公开(公告)号：US20060234474A1

公开(公告)日：2006-10-19

申请号：US11106849

申请日：2005-04-15

申请人： Michael Nastasi ,  Lin Shao ,  Phillip Thompson ,  Silvanus Lau ,  Terry Alford ,  James Mayer ,  N. Theodore

发明人： Michael Nastasi ,  Lin Shao ,  Phillip Thompson ,  Silvanus Lau ,  Terry Alford ,  James Mayer ,  N. Theodore

IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L21/46

CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

摘要： A method for transferring a monocrystalline, thin layer from a first substrate onto a second substrate involves epitaxial growth of a sandwich structure with a strained epitaxial layer buried below a monocrystalline thin layer, and lift-off and transfer of the monocrystalline thin layer with the cleaving controlled to happen within the buried strained layer in conjunction with the introduction of hydrogen.

摘要翻译： 将单晶薄层从第一衬底转移到第二衬底上的方法包括外延生长具有埋在单晶薄层之下的应变外延层的夹层结构，以及单晶薄层的剥离和转移 结合氢的引入控制发生在埋置的应变层内。

公开(公告)号：US20050140283A1

公开(公告)日：2005-06-30

申请号：US10504647

申请日：2003-02-13

申请人： Silvanus Lau ,  James Mayer ,  Liang-Sun Hung ,  Longru Zheng

发明人： Silvanus Lau ,  James Mayer ,  Liang-Sun Hung ,  Longru Zheng

IPC分类号： H01J1/62 ,  H01L27/32

CPC分类号： H01L27/1266 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/3262

摘要： A multilayer structure to form an active matrix display with single crystalline Si TFTs over a transmissive substrate. A light-emitting device is integrated with a single-crystalline Si layer over the light-transmitting substrate. The light generated by the light-emitting device is emitted from the substrate.

摘要翻译： 在透射基板上形成具有单晶Si TFT的有源矩阵显示器的多层结构。 发光器件与透光衬底上的单晶Si层集成。 由发光装置产生的光从基板发射。

公开(公告)号：US20060270190A1

公开(公告)日：2006-11-30

申请号：US11137979

申请日：2005-05-25

申请人： Michael Nastasi ,  Lin Shao ,  Phillip Thompson ,  Silvanus Lau ,  N. Theodore ,  Terry Alford ,  James Mayer

发明人： Michael Nastasi ,  Lin Shao ,  Phillip Thompson ,  Silvanus Lau ,  N. Theodore ,  Terry Alford ,  James Mayer

IPC分类号： H01L21/30

CPC分类号： H01L21/76254

摘要： A method for transferring a monocrystalline, thin layer from a first substrate onto a second substrate involves deposition of a doped semiconductor layer on a substrate and epitaxial growth of a thin, monocrystalline, semiconductor layer on the doped layer. After bonding the thin epitaxial monocrystalline semiconductor layer to a second substrate, hydrogen is introduced into the doped layer, and the thin layer is cleaved and transferred to the second substrate, with the cleaving controlled to happen at the doped layer.

摘要翻译： 将单晶薄层从第一衬底转移到第二衬底上的方法包括在衬底上沉积掺杂半导体层，并在掺杂层上沉积薄的单晶半导体层。 在将薄的外延单晶半导体层接合到第二衬底之后，将氢引入到掺杂层中，并且薄层被切割并转移到第二衬底，其中解理被控制在掺杂层发生。