公开(公告)号：US06280898B1

公开(公告)日：2001-08-28

申请号：US09404763

申请日：1999-09-24

申请人： Koji Hasegawa ,  Tsunehiro Nishi ,  Takeshi Kinsho ,  Jun Hatakeyama ,  Osamu Watanabe

发明人： Koji Hasegawa ,  Tsunehiro Nishi ,  Takeshi Kinsho ,  Jun Hatakeyama ,  Osamu Watanabe

IPC分类号： G03F7004

CPC分类号： C07D307/00 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397

摘要： A novel lactone-containing compound is provided as well as a polymer comprising units of the compound. The polymer is used as a base resin to formulate a resist composition having a high sensitivity, resolution and etching resistance.

摘要翻译： 提供了含有新颖内酯的化合物以及包含化合物单元的聚合物。 聚合物用作基础树脂以配制具有高灵敏度，分辨率和耐蚀刻性的抗蚀剂组合物。

公开(公告)号：US20110033799A1

公开(公告)日：2011-02-10

申请号：US12850266

申请日：2010-08-04

申请人： Takeru Watanabe ,  Tsunehiro Nishi ,  Masashi Iio

发明人： Takeru Watanabe ,  Tsunehiro Nishi ,  Masashi Iio

IPC分类号： G03F7/20 ,  C08F24/00 ,  C08F20/04 ,  C08F20/10 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/70466 ,  C08F220/60 ,  C08F224/00 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/40

摘要： A pattern is formed by (1) coating a first positive resist composition onto a substrate, baking, patternwise exposing, PEB, and developing to form a first positive resist pattern including a large area feature, (2) applying a resist-modifying composition comprising a basic nitrogen-containing compound and heating to modify the first resist pattern, and (3) coating a second positive resist composition thereon, patternwise exposing, and developing to form a second resist pattern. The large area feature in the first resist pattern has a film retentivity of at least 50% after the second pattern formation.

摘要翻译： 通过（1）将第一正性抗蚀剂组合物涂布在基材上，烘烤，图案曝光，PEB和显影以形成包括大面积特征的第一正性抗蚀剂图案，（2）涂覆抗蚀剂改性组合物，形成图案，所述抗蚀剂改性组合物包含 碱性含氮化合物和加热以改性第一抗蚀剂图案，和（3）在其上涂覆第二正性抗蚀剂组合物，图案曝光和显影以形成第二抗蚀剂图案。 第一抗蚀剂图案中的大面积特征在第二图案形成之后具有至少50％的膜保持性。

公开(公告)号：US07727704B2

公开(公告)日：2010-06-01

申请号：US11773706

申请日：2007-07-05

申请人： Ryosuke Taniguchi ,  Tsunehiro Nishi ,  Tomohiro Kobayashi

发明人： Ryosuke Taniguchi ,  Tsunehiro Nishi ,  Tomohiro Kobayashi

IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  G03F7/38

CPC分类号： G03F7/0397 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/2041 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/12 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/126

摘要： In a positive resist composition comprising (A) a resin component which becomes soluble in an alkaline developer under the action of an acid and (B) a photoacid generator, component (A) is a polymer of formula (1) wherein R1 is H, methyl or trifluoromethyl, R2 and R3 are alkyl, R4 is a monovalent hydrocarbon group, X1 is O, S or CH2CH2, X2 is O, S, CH2 or CH2CH2, n is 1 or 2, a1, a2, c, d1 and d2 each are from 0 to less than 1, b is from 0.01 to less than 1, and a1+a2+b+c+d1+d2=1. The resist composition forms a pattern with high rectangularity at an enhanced resolution when processed by ArF lithography.

摘要翻译： 在包含（A）在酸的作用下变得可溶于碱性显影剂的树脂组分和（B）光酸产生剂的正型抗蚀剂组合物中，组分（A）是式（1）的聚合物，其中R 1是H， 甲基或三氟甲基，R2和R3是烷基，R4是一价烃基，X1是O，S或CH2CH2，X2是O，S，CH2或CH2CH2，n是1或2，a1，a2，c，d1和d2 各自为0至小于1，b为0.01至小于1，a1 + a2 + b + c + d1 + d2 = 1。 当通过ArF光刻处理时，抗蚀剂组合物以增强的分辨率形成具有高矩形性的图案。

