公开(公告)号：US20120252996A1

公开(公告)日：2012-10-04

申请号：US13394896

申请日：2010-05-05

申请人： Jin Ku Cho ,  Sang Yong Kim ,  Do Hoon Lee ,  Bo Ra Kim ,  Baek Jin Kim ,  Jae Won Jung ,  Sang Hyeup Lee ,  Jae Soung Lee

发明人： Jin Ku Cho ,  Sang Yong Kim ,  Do Hoon Lee ,  Bo Ra Kim ,  Baek Jin Kim ,  Jae Won Jung ,  Sang Hyeup Lee ,  Jae Soung Lee

IPC分类号： C09J171/00 ,  C08G65/22 ,  C08G59/00 ,  C07D493/08 ,  C08F24/00

CPC分类号： C07D493/08 ,  A61K31/06 ,  C08F2/48 ,  C08G59/04

摘要： The present invention relates to a curable bicyclic compound derived from biomass, solvent-free curable composition and a method for preparing thereof. The curable compound derived from biomass according to the invention comprises a bicycle structure, to which one of two epoxide functional groups are bonded.

摘要翻译： 本发明涉及一种衍生自生物质的可固化双环化合物，无溶剂的可固化组合物及其制备方法。 根据本发明的由生物质得到的可固化化合物包含两个环氧官能团之一键合的自行车结构。

公开(公告)号：US07879735B2

公开(公告)日：2011-02-01

申请号：US11656470

申请日：2007-01-23

申请人： Sang-Yong Kim ,  Chang-Ki Hong ,  Woo-Gwan Shim

发明人： Sang-Yong Kim ,  Chang-Ki Hong ,  Woo-Gwan Shim

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/02063

摘要： A cleaning solution and methods of fabricating semiconductor devices using the same are provided. A cleaning solution used for cleaning a silicon surface and methods of fabricating a semiconductor device using the same are also provided. The cleaning solution may include 0.01 to 1 wt % of fluoric acid, 20 to 50 wt % of oxidizer and 50 to 80 wt % of water. The cleaning solution may further include 1 to 20 wt % of acetic acid. The cleaning solution may be used to clean a silicon surface exposed during fabrication processes of a semiconductor device. The cleaning solution may reduce damage of other material layers (e.g., a tungsten layer or a silicon oxide layer) and enable the silicon surface to be selectively etched.

摘要翻译： 提供一种清洁溶液和使用其制造半导体器件的方法。 还提供了用于清洁硅表面的清洁溶液以及使用其制造半导体器件的方法。 清洗液可以含有0.01〜1重量％的氟酸，20〜50重量％的氧化剂和50〜80重量％的水。 清洗溶液还可以含有1〜20重量％的乙酸。 清洁溶液可用于清洁在半导体器件的制造工艺期间暴露的硅表面。 清洁溶液可以减少其它材料层（例如，钨层或氧化硅层）的损伤，并且能够选择性地蚀刻硅表面。

公开(公告)号：US07562662B2

公开(公告)日：2009-07-21

申请号：US11736260

申请日：2007-04-17

申请人： Sang-Yong Kim ,  Sang-Jun Choi ,  Chang-Ki Hong

发明人： Sang-Yong Kim ,  Sang-Jun Choi ,  Chang-Ki Hong

IPC分类号： B08B3/04 ,  B08B3/08 ,  C11D1/00 ,  C11D3/02 ,  C11D3/24

CPC分类号： C23F1/16 ,  C11D3/042 ,  C11D7/08 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814

摘要： A cleaning method for removing foreign bodies during the fabrication of semiconductor devices including treating a substrate with a cleaning solution including an oxidizer to form a chemical oxide layer and then removing the chemical oxide layer, thereby removing foreign bodies from a surface of the semiconductor substrate. Accordingly, the foreign bodies can be substantially removed from the surface of the substrate without corroding a metal.

