公开(公告)号：US20070252526A1

公开(公告)日：2007-11-01

申请号：US11820855

申请日：2007-06-21

申请人： Bruce Aitken ,  Chong An ,  Mark Quesada

发明人： Bruce Aitken ,  Chong An ,  Mark Quesada

IPC分类号： H01J1/62 ,  B05D3/02

CPC分类号： C23C14/06 ,  C03C3/247 ,  C03C8/24 ,  C03C17/3615 ,  C03C17/3649 ,  C03C17/3671 ,  C03C17/3678 ,  H01L51/5253

摘要： A sealing method for decreasing the time it takes to hermetically seal a device and the resulting hermetically sealed device (e.g., a hermetically sealed OLED device) are described herein. The sealing method includes the steps of: (1) cooling an un-encapsulated device; (2) depositing a sealing material over at least a portion of the cooled device to form an encapsulated device; and (3) heat treating the encapsulated device to form a hermetically sealed device. In one embodiment, the sealing material is a low liquidus temperature inorganic (LLT) material such as, for example, tin-fluorophosphate glass, tungsten-doped tin fluorophosphate glass, chalcogenide glass, tellurite glass, borate glass and phosphate glass. In another embodiment, the sealing material is a Sn2+-containing inorganic oxide material such as, for example, SnO, SnO+P2O5 and SnO+BPO4.

摘要翻译： 这里描述了用于减少密封装置所需的时间和所得的密封装置（例如，气密密封的OLED装置）的密封方法。 密封方法包括以下步骤：（1）冷却未封装的装置; （2）在冷却装置的至少一部分上沉积密封材料以形成封装装置; 和（3）对封装的装置进行热处理以形成密封装置。 在一个实施方案中，密封材料是低液相线温度无机（LLT）材料，例如锡 - 氟磷酸盐玻璃，掺杂钨的锡氟磷酸盐玻璃，硫族化物玻璃，碲酸盐玻璃，硼酸盐玻璃和磷酸盐玻璃。 在另一个实施方案中，密封材料是含Sn 2+的无机氧化物材料，例如SnO，SnO + P 2 O 5， SUB>和SnO + BPO 4 。

公开(公告)号：US20120253045A1

公开(公告)日：2012-10-04

申请号：US13453668

申请日：2012-04-23

申请人： Xike Gao ,  Chong-an Di ,  Daoben Zhu ,  Yunqi Liu ,  Hongxiang Li ,  Biao Jiang

发明人： Xike Gao ,  Chong-an Di ,  Daoben Zhu ,  Yunqi Liu ,  Hongxiang Li ,  Biao Jiang

IPC分类号： C07D495/22

CPC分类号： H01L51/0053 ,  C07D495/22 ,  C09B57/08 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0558 ,  Y02E10/549

摘要： Sulfur containing heterocycle-fused naphthalenetetracarboxylic acid diimide derivatives represented by formula (I) are disclosed, in which, R1 and R2 are C1-C30 and C1-C12 linear alkyl or branched alkyl, respectively; R3 is H or halogen atom. The preparation method of the derivatives and the use thereof in manufacture of organic thin film field effect transistor or organic solar batteries are also disclosed.

摘要翻译： 公开了式（I）表示的含硫杂环稠合萘四甲酸二酰亚胺衍生物，其中R1和R2分别为C1-C30和C1-C12直链烷基或支链烷基; R3是H或卤素原子。 还公开了衍生物的制备方法及其在制造有机薄膜场效应晶体管或有机太阳能电池中的用途。

公开(公告)号：US08471021B2

公开(公告)日：2013-06-25

申请号：US13453668

申请日：2012-04-23

申请人： Xike Gao ,  Chong-an Di ,  Daoben Zhu ,  Yunqi Liu ,  Hongxiang Li ,  Biao Jiang

发明人： Xike Gao ,  Chong-an Di ,  Daoben Zhu ,  Yunqi Liu ,  Hongxiang Li ,  Biao Jiang

IPC分类号： C07D495/22 ,  H01L51/00 ,  H01L29/00

CPC分类号： H01L51/0053 ,  C07D495/22 ,  C09B57/08 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0558 ,  Y02E10/549

摘要： Sulfur containing heterocycle-fused naphthalenetetracarboxylic acid diimide derivatives represented by formula (I) are disclosed, in which, R1 and R2 are C1-C30 and C1-C12 linear alkyl or branched alkyl, respectively; R3 is H or halogen atom. The preparation method of the derivatives and the use thereof in manufacture of organic thin film field effect transistor or organic solar batteries are also disclosed.

摘要翻译： 公开了式（I）表示的含硫杂环稠合萘四甲酸二酰亚胺衍生物，其中R1和R2分别为C1-C30和C1-C12直链烷基或支链烷基; R3是H或卤素原子。 还公开了衍生物的制备方法及其在制造有机薄膜场效应晶体管或有机太阳能电池中的用途。

公开(公告)号：US20050031970A1

公开(公告)日：2005-02-10

申请号：US10900757

申请日：2004-07-27

申请人： Chong An ,  Charlene Smith

发明人： Chong An ,  Charlene Smith

IPC分类号： G01N21/33 ,  G03F7/20 ,  G03F9/00

CPC分类号： G03F7/70958 ,  G01N21/33

摘要： The invention is directed to a method for determining metal fluoride crystals that are suitable for use in below 200 nm optical lithography by correlation of thermally stimulated current (TSC) measurements to fluence dependent transmission (FDT) measurements; and to metal fluoride crystals suitable for below 200 nm optical lithography, such crystals having a fluent dependent transmission slope that is linearly dependent on the thermally stimulated peak maximum. Crystals suitable for below 200 nm lithography can be determined by using the standard linear relationship between the TSC peak strengths and the FDT slopes without further more FDT measurements.

摘要翻译： 本发明涉及一种通过将受热刺激电流（TSC）测量与流量相关传输（FDT）测量相关联来确定适合用于低于200nm光刻的金属氟化物晶体的方法; 以及适合于低于200nm光刻的金属氟化物晶体，这种晶体具有与热刺激的峰值最大值线性相关的流动依赖的透射斜率。 可以通过使用TSC峰强度和FDT斜率之间的标准线性关系来确定适合于低于200nm光刻的晶体，而不需要进一步的FDT测量。