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    Apparatuses, devices and methods for sensing a snapback event in a circuit
    2.
    发明授权
    Apparatuses, devices and methods for sensing a snapback event in a circuit 有权
    用于感测电路中的快速恢复事件的装置，装置和方法

    公开(公告)号：US08767482B2

    公开(公告)日：2014-07-01

    申请号：US13213018

    申请日：2011-08-18

    申请人： Jeremy Hirst ,  Hernan Castro ,  Stephen Tang

    发明人： Jeremy Hirst ,  Hernan Castro ,  Stephen Tang

    IPC分类号： G11C7/00

    CPC分类号： G11C13/004 ,  G11C7/06 ,  G11C7/12 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0038 ,  G11C13/0059 ,  G11C13/0061 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0083 ,  G11C2207/063

    摘要： Example subject matter disclosed herein relates to apparatuses and/or devices, and/or various methods for use therein, in which an application of an electric potential to a circuit may be initiated and subsequently changed in response to a determination that a snapback event has occurred in a circuit. For example, a circuit may comprise a memory cell that may experience a snapback event as a result of an applied electric potential. In certain example implementations, a sense circuit may be provided which is responsive to a snapback event occurring in a memory cell to generate a feed back signal to initiate a change in an electric potential applied to the memory cell.

    摘要翻译： 本文公开的示例主题涉及用于其中的装置和/或装置和/或其中使用的各种方法，其中响应于确定发生了快速恢复事件已经发生并随后改变电路的电位的应用 在电路中。 例如，电路可以包括作为所施加的电势的结果可能经历回跳事件的存储器单元。 在某些示例实现中，可以提供感测电路，其响应于在存储器单元中发生的快速恢复事件以产生反馈信号，以启动施加到存储器单元的电位的变化。

    APPARATUSES, DEVICES AND METHODS FOR SENSING A SNAPBACK EVENT IN A CIRCUIT
    3.
    发明申请
    APPARATUSES, DEVICES AND METHODS FOR SENSING A SNAPBACK EVENT IN A CIRCUIT 有权
    用于在电路中感测到反应事件的装置，装置和方法

    公开(公告)号：US20130044539A1

    公开(公告)日：2013-02-21

    申请号：US13213018

    申请日：2011-08-18

    申请人： Jeremy Hirst ,  Hernan Castro ,  Stephen Tang

    发明人： Jeremy Hirst ,  Hernan Castro ,  Stephen Tang

    IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C7/10 ,  G05B24/02 ,  G11C7/00

    CPC分类号： G11C13/004 ,  G11C7/06 ,  G11C7/12 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0038 ,  G11C13/0059 ,  G11C13/0061 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0083 ,  G11C2207/063

    摘要： Example subject matter disclosed herein relates to apparatuses and/or devices, and/or various methods for use therein, in which an application of an electric potential to a circuit may be initiated and subsequently changed in response to a determination that a snapback event has occurred in a circuit. For example, a circuit may comprise a memory cell that may experience a snapback event as a result of an applied electric potential. In certain example implementations, a sense circuit may be provided which is responsive to a snapback event occurring in a memory cell to generate a feed back signal to initiate a change in an electric potential applied to the memory cell.

    摘要翻译： 本文公开的示例主题涉及用于其中的装置和/或装置和/或其中使用的各种方法，其中响应于确定发生了快速恢复事件已经发生并随后改变电路的电位的应用 在电路中。 例如，电路可以包括作为所施加的电势的结果可能经历回跳事件的存储器单元。 在某些示例实现中，可以提供感测电路，其响应于在存储器单元中发生的快速恢复事件以产生反馈信号，以启动施加到存储器单元的电位的变化。