摘要翻译： 一种用于在制造半导体器件期间去除异物的清洁方法，包括用包括氧化剂的清洁溶液处理基底以形成化学氧化物层，然后除去化学氧化物层，从而从半导体衬底的表面去除异物。 因此，异物可以基本上从基板的表面除去而不会腐蚀金属。

公开(公告)号：US07449417B2

公开(公告)日：2008-11-11

申请号：US11489494

申请日：2006-07-20

申请人： Sang-Yong Kim ,  Chang-Ki Hong ,  Woo-Gwan Shim

发明人： Sang-Yong Kim ,  Chang-Ki Hong ,  Woo-Gwan Shim

IPC分类号： H01L21/461

CPC分类号： C11D11/0047 ,  C11D7/02 ,  C11D7/08 ,  C11D7/10 ,  C11D7/265 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02063

摘要： There are provided a cleaning solution for a silicon surface containing a buffer solution including acetic acid (CH3COOH) and ammonium acetate (CH3COONH4), iodine oxidizer, hydrofluoric acid (HF), and water. In a method for fabricating a semiconductor device, a silicon substrate may have an exposed silicon surface, which may be cleaned using a cleaning solution that contains a buffer solution including acetic acid and ammonium acetate, iodine oxidizer, hydrofluoric acid, and water.

摘要翻译： 提供了含有含有乙酸（CH 3 COOH）和乙酸铵（CH 3 COCO 4）的缓冲溶液的硅表面的清洗溶液 >），碘氧化剂，氢氟酸（HF）和水。 在制造半导体器件的方法中，硅衬底可以具有暴露的硅表面，其可以使用包含含有乙酸和乙酸铵，碘氧化剂，氢氟酸和水的缓冲溶液的清洁溶液进行清洁。

公开(公告)号：US20080160743A1

公开(公告)日：2008-07-03

申请号：US11941178

申请日：2007-11-16

申请人： Hyo-san LEE ,  Sang-yong KIM ,  Chang-ki HONG ,  Woo-gwan SHIM ,  Jeong-nam HAN

发明人： Hyo-san LEE ,  Sang-yong KIM ,  Chang-ki HONG ,  Woo-gwan SHIM ,  Jeong-nam HAN

IPC分类号： H01L21/283

CPC分类号： H01L21/02071 ,  C11D3/042 ,  C11D3/046 ,  C11D3/2075 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/0206 ,  H01L29/40117

摘要： Provided are a substrate cleaning composition including a fluoride compound, an inorganic acid, and deionized water, and a method of forming a gate using the same. The fluoride compound is one of HF, NH4F, and a combination thereof, and the inorganic acid is one of HNO3, HCl, HCIO4, H2SO4, or H5IO6. The substrate cleaning composition removes polymer by-products generated by etching a metal layer for forming a gate, but not other layers.

摘要翻译： 提供了包含氟化物，无机酸和去离子水的基板清洗组合物，以及使用其形成栅极的方法。 氟化合物是HF，NH 4 F及其组合中的一种，无机酸是HNO 3，HCl，HCIO 4， H 2 SO 2，或H 5 O 6 6，或H 5 O 6。 基板清洁组合物除去通过蚀刻用于形成栅极的金属层而不是其它层而产生的聚合物副产物。

公开(公告)号：US07230293B2

公开(公告)日：2007-06-12

申请号：US11061215

申请日：2005-02-18

申请人： Sang-yong Kim ,  Kun-tack Lee ,  Yong-pil Han

发明人： Sang-yong Kim ,  Kun-tack Lee ,  Yong-pil Han

IPC分类号： H01L31/119 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

摘要： A semiconductor memory device is provided, including a substrate and storage nodes formed on the substrate from a silicon oxide layer, the layer having been substantially removed by wet etching the silicon oxide layer to a predetermined depth of the storage nodes and dry etching the remaining portion of the silicon oxide layer to expose the storage nodes.

摘要翻译： 提供一种半导体存储器件，其包括基底和从氧化硅层形成在衬底上的存储节点，该层已通过将氧化硅层湿式蚀刻至存储节点的预定深度而基本上除去，并干蚀刻其余部分 的氧化硅层以暴露存储节点。

公开(公告)号：US07216653B2

公开(公告)日：2007-05-15

申请号：US11502011

申请日：2006-08-10

申请人： Sang-Yong Kim ,  Sang-Jun Choi ,  Chang-Ki Hong

发明人： Sang-Yong Kim ,  Sang-Jun Choi ,  Chang-Ki Hong

IPC分类号： B08B3/04 ,  B08B3/08 ,  C11D1/00 ,  C11D3/02 ,  C11D3/24

CPC分类号： C23F1/16 ,  C11D3/042 ,  C11D7/08 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814

摘要： A cleaning method for removing foreign bodies during the fabrication of semiconductor devices including treating a substrate with a cleaning solution including an oxidizer to form a chemical oxide layer and then removing the chemical oxide layer, thereby removing foreign bodies from a surface of the semiconductor substrate. Accordingly, the foreign bodies can be substantially removed from the surface of the substrate without corroding a metal.