公开(公告)号：US07691561B2

公开(公告)日：2010-04-06

申请号：US11773656

申请日：2007-07-05

申请人： Ryosuke Taniguchi ,  Tsunehiro Nishi ,  Tomohiro Kobayashi

发明人： Ryosuke Taniguchi ,  Tsunehiro Nishi ,  Tomohiro Kobayashi

IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  G03F7/38

CPC分类号： G03F7/0397 ,  Y10S430/108 ,  Y10S430/111

摘要： In a positive resist composition comprising (A) a resin component which becomes soluble in an alkaline developer under the action of an acid and (B) a photoacid generator, component (A) is a polymer of formula (1) wherein R1 is H, methyl or trifluoromethyl, R2 and R3 are alkyl, R4 is a monovalent hydrocarbon group, X1 is O, S or CH2CH2, X2 is O, S, CH2 or CH2CH2, n is 1 or 2, a and b each are from 0.01 to less than 1, c, d1 and d2 each are from 0 to less than 1, and a+b+c+d1+d2=1. The resist composition forms a pattern with high rectangularity at an enhanced resolution when processed by ArF lithography.

摘要翻译： 在包含（A）在酸的作用下变得可溶于碱性显影剂的树脂组分和（B）光酸产生剂的正型抗蚀剂组合物中，组分（A）是式（1）的聚合物，其中R 1是H， 甲基或三氟甲基，R 2和R 3是烷基，R 4是一价烃基，X 1是O，S或CH 2 CH 2，X 2是O，S，CH 2或CH 2 CH 2，n是1或2，a和b各自为0.01至少 1，c，d1和d2各自为0至小于1，a + b + c + d1 + d2 = 1。 当通过ArF光刻处理时，抗蚀剂组合物以增强的分辨率形成具有高矩形性的图案。

公开(公告)号：US07598015B2

公开(公告)日：2009-10-06

申请号：US11155605

申请日：2005-06-20

申请人： Seiichiro Tachibana ,  Takeru Watanabe ,  Tsunehiro Nishi

发明人： Seiichiro Tachibana ,  Takeru Watanabe ,  Tsunehiro Nishi

IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  G03F7/38 ,  G03C1/73

CPC分类号： C08F220/26 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/111

摘要： A (meth)acrylic copolymer is endowed with a good profile of rigidity and hydrophilicity by introducing not only polycyclic structure units, but also recurring units having a high polarity. A chemically amplified positive resist composition comprising the polymer has a high sensitivity, resolution and etch resistance and improved substrate adhesion and developer affinity.

摘要翻译： 通过不仅引入多环结构单元，还引入具有高极性的重复单元，（甲基）丙烯酸共聚物具有良好的刚性和亲水性。 包含该聚合物的化学放大型正性抗蚀剂组合物具有高灵敏度，分辨率和耐蚀刻性以及改进的底物粘附性和显影剂亲和性。

公开(公告)号：US20080124652A1

公开(公告)日：2008-05-29

申请号：US11984614

申请日：2007-11-20

申请人： Tsunehiro Nishi ,  Seiichiro Tachibana ,  Katsuhiro Kobayashi

发明人： Tsunehiro Nishi ,  Seiichiro Tachibana ,  Katsuhiro Kobayashi

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03C1/73

CPC分类号： G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111

摘要： A positive resist composition comprises (A) a resin component which becomes soluble in an alkaline developer under the action of an acid, and (B) an acid generator. The resin (A) is a polymer comprising tertiary alkyl protective group units having a hydrophobic tetracyclo[4.4.0.12,5.17,10]-dodecane structure, hydroxyadamantane units, monocyclic lactone units, and carboxylic acid units. The acid generator (B) is a specific sulfonium salt compound.

摘要翻译： 正型抗蚀剂组合物包含（A）在酸作用下变得可溶于碱性显影剂的树脂组分和（B）酸产生剂。 树脂（A）是包含具有疏水性四环[4.4.0.1 2,5,7,10-] - 十二烷结构的叔烷基保护基单元的聚合物，羟基金刚烷 单体，单环内酯单元和羧酸单元。 酸产生剂（B）是特定的锍盐化合物。

公开(公告)号：US20050058938A1

公开(公告)日：2005-03-17

申请号：US10936753

申请日：2004-09-09

申请人： Seiichiro Tachibana ,  Tsunehiro Nishi ,  Tomohiro Kobayashi

发明人： Seiichiro Tachibana ,  Tsunehiro Nishi ,  Tomohiro Kobayashi

IPC分类号： G03C1/76 ,  G03F7/039

CPC分类号： G03F7/0397 ,  Y10S430/111

摘要： A polymer comprising recurring units of formulae (1) to (4) wherein R1, R3, R4 and R7 are hydrogen or methyl, R2 is an acid labile group, R5 and R6 are hydrogen or hydroxyl, and R8 is a lactone structure group and having a Mw of 1,000-50,000 is provided. A resist composition comprising the inventive polymer has a sensitivity to high-energy radiation, improved resolution and etching resistance and lends itself to lithographic micropatterning with electron beams or deep UV.

