公开(公告)号：US07695765B1

公开(公告)日：2010-04-13

申请号：US10987208

申请日：2004-11-12

申请人： Keith Fox ,  Carole Mars ,  Willis Kirkpatrick ,  Easwar Srinivasan

发明人： Keith Fox ,  Carole Mars ,  Willis Kirkpatrick ,  Easwar Srinivasan

IPC分类号： C23C16/40

CPC分类号： C23C16/401 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31633

摘要： Methods of preparing a carbon doped oxide (CDO) layer with a low dielectric constant (

摘要翻译： 提供了制备具有低介电常数（<3.2）和低残余应力的碳掺杂氧化物（CDO）层的方法，而不牺牲重要的积分性质如折射率和蚀刻速率。 所述方法包括例如向沉积室提供衬底并将其暴露于TMSA，然后使用具有高和低频分量或仅一个频率分量的射频功率点火和保持沉积室中的等离子体，并且将 其中所得介电层的净拉伸应力小于约40MPa，硬度至少约1GPa，SiC：SiOx键合比不大于约0.75。

公开(公告)号：US20090095220A1

公开(公告)日：2009-04-16

申请号：US12181927

申请日：2008-07-29

申请人： Henner Meinhold ,  Dan M. Doble ,  Stephen Lau ,  Vince Wilson ,  Easwar Srinivasan

发明人： Henner Meinhold ,  Dan M. Doble ,  Stephen Lau ,  Vince Wilson ,  Easwar Srinivasan

IPC分类号： B05C11/00

CPC分类号： C23C16/45572 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32724

摘要： A temperature controlled showerhead for chemical vapor deposition (CVD) chambers enhances heat dissipation to enable accurate temperature control with an electric heater. Heat dissipates by conduction through a showerhead stem and fluid passageway and radiation from a back plate. A temperature control system includes one or more temperature controlled showerheads in a CVD chamber with fluid passageways serially connected to a heat exchanger.

摘要翻译： 用于化学气相沉积（CVD）室的温度控制喷头增强了散热，从而能够使用电加热器进行精确的温度控制。 散热通过喷头杆和流体通道的传导以及来自背板的辐射而消散。 温度控制系统包括在CVD室中的一个或多个温度控制的喷头，其中流体通道串联连接到热交换器。

公开(公告)号：US07265061B1

公开(公告)日：2007-09-04

申请号：US10800377

申请日：2004-03-11

申请人： Seon-Mee Cho ,  Easwar Srinivasan ,  Brian G. Lu ,  David Mordo

发明人： Seon-Mee Cho ,  Easwar Srinivasan ,  Brian G. Lu ,  David Mordo

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： C23C16/56 ,  C23C16/401 ,  H01L21/3105

摘要： Methods and apparatus for preparing a porous low-k dielectric material on a substrate are provided. The methods optionally involve the use of ultraviolet radiation to react with and remove porogen from a porogen containing precursor film leaving a porous dielectric matrix and further exposing the dielectric matrix to ultraviolet radiation to increase the mechanical strength of the dielectric matrix. Some methods involve activating a gas to create reactive gas species that can clean a reaction chamber. One disclosed apparatus includes an array of multiple ultraviolet sources that can be controlled such that different wavelengths of light can be used to irradiate a sample at a time.

摘要翻译： 提供了在基板上制备多孔低k电介质材料的方法和装置。 所述方法任选地包括使用紫外线辐射与来自含致孔剂的前体膜反应并从其中除去致孔剂，留下多孔电介质基质，并进一步将电介质基质暴露于紫外线辐射以增加电介质基质的机械强度。 一些方法包括激活气体以产生可以清洁反应室的反应性气体物质。 一种公开的装置包括可以被控制的多个紫外光源的阵列，使得可以一次使用不同波长的光来照射样品。

公开(公告)号：US20110256726A1

公开(公告)日：2011-10-20

申请号：US13084399

申请日：2011-04-11

申请人： Adrien LaVoie ,  Shankar Swaminathan ,  Hu Kang ,  Ramesh Chandrasekharan ,  Tom Dorsh ,  Dennis M. Hausmann ,  Jon Henri ,  Thomas Jewell ,  Ming Li ,  Bryan Schlief ,  Antonio Xavier ,  Thomas W. Mountsier ,  Bart J. van Schravendijk ,  Easwar Srinivasan ,  Mandyam Sriram

发明人： Adrien LaVoie ,  Shankar Swaminathan ,  Hu Kang ,  Ramesh Chandrasekharan ,  Tom Dorsh ,  Dennis M. Hausmann ,  Jon Henri ,  Thomas Jewell ,  Ming Li ,  Bryan Schlief ,  Antonio Xavier ,  Thomas W. Mountsier ,  Bart J. van Schravendijk ,  Easwar Srinivasan ,  Mandyam Sriram

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/31 ,  H01L21/306 ,  C23F1/02 ,  B05C5/00 ,  B32B38/08

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/045 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76837 ,  H01L21/76898

摘要： Methods of depositing a film on a substrate surface include surface mediated reactions in which a film is grown over one or more cycles of reactant adsorption and reaction. In one aspect, the method is characterized by the following operations: (a) exposing the substrate surface to a first reactant in vapor phase under conditions allowing the first reactant to adsorb onto the substrate surface; (b) exposing the substrate surface to a second reactant in vapor phase while the first reactant is adsorbed on the substrate surface; and (c) exposing the substrate surface to plasma to drive a reaction between the first and second reactants adsorbed on the substrate surface to form the film.

