公开(公告)号：US08654564B2

公开(公告)日：2014-02-18

申请号：US13598994

申请日：2012-08-30

申请人： Donghun Kwak ,  Cheonan Lee

发明人： Donghun Kwak ,  Cheonan Lee

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C7/00 ,  G11C7/22

CPC分类号： G11C8/10 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/1677 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C13/0097 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/18 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/77

摘要： A resistive memory device comprises a memory cell array comprising a plurality of memory cells connected to a plurality of word lines and a plurality of bit lines, a row selector connected to the plurality of word lines, and a column selector connected to the plurality of bit lines. In a program or erase operation, the row selector provides a selected word line with program or erase pulse and a verification pulse in each of multiple program loops, wherein the verification pulse has a substantially fixed level through the program loops and the program or erase pulse has a negative value that decreases incrementally between successive program loops.

摘要翻译： 电阻式存储器件包括存储单元阵列，该存储单元阵列包括连接到多个字线和多个位线的多个存储器单元，连接到多个字线的行选择器以及连接到多个位的列选择器 线条。 在编程或擦除操作中，行选择器在多个程序循环中的每一个中为选定的字线提供编程或擦除脉冲和验证脉冲，其中验证脉冲通过程序循环和编程或擦除脉冲具有基本固定的电平 具有在连续程序循环之间逐渐减小的负值。

公开(公告)号：US20130208528A1

公开(公告)日：2013-08-15

申请号：US13598994

申请日：2012-08-30

申请人： DONGHUN KWAK ,  CHEONAN LEE

发明人： DONGHUN KWAK ,  CHEONAN LEE

IPC分类号： G11C11/21

CPC分类号： G11C8/10 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/1677 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C13/0097 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/18 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/77

摘要： A resistive memory device comprises a memory cell array comprising a plurality of memory cells connected to a plurality of word lines and a plurality of bit lines, a row selector connected to the plurality of word lines, and a column selector connected to the plurality of bit lines. In a program or erase operation, the row selector provides a selected word line with program or erase pulse and a verification pulse in each of multiple program loops, wherein the verification pulse has a substantially fixed level through the program loops and the program or erase pulse has a negative value that decreases incrementally between successive program loops.

摘要翻译： 电阻式存储器件包括存储单元阵列，该存储单元阵列包括连接到多个字线和多个位线的多个存储器单元，连接到多个字线的行选择器以及连接到多个位的列选择器 线条。 在编程或擦除操作中，行选择器在多个程序循环中的每一个中为选定的字线提供编程或擦除脉冲和验证脉冲，其中验证脉冲通过程序循环和编程或擦除脉冲具有基本固定的电平 具有在连续程序循环之间逐渐减小的负值。