摘要翻译： 包含式（1）至（4）的重复单元的聚合物，其中R 1，R 3，R 4和R 7为氢或甲基，R 2为酸不稳定基团，R 5和R 6是氢或羟基，R 8是内酯结构基团，其Mw为1,000-50,000。 包含本发明聚合物的抗蚀剂组合物对高能量辐射具有敏感性，改进的分辨率和耐蚀刻性，并且使其自身适用于具有电子束或深紫外线的光刻微图案。

公开(公告)号：US06653044B2

公开(公告)日：2003-11-25

申请号：US09760716

申请日：2001-01-17

申请人： Takanobu Takeda ,  Osamu Watanabe ,  Jun Watanabe ,  Jun Hatakeyama ,  Tsunehiro Nishi ,  Takeshi Kinsho

发明人： Takanobu Takeda ,  Osamu Watanabe ,  Jun Watanabe ,  Jun Hatakeyama ,  Tsunehiro Nishi ,  Takeshi Kinsho

IPC分类号： C07C6974

CPC分类号： G03F7/0045 ,  G03F7/039 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/11

摘要： A chemical amplification type resist composition uses as the base resin a polymer having a molecular weight dispersity of 1.0 to 1.5 which is a polymer comprising recurring units of formula (1) and recurring units of formula (2) or a polymer comprising recurring units of formula (2) wherein R1 is alkyl, alkoxyalkyl, acetyl or carbonylalkoxy, 0

摘要翻译： 化学放大型抗蚀剂组合物使用分子量分布为1.0〜1.5的聚合物作为基础树脂，其为包含式（1）的重复单元和式（2）的重复单元的聚合物或包含式 （2）其中R 1是烷基，烷氧基烷基，乙酰基或羰基烷氧基，0

公开(公告)号：US06605408B2

公开(公告)日：2003-08-12

申请号：US09832919

申请日：2001-04-12

申请人： Tsunehiro Nishi ,  Takeshi Kinsho ,  Shigehiro Nagura ,  Tomohiro Kobayashi ,  Satoshi Watanabe

发明人： Tsunehiro Nishi ,  Takeshi Kinsho ,  Shigehiro Nagura ,  Tomohiro Kobayashi ,  Satoshi Watanabe

IPC分类号： C08F200

CPC分类号： G03F7/0395 ,  C08G61/06 ,  C08G61/08 ,  G03F7/0397

摘要： A hydrogenated product of a ring-opening metathesis polymer comprising structural units as shown below has improved heat resistance, pyrolysis resistance and light transmission and is suited as a photoresist for semiconductor microfabrication using UV or deep-UV. A resist composition comprising the polymer as a base resin is sensitive to high-energy radiation and has excellent sensitivity, resolution, and etching resistance.

公开(公告)号：US08426105B2

公开(公告)日：2013-04-23

申请号：US12786759

申请日：2010-05-25

申请人： Takeru Watanabe ,  Masashi Iio ,  Kazuhiro Katayama ,  Jun Hatakeyama ,  Tsunehiro Nishi ,  Takeshi Kinsho

发明人： Takeru Watanabe ,  Masashi Iio ,  Kazuhiro Katayama ,  Jun Hatakeyama ,  Tsunehiro Nishi ,  Takeshi Kinsho

IPC分类号： G03F7/004

CPC分类号： G03F7/0397 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/40

摘要： A patterning process includes (1) coating a first positive resist composition onto a substrate, baking, exposing, post-exposure baking, and alkali developing to form a first resist pattern, (2) coating a resist-modifying composition onto the first resist pattern and heating to effect modifying treatment, and (3) coating a second positive resist composition, baking, exposing, post-exposure baking, and alkali developing to form a second resist pattern. The resist-modifying composition comprises a carbamate compound and a solvent.

摘要翻译： 图案化工艺包括（1）将第一正性抗蚀剂组合物涂覆在基材上，烘烤，曝光，曝光后烘烤和碱显影以形成第一抗蚀剂图案，（2）将抗蚀剂改性组合物涂覆到第一抗蚀剂图案上 加热进行改性处理，（3）涂布第二正性抗蚀剂组合物，烘烤，曝光，曝光后烘烤和碱显影以形成第二抗蚀剂图案。 抗蚀剂改性组合物包含氨基甲酸酯化合物和溶剂。