摘要翻译： 在基材表面上沉积膜的方法包括表面介导的反应，其中膜在反应物吸附和反应的一个或多个循环上生长。 在一个方面，该方法的特征在于以下操作：（a）在允许第一反应物吸附到基底表面上的条件下，将气相底物表面暴露于第一反应物; （b）当所述第一反应物吸附在所述基材表面上时，将所述基材表面暴露于气相中的第二反应物; 和（c）将衬底表面暴露于等离子体以驱动吸附在衬底表面上的第一和第二反应物之间的反应以形成膜。

公开(公告)号：US07906174B1

公开(公告)日：2011-03-15

申请号：US11608056

申请日：2006-12-07

申请人： Qingguo Wu ,  Easwar Srinivasan ,  Dan Vitkavage

发明人： Qingguo Wu ,  Easwar Srinivasan ,  Dan Vitkavage

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02348

摘要： Methods of preparing low-k carbon-doped oxide (CDO) films having high mechanical strength are provided. The methods involve contacting the substrate with a CDO precursor to deposit the film typically using a plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method. After the film is deposited, it is exposed to ultraviolet radiation in a manner that increases cross-linking and/or lowers the dielectric constant of the film. The resulting films have ultra-low dielectric constants, e.g., about 2.5, but also high mechanical strength, e.g., a modulus of at least about 7.5 GPa. In certain embodiments, a single hydrocarbon precursor is used, resulting in an improved process for obtaining ULK films that does not require dual (porogen and backbone) precursors.

摘要翻译： 提供了制备具有高机械强度的低k碳掺杂氧化物（CDO）膜的方法。 所述方法包括使基底与CDO前体接触，以使用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法沉积薄膜。 在膜沉积之后，以增加交联和/或降低膜的介电常数的方式暴露于紫外线辐射。 所得膜具有超低介电常数，例如约2.5，但也具有高机械强度，例如至少约7.5GPa的模量。 在某些实施方案中，使用单一烃前体，导致获得不需要双重（致孔剂和主链）前体的ULK膜的改进方法。

公开(公告)号：US07622400B1

公开(公告)日：2009-11-24

申请号：US10849568

申请日：2004-05-18

申请人： Keith Fox ,  Easwar Srinivasan ,  David Mordo ,  Qingguo Wu

发明人： Keith Fox ,  Easwar Srinivasan ,  David Mordo ,  Qingguo Wu

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/76801 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31629 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76826

摘要： Methods of forming a dielectric layer having a low dielectric constant and high mechanical strength are provided. The methods involve depositing a sub-layer of the dielectric material on a substrate, followed by treating the sub-layer with a plasma. The process of depositing and plasma treating the sub-layers is repeated until a desired thickness has been reached.

摘要翻译： 提供了形成具有低介电常数和高机械强度的介电层的方法。 所述方法包括将电介质材料的子层沉积在衬底上，随后用等离子体处理子层。 重复沉积和等离子体处理子层的过程，直到达到所需的厚度。

公开(公告)号：US20090095219A1

公开(公告)日：2009-04-16

申请号：US11974966

申请日：2007-10-16

申请人： Henner Meinhold ,  Dan M. Doble ,  Stephen Lau ,  Vince Wilson ,  Easwar Srinivasan

发明人： Henner Meinhold ,  Dan M. Doble ,  Stephen Lau ,  Vince Wilson ,  Easwar Srinivasan

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45572

摘要： A temperature controlled showerhead for chemical vapor deposition (CVD) chambers enhances heat dissipation to enable accurate temperature control with an electric heater. Heat dissipates by conduction through a showerhead stem and fluid passageway and radiation from a back plate. A temperature control system includes one or more temperature controlled showerheads in a CVD chamber with fluid passageways serially connected to a heat exchanger.

