公开(公告)号：US20110215425A1

公开(公告)日：2011-09-08

申请号：US12719697

申请日：2010-03-08

申请人： Wei-Yip Loh ,  Brian Coss ,  Kanghoon Jeon

发明人： Wei-Yip Loh ,  Brian Coss ,  Kanghoon Jeon

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66477 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/78

摘要： Horizontal and vertical tunneling field-effect transistors (TFETs) having an abrupt junction between source and drain regions increases probability of direct tunneling of carriers (e.g., electrons and holes). The increased probability allows a higher achievable on current in TFETs having the abrupt junction. The abrupt junction may be formed by placement of a dielectric layer or a dielectric layer and a semiconductor layer in a current path between the source and drain regions. The dielectric layer may be a low permittivity oxide such as silicon oxide, lanthanum oxide, zirconium oxide, or aluminum oxide.

摘要翻译： 在源极和漏极区之间具有突变结的水平和垂直隧道场效应晶体管（TFET）增加了载流子（例如，电子和空穴）的直接隧穿的概率。 增加的概率允许在具有突变结的TFET中更高的电流可实现。 可以通过在源极和漏极区域之间的电流路径中放置介电层或电介质层和半导体层来形成突变结。 电介质层可以是低介电常数氧化物，例如氧化硅，氧化镧，氧化锆或氧化铝。

公开(公告)号：US20100320510A1

公开(公告)日：2010-12-23

申请号：US12488569

申请日：2009-06-21

申请人： Wei-Yip Loh ,  Prashant Majhi ,  Brian Coss

发明人： Wei-Yip Loh ,  Prashant Majhi ,  Brian Coss

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/1037 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823871 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

摘要： A semiconductor structure may include a semiconductor bulk region with a gate stack on the semiconductor bulk region. The source region and the drain region in the semiconductor bulk region may be located on opposing sides of a channel region below the gate stack. An interfacial layer coupled to the channel region may modify a workfunction of a metal-semiconductor contact. In a MOSFET, the metal-semiconductor contact may be between a metal contact and the source region and the drain region. In a Schottky barrier-MOSFET, the metal-semiconductor contact may be between a silicide region in the source region and/or the drain region and the channel region. The interfacial layer may use a dielectric-dipole mitigated scheme and may include a conducting layer and a dielectric layer. The dielectric layer may include lanthanum oxide or aluminum oxide used to tune the workfunction of the metal-semiconductor contact.

摘要翻译： 半导体结构可以包括在半导体体区域上具有栅极堆叠的半导体本体区域。 半导体本体区域中的源极区域和漏极区域可以位于栅极叠层下方的沟道区域的相对侧上。 耦合到沟道区的界面层可以改变金属 - 半导体接触的功函数。 在MOSFET中，金属 - 半导体接触可以在金属接触件与源极区域和漏极区域之间。 在肖特基势垒MOSFET中，金属 - 半导体接触可以在源极区域和/或漏极区域和沟道区域中的硅化物区域之间。 界面层可以使用介电偶极减轻方案，并且可以包括导电层和电介质层。 电介质层可以包括用于调节金属 - 半导体接触的功函数的氧化镧或氧化铝。

公开(公告)号：US08436422B2

公开(公告)日：2013-05-07

申请号：US12719697

申请日：2010-03-08

申请人： Wei-Yip Loh ,  Brian Coss ,  Kanghoon Jeon

发明人： Wei-Yip Loh ,  Brian Coss ,  Kanghoon Jeon

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L29/66477 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/78

摘要： Horizontal and vertical tunneling field-effect transistors (TFETs) having an abrupt junction between source and drain regions increases probability of direct tunneling of carriers (e.g., electrons and holes). The increased probability allows a higher achievable on current in TFETs having the abrupt junction. The abrupt junction may be formed by placement of a dielectric layer or a dielectric layer and a semiconductor layer in a current path between the source and drain regions. The dielectric layer may be a low permittivity oxide such as silicon oxide, lanthanum oxide, zirconium oxide, or aluminum oxide.

公开(公告)号：US08178939B2

公开(公告)日：2012-05-15

申请号：US12488569

申请日：2009-06-21

申请人： Wei-Yip Loh ,  Prashant Majhi ,  Brian Coss

发明人： Wei-Yip Loh ,  Prashant Majhi ,  Brian Coss

IPC分类号： H01L29/47 ,  H01L29/788 ,  H01L29/94 ,  H01L29/76 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/1037 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823871 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

摘要： A semiconductor structure may include a semiconductor bulk region with a gate stack on the semiconductor bulk region. The source region and the drain region in the semiconductor bulk region may be located on opposing sides of a channel region below the gate stack. An interfacial layer coupled to the channel region may modify a workfunction of a metal-semiconductor contact. In a MOSFET, the metal-semiconductor contact may be between a metal contact and the source region and the drain region. In a Schottky barrier-MOSFET, the metal-semiconductor contact may be between a silicide region in the source region and/or the drain region and the channel region. The interfacial layer may use a dielectric-dipole mitigated scheme and may include a conducting layer and a dielectric layer. The dielectric layer may include lanthanum oxide or aluminum oxide used to tune the workfunction of the metal-semiconductor contact.

摘要翻译： 半导体结构可以包括在半导体体区域上具有栅极堆叠的半导体本体区域。 半导体本体区域中的源极区域和漏极区域可以位于栅极叠层下方的沟道区域的相对侧上。 耦合到沟道区的界面层可以改变金属 - 半导体接触的功函数。 在MOSFET中，金属 - 半导体接触可以在金属接触件与源极区域和漏极区域之间。 在肖特基势垒MOSFET中，金属 - 半导体接触可以在源极区域和/或漏极区域和沟道区域中的硅化物区域之间。 界面层可以使用介电偶极减轻方案，并且可以包括导电层和电介质层。 电介质层可以包括用于调节金属 - 半导体接触的功函数的氧化镧或氧化铝。