摘要翻译： 一种用于在制造半导体器件期间去除异物的清洁方法，包括用包括氧化剂的清洁溶液处理基底以形成化学氧化物层，然后除去化学氧化物层，从而从半导体衬底的表面去除异物。 因此，异物可以基本上从基板的表面除去而不会腐蚀金属。

公开(公告)号：US07098135B2

公开(公告)日：2006-08-29

申请号：US10703328

申请日：2003-11-07

申请人： Seung-pil Chung ,  Chang-jin Kang ,  Jeong-sic Jeon ,  Kyeong-koo Chi ,  Seung-young Son ,  Sang-yong Kim

发明人： Seung-pil Chung ,  Chang-jin Kang ,  Jeong-sic Jeon ,  Kyeong-koo Chi ,  Seung-young Son ,  Sang-yong Kim

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L27/10885 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76831 ,  H01L27/10888 ,  H01L27/10891

摘要： A semiconductor device including a bit line formed using a damascene technique and a method of fabricating the same. The method includes forming an insulating layer on a substrate, forming a groove by etching the insulating layer to a partial depth, and forming spacers on the inner walls of the groove. An opening is formed by etching the insulating layer disposed under the groove using the spacers as an etch mask. A conductive layer is formed to fill the opening. A capping layer is formed to fill the groove.

摘要翻译： 一种包括使用镶嵌技术形成的位线的半导体器件及其制造方法。 该方法包括在基板上形成绝缘层，通过将绝缘层蚀刻到局部深度形成沟槽，并在槽的内壁上形成间隔物。 通过使用间隔物作为蚀刻掩模蚀刻设置在凹槽下方的绝缘层来形成开口。 形成导电层以填充开口。 形成覆盖层以填充凹槽。

公开(公告)号：US20060189064A1

公开(公告)日：2006-08-24

申请号：US11329577

申请日：2006-01-11

申请人： Woo-Gwan Shim ,  Jung-Min Oh ,  Chang-Ki Hong ,  Sang-Jun Choi ,  Sang-Yong Kim

发明人： Woo-Gwan Shim ,  Jung-Min Oh ,  Chang-Ki Hong ,  Sang-Jun Choi ,  Sang-Yong Kim

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L27/10852

摘要： Provided is a method of manufacturing a capacitor of a semiconductor device, which can prevent tilting or an electrical short of a lower electrode. In the method, a mesh-type bridge insulating layer is formed above the contact plug on a mold oxide layer. The mold oxide layer and the bridge insulating layer are etched to define an electrode region. The mold oxide layer is removed using an etching gas having an etch selectivity of 500 or greater for the mold oxide layer with respect to the bridge insulating layer.

摘要翻译： 提供一种制造半导体器件的电容器的方法，其可以防止下电极的倾斜或电短路。 在该方法中，在模具氧化物层上的接触插塞上方形成网状桥接绝缘层。 蚀刻模具氧化物层和桥接绝缘层以限定电极区域。 使用相对于桥接绝缘层的模具氧化物层的蚀刻选择性为500以上的蚀刻气体去除模具氧化物层。

公开(公告)号：US07029509B2

公开(公告)日：2006-04-18

申请号：US10399062

申请日：2001-02-05

申请人： Sang-Yong Kim ,  Kwang-Ha Suh ,  Tae-Kyu Kim ,  Hwi-Jin Kim

发明人： Sang-Yong Kim ,  Kwang-Ha Suh ,  Tae-Kyu Kim ,  Hwi-Jin Kim

IPC分类号： C09G1/02 ,  C09G1/04 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/76229 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053

摘要： The present invention relates to a CMP (chemical mechanical polishing) slurry composition and a method for planarizing a semiconductor device. The CMP composition comprises fumed silica, tetramethyl ammonium hydroxide, phosphates, fluorine compounds and deionized water. The method of planarizing comprises the steps of etching, subsequently laminating and polishing a semiconductor device by said CMP slurry composition.

摘要翻译： 本发明涉及CMP（化学机械抛光）浆料组合物和用于平面化半导体器件的方法。 CMP组合物包括热解法二氧化硅，四甲基氢氧化铵，磷酸盐，氟化合物和去离子水。 平面化方法包括以下步骤：通过所述CMP浆料组合物蚀刻，随后层压和抛光半导体器件。