20

申请号：US14113243

申请日：2012-12-28

申请人： Sang-Gyu Lee ,  Suk-Joo Lee

发明人： Sang-Gyu Lee ,  Suk-Joo Lee

IPC分类号： G09B5/02 ,  H04L29/06 ,  G09B5/04 ,  H04L29/08

CPC分类号： G09B5/02 ,  G06Q50/20 ,  G09B5/04 ,  H04L67/12 ,  H04L67/38

摘要： Disclosed are a method for providing a correction and teaching services over a network and a web server used in the method. The method of the present invention is implemented by the steps of: enabling a web server to receive information to be corrected including image information created by a student from a student terminal, storing the information to be corrected, transmitting the information to be corrected to a teacher terminal, receiving corrected information from the teacher terminal, and mapping the corrected information and the information to be corrected. According to the present invention, the cost of time required for correcting and teaching can be reduced, and the teacher can provide the student with both corrections on the student's answer sheet and with feedback in the teacher's voice.

摘要翻译： 公开了一种在该方法中使用的网络和web服务器上提供校正和教学服务的方法。 本发明的方法通过以下步骤来实现：使得网络服务器能够接收要校正的信息，包括学生从学生终端创建的图像信息，存储要校正的信息，将待校正的信息发送到 教师终端，从教师终端接收校正的信息，以及映射校正的信息和要校正的信息。 根据本发明，可以减少纠正和教学所需的时间成本，并且教师可以向学生提供学生的答卷上的校正以及教师的声音中的反馈。

公开(公告)号：US08563197B2

公开(公告)日：2013-10-22

申请号：US12238884

申请日：2008-09-26

申请人： Sung-soo Suh ,  Suk-joo Lee ,  Yong-hee Park ,  Mi-kyeong Lee

发明人： Sung-soo Suh ,  Suk-joo Lee ,  Yong-hee Park ,  Mi-kyeong Lee

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G03F1/36

摘要： Design rules for circuit patterns of a semiconductor device are identified, and schematic layouts of the circuit patterns are generated according to the design rules. Lithography friendly layout (LFL) circuit patterns are generated from the schematic layouts. Target layout circuit patterns are generated from the LFL circuit patterns. Optical proximity effect correction (OPC) is performed on the target layout circuit patterns to generate OPC circuit patterns. A mask is fabricated from the OPC circuit patterns, and may be used fabricate a semiconductor device.

摘要翻译： 识别半导体器件的电路图案的设计规则，根据设计规则生成电路图案的原理图布局。 从原理图布局生成光刻友好布局（LFL）电路图案。 目标布局电路图案是从LFL电路图形生成的。 对目标布局电路图案执行光学邻近效应校正（OPC）以产生OPC电路图案。 掩模由OPC电路图形制成，可用于制造半导体器件。

公开(公告)号：US07842450B2

公开(公告)日：2010-11-30

申请号：US11711781

申请日：2007-02-28

申请人： Doo-youl Lee ,  Suk-joo Lee ,  Yool Kang ,  Han-ku Cho ,  Chang-jin Kang ,  Jae-ok Yoo ,  Sung-chan Park

发明人： Doo-youl Lee ,  Suk-joo Lee ,  Yool Kang ,  Han-ku Cho ,  Chang-jin Kang ,  Jae-ok Yoo ,  Sung-chan Park

IPC分类号： G03F7/00

CPC分类号： H01L21/0337

摘要： A method of forming a semiconductor device includes forming a first mask pattern on a target layer, the first mask pattern exposing a first portion of the target layer, forming an intermediate material layer, including depositing an intermediate material layer film on a side of the first mask pattern and the first portion of the target layer, and thinning the intermediate material layer film to form the intermediate material layer, forming a second mask pattern that exposes a second portion of the intermediate material layer, removing the exposed second portion of the intermediate material layer to expose the target layer, and patterning the target layer using the first and second mask patterns as patterning masks.

摘要翻译： 形成半导体器件的方法包括：在目标层上形成第一掩模图案，第一掩模图案暴露目标层的第一部分，形成中间材料层，包括在第一掩模图案的一侧上沉积中间材料层膜 掩模图案和目标层的第一部分，并且使中间材料层膜变薄以形成中间材料层，形成暴露中间材料层的第二部分的第二掩模图案，去除中间材料的暴露的第二部分 层以露出目标层，以及使用第一和第二掩模图案作为图案掩模来图案化目标层。