公开(公告)号：CN118103981A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202280069837.4

申请日：2022-09-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·赫克玛特绍塔巴里 ,  A·雷兹尼彻 ,  T·宁

IPC: H01L27/082 ,  H03F3/00 ,  G01N27/414 ,  H01L29/00

Abstract: 公开了达林顿对传感器。达林顿对传感器具有放大/水平双极结型晶体管(BJT)和传感/垂直BJT，可用作生物传感器。放大双极结型晶体管(BJT)水平设置在衬底上。放大BJT具有水平发射极(652)、水平基极(550)、水平集电极(654)和公共非本征基极/集电极(350)。公共非本征基极/集电极是放大BJT的外部基极。感测BJT相对于放BJT具有垂直方向。感测BJT具有垂直发射极(2950)、垂直基极(1650)、非本征垂直基极(2450)和公共非本征基极/集电极(350，与放大BJT一样)。公共非本征基极/集电极充当感测BJT集电极。非本征垂直基极分为左非本征垂直基极(2450L)和右非本征垂直基极(2450R)，使感测BJT具有两个分开的(双)基极：感测基极和控制基极。达林顿对传感器具有高原位信号放大、低噪声并有效利用衬底空间。

公开(公告)号：CN112262188B

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN201980039748.3

申请日：2019-06-11

Applicant: 安赛乐米塔尔公司

Inventor： 埃布尔·阿尔瓦雷斯-阿尔瓦雷斯 ,  奥斯卡·佩雷斯维达尔 ,  卡洛斯·哈维尔·罗德里格斯马丁内斯 ,  大卫·诺列加佩雷斯 ,  何塞·保利诺·费尔南德斯阿尔瓦雷斯

IPC: C09D163/00 ,  C09D133/02 ,  H01L29/00

Abstract: 本发明涉及直接涂覆有非导电底漆的金属基底，所述非导电底漆至少部分涂覆有涂料；用于制造这种经涂覆的金属基底的方法；用于检测应变变形的方法；以及所述经涂覆的金属基底的用途。

公开(公告)号：CN110911469B

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN201911319528.4

申请日：2019-12-19

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 宇文力辉 ,  温启瑞 ,  汪联辉 ,  仇球 ,  修尉峻 ,  代速来 ,  甘思钰 ,  肖航

IPC: H01L29/00 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种能够可控的制备MoS2‑Cu2WS4二维异质结材料的微波水相合成方法，该方法以亚铜化合物、硫代钨酸化合物作为反应前体，以氨水与巯基化合物作为配体，通过微波水相法在MoS2纳米片表面生长Cu2WS4纳米片，制备出不同尺寸的MoS2‑Cu2WS4二维异质结材料。该方法具有反应条件简单、可批量快速合成、可控性强等优点。通过本发明所制备的MoS2‑Cu2WS4二维异质结材料具有独特的光电性质，优异的光热性能，较高的比表面积，在生物医学与环境保护等领域具有潜在的应用价值。

公开(公告)号：CN114641675A

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN202080052812.4

申请日：2020-06-15

Applicant: 格里菲斯大学

Inventor： D·道 ,  T·迪斯

IPC: G01K7/16 ,  G01L1/18 ,  G01L9/00 ,  H01L23/00 ,  H01L29/00 ,  H01L31/00 ,  H01L35/00 ,  H01L41/00

Abstract: 一种传感平台包括半导体结，尤其是SiC/Si异质结，其中一对电极以间隔开的关系位于所述半导体结的上部层的表面上。所述传感平台包括在所述上部层的所述表面上方的光源，其用以照明包括所述电极中的一个的至少部分的所述半导体结的所述表面的部分，以通过半导体中的光伏效应在所述一对电极之间产生横向电位梯度。例如力和温度的参数是基于测量由于压阻效应和/或热阻效应引起的半导体材料的电阻的改变而被检测。外部电位差可施加在所述一对电极之间以产生调谐电流以调制所述半导体结中的所述压阻效应和所述热阻效应。所述传感平台用于高度灵敏力传感器和高度灵敏温度传感器。

公开(公告)号：CN113646612A

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN201980075833.5

申请日：2019-10-15

Applicant: TSI有限公司

Inventor： A·哈泽 ,  J·艾姆斯 ,  D·卡斯塔涅塔

IPC: G01F1/684 ,  G01F1/69 ,  G01F1/72 ,  G01P13/00 ,  G01F15/00 ,  G01F1/692 ,  H01L29/00 ,  G01F25/00

Abstract: 公开了一种用于确定导管中的流体的一个或多个流体流动性质的设备和方法。所述设备包括包含阻挡件的基板、耦合到基板的第一流量传感器和耦合到基板的第二流量传感器。所述第一流量传感器位于与第一阻挡表面相距第一传感器距离处，并且所述第二流量传感器位于与第二阻挡表面相距第二传感器距离处。所述第一传感器距离基本等于所述第二传感器距离。在操作中，所述第一流量传感器产生第一传感器信号，并且所述第二流量传感器产生第二传感器信号。通过将所述第一传感器信号与所述第二传感器信号进行比较来确定所述流体的流动方向。