摘要翻译： 用于化学气相沉积（CVD）室的温度控制喷头增强了散热，从而能够使用电加热器进行精确的温度控制。 散热通过喷头杆和流体通道的传导以及来自背板的辐射而消散。 温度控制系统包括在CVD室中的一个或多个温度控制的喷头，其中流体通道串联连接到热交换器。

公开(公告)号：US08137467B2

公开(公告)日：2012-03-20

申请号：US11974966

申请日：2007-10-16

申请人： Henner Meinhold ,  Dan M. Doble ,  Stephen Lau ,  Vince Wilson ,  Easwar Srinivasan

发明人： Henner Meinhold ,  Dan M. Doble ,  Stephen Lau ,  Vince Wilson ,  Easwar Srinivasan

IPC分类号： C23C16/52 ,  C23F1/00 ,  H01L21/306 ,  C23C16/06 ,  C23C16/22

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45572

摘要： A temperature controlled showerhead for chemical vapor deposition (CVD) chambers enhances heat dissipation to enable accurate temperature control with an electric heater. Heat dissipates by conduction through a showerhead stem and fluid passageway and radiation from a back plate. A temperature control system includes one or more temperature controlled showerheads in a CVD chamber with fluid passageways serially connected to a heat exchanger.

摘要翻译： 用于化学气相沉积（CVD）室的温度控制喷头增强了散热，从而能够使用电加热器进行精确的温度控制。 散热通过喷头杆和流体通道的传导以及来自背板的辐射而消散。 温度控制系统包括在CVD室中的一个或多个温度控制的喷头，其中流体通道串联连接到热交换器。

公开(公告)号：US08043667B1

公开(公告)日：2011-10-25

申请号：US12566514

申请日：2009-09-24

申请人： Ananda K. Bandyopadhyay ,  Seon-Mee Cho ,  Haiying Fu ,  Easwar Srinivasan ,  David Mordo

发明人： Ananda K. Bandyopadhyay ,  Seon-Mee Cho ,  Haiying Fu ,  Easwar Srinivasan ,  David Mordo

IPC分类号： B05D3/02 ,  B05D3/06

CPC分类号： H01L21/31633 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31695

摘要： Methods and apparatus for improving mechanical properties of a dielectric film on a substrate are provided. In some embodiments, the dielectric film is a carbon-doped oxide (CDO). The methods involve the use of modulated ultraviolet radiation to increase the mechanical strength while limiting shrinkage and limiting any increases in the dielectric constant of the film. Methods improve film hardness, modulus and cohesive strength, which provide better integration capability and improved performance in the subsequent device fabrication procedures such as chemical mechanical polishing (CMP) and packaging.

摘要翻译： 提供了用于提高基板上的电介质膜的机械特性的方法和装置。 在一些实施例中，电介质膜是碳掺杂氧化物（CDO）。 这些方法涉及使用调制的紫外线辐射来增加机械强度，同时限制收缩并限制膜的介电常数的任何增加。 方法可提高膜的硬度，模量和内聚强度，从而在随后的装置制造程序如化学机械抛光（CMP）和包装中提供更好的整合能力和改进的性能。

公开(公告)号：US08728956B2

公开(公告)日：2014-05-20

申请号：US13084399

申请日：2011-04-11

申请人： Adrien LaVoie ,  Shankar Swaminathan ,  Hu Kang ,  Ramesh Chandrasekharan ,  Tom Dorsh ,  Dennis M. Hausmann ,  Jon Henri ,  Thomas Jewell ,  Ming Li ,  Bryan Schlief ,  Antonio Xavier ,  Thomas W. Mountsier ,  Bart J. van Schravendijk ,  Easwar Srinivasan ,  Mandyam Sriram

发明人： Adrien LaVoie ,  Shankar Swaminathan ,  Hu Kang ,  Ramesh Chandrasekharan ,  Tom Dorsh ,  Dennis M. Hausmann ,  Jon Henri ,  Thomas Jewell ,  Ming Li ,  Bryan Schlief ,  Antonio Xavier ,  Thomas W. Mountsier ,  Bart J. van Schravendijk ,  Easwar Srinivasan ,  Mandyam Sriram

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/045 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76837 ,  H01L21/76898

摘要： Methods of depositing a film on a substrate surface include surface mediated reactions in which a film is grown over one or more cycles of reactant adsorption and reaction. In one aspect, the method is characterized by the following operations: (a) exposing the substrate surface to a first reactant in vapor phase under conditions allowing the first reactant to adsorb onto the substrate surface; (b) exposing the substrate surface to a second reactant in vapor phase while the first reactant is adsorbed on the substrate surface; and (c) exposing the substrate surface to plasma to drive a reaction between the first and second reactants adsorbed on the substrate surface to form the film.

摘要翻译： 在基材表面上沉积膜的方法包括表面介导的反应，其中膜在反应物吸附和反应的一个或多个循环上生长。 在一个方面，该方法的特征在于以下操作：（a）在允许第一反应物吸附到基底表面上的条件下，将气相底物表面暴露于第一反应物; （b）当所述第一反应物吸附在所述基材表面上时，将所述基材表面暴露于气相中的第二反应物; 和（c）将衬底表面暴露于等离子体以驱动吸附在衬底表面上的第一和第二反应物之间的反应以形成膜。