公开(公告)号：CN107924810A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680050296.5

申请日：2016-08-31

Applicant: 南洋理工大学 ,  麻省理工学院

Inventor： 李光雄 ,  李永坚 ,  陈全胜 ,  尤金·A.·菲兹拉德 ,  阮越强

IPC: H01L21/00 ,  H01L27/00 ,  H01L29/00

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/76256 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8258 ,  H01L23/3185 ,  H01L29/00

Abstract: 公开了一种包封基板(202)的方法(200)，其中，所述基板具有至少下列层：CMOS器件层(204)、不同于硅的第一半导体材料层(206)、及第二半导体材料层(208)，所述第一半导体材料层设置于所述CMOS器件层与所述第二半导体材料层之间。所述方法包括：(i)沿周向移除(252)所述基板的边缘处的一部分；及(ii)在所述基板上沉积(254)介电材料以替代在步骤(i)中被移除的部分，以便包封至少所述CMOS器件层及所述第一半导体材料层。还公开了相关的基板。

公开(公告)号：CN102222690B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201110097172.1

申请日：2011-04-15

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 土屋忠严

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/00

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明的课题在于稳定地提供具有有着高的绝缘性的氮化物系半导体层的氮化物系半导体晶片以及氮化物系半导体装置。本发明的课题的解决方案为，在绝缘性基板上，具有电阻率为10MΩcm以上100MΩcm以下、膜厚为0.1μm以上1.5μm以下的半绝缘性氮化物系半导体层。

公开(公告)号：CN106163984A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201580006800.7

申请日：2015-01-30

Applicant: 曼彻斯特大学

Inventor： 辛西亚·卡西拉吉 ,  维罗妮卡·桑切斯罗马古埃拉

IPC: C01B31/04 ,  C09D11/30 ,  C09D11/52 ,  H01L21/00 ,  H01L29/00

Abstract: 本发明涉及包含二维无机层状颗粒的墨水制剂。本发明的墨水制剂用于喷墨印刷。本发明还涉及用于制备这些墨水制剂的工艺，涉及这些墨水制剂用于产生包含该无机材料的印刷的膜和迹线的用途，涉及通过喷墨印刷这些墨水制剂产生的膜或迹线，以及涉及包含这些膜或迹线的装置。

公开(公告)号：CN103137655B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201110447542.X

申请日：2011-11-29

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 何约瑟 ,  薛彦迅 ,  黄平

IPC: H01L29/00 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种具有底部源极的功率MOSFET器件及其制作方法，在晶片正面形成有相绝缘的栅极和源极。该源极上电镀有源极凸块；由塑封体包封栅极，以及源极和源极凸块与栅极之间的第一绝缘层；源极金属层形成在源极凸块暴露的表面上，构成源极与外部器件电性连接的区域；晶片背面研磨使厚度减薄。晶片背面形成有漏极金属层作为漏极。一孔槽贯穿晶片背面与栅极连通，使栅极的部分表面从孔槽中暴露形成该栅极与外部器件电性连接区域。晶片的正面朝下，则使源极位于器件底部，而漏极和从孔槽中暴露的栅极就位于器件顶部。本发明中所述漏极及栅极之间，由孔槽内的第二绝缘层以及所述栅极背面的起始层来进行绝缘保护，能有效防止击穿。

公开(公告)号：CN102265402B

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN200980152324.4

申请日：2009-12-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·B·博图拉 ,  E·J·诺瓦克

IPC: H01L29/00

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L27/0218 ,  H01P1/15 ,  H03K17/693 ,  H03K2217/0018

Abstract: 一种射频(RF)开关(40/42/44)，其位于绝缘体上半导体(SOI)衬底(10/20/30)上，该开关在底部半导体层(10)中包括至少一个电偏压区域(13)。该RF开关接收来自功率放大器的RF信号，并将该RF信号传送到天线(图3)。该电偏压区域可以被偏置(18/79/94或28/89/99)以消除或缩小累积区域，稳定耗尽区域，和/或防止在该底部半导体层中形成反型区域，由此减少由于该RF信号而造成的寄生耦合和谐波生成。分压器电路和整流器电路生成至少一个偏压，该偏压的幅度随着该RF信号的幅度而变化(图6)。将该至少一个偏压施加到该至少一个电偏压区域以维持该底部半导体层的适当偏压，以便将寄生耦合、信号耗损以及谐波生成最小化。