公开(公告)号：CN118970478A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411021456.6

申请日：2024-07-29

申请人： 广州方邦电子股份有限公司 ,  珠海达创电子有限公司

发明人： 苏陟 ,  徐煦源 ,  何高霞

IPC分类号： H01Q17/00 ,  H01L23/552 ,  H05K9/00 ,  H01Q15/00 ,  H05K1/11 ,  B32B15/20 ,  B32B15/01 ,  B32B15/09

摘要： 本发明公开了一种复合金属箔、覆金属层叠板、芯片及电路板。所述复合金属箔包括：功能层，所述功能层的方阻R与所述复合金属箔的透射损耗TL之间满足：600≤TL*R≤30000，其中TL的单位为dB，R的单位为Ω/□，且计算无量纲。本发明实施例能够利用低成本的复合金属箔达到吸波的效果。

公开(公告)号：CN118969778A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411031982.0

申请日：2024-07-30

申请人： 重庆大学 ,  重庆平伟实业股份有限公司

发明人： 陈文锁 ,  俞齐声 ,  徐向涛 ,  张成方 ,  王航 ,  张力

IPC分类号： H01L23/552

摘要： 本申请提供一种肖特基接触超势垒整流器，该整流器基于阳极金属层、第一导电类型多晶硅层、氧化层和第二导电类型低电子势垒锗硅区域形成低电子势垒结构，该低电子势垒结构为整流器的阳极结构，当整流器正向导通时，电子将更容易从阴极向阳极流动，实现更小的导通电压。因此，整流器可以在不恶化正向导通电压和反向泄漏电流的前提下，增加氧化层的厚度；在不对基本电学特性造成退化的基础上，通过增加氧化层的厚度来改善肖特基接触超势垒整流器的单粒子栅穿特性，以改善抗单粒子栅穿性能。

公开(公告)号：CN118969724A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411040174.0

申请日：2024-07-31

申请人： 通富微电子股份有限公司

发明人： 陶玉娟 ,  朱秋昀

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/552 ,  H10B80/00

摘要： 本公开的实施例提供一种异质芯片封装方法和结构。方法包括：提供硅片、基板和多组异质芯片；在硅片上形成多个硅通孔，并在硅片的第一表面形成第一重布线层；将第一组异质芯片的正面设置于第一重布线层，塑封第一组异质芯片形成第一塑封层，并在第一塑封层上形成电磁屏蔽罩；在硅片的第二表面形成第二重布线层，将第二组异质芯片的正面设置于第二重布线层，塑封第二组异质芯片形成第二塑封层，并在第二塑封层中形成塑封通孔；在第二塑封层背离硅片的表面形成第三重布线层，并在第三重布线层上形成焊球；将第三重布线层通过焊球键合于基板。本公开达成了全方位的高效数据流通，保持了对位精度和稳定性，同时遮蔽去往或来自异质芯片的电磁干扰。

公开(公告)号：CN118943136A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202411029699.4

申请日：2024-07-30

申请人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所

发明人： 杨进 ,  张君直 ,  朱健

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L23/42 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/498 ,  H01L23/14 ,  H01L23/31 ,  H01L23/552

摘要： 本发明公开了一种高可靠大功率三维异构集成射频天线一体化微系统，包括：DPC基板、铜基三维结构、两级SiC转接板、裸芯片、射频电路、无源器件和天线接口；其中，DPC基板用于实现微系统的一体化三维异构集成；铜基三维结构包括：三维同轴传输结构和三维封装围框结构，用于实现大功率射频信号垂直传输和微系统气密封装围框；两级SiC转接板用于实现2.5D×2的5层超高密度混合三维堆叠架构；裸芯片包括：硅基Fan‑out多功能裸芯片、电源管理裸芯片、功放裸芯片和接收裸芯片；射频电路包括：射频发射电路和射频接收电路。本发明形成了完整的一体化气密封装微系统，同时实现了高可靠、高密度集成和大功率散热。

公开(公告)号：CN117174597B

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202311248777.5

申请日：2023-09-26

申请人： 华天科技(昆山)电子有限公司

发明人： 马书英 ,  闫立 ,  刘轶

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L21/304 ,  H01L21/48 ,  H01L21/768 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  H01L23/552

摘要： 本发明公开了一种基于硅通孔的芯片封装方法及芯片封装结构，该芯片封装方法包括以下步骤：对晶圆背面进行去应力减薄和硅通孔刻蚀；在晶圆背面整面制作保护层Ⅰ，将需要刻蚀的硅平面层裸露；将硅平面层减薄，形成凹槽结构；在凹槽结构中填充阻挡层，用于吸收隔绝红外光，填充后与边缘硅层保持平齐；在晶圆背部制作绝缘层；在晶圆背部制作金属RDL层；在金属RDL层上制作保护层Ⅱ；通过植球或印刷锡球的方式使锡球与金属RDL层连接；将产品分割。本发明通过在硅平面层的凹槽结构处增加用于隔绝红外光的阻挡层，有效避免红外光从芯片背面穿过造成信号干扰，减少“鬼影”现象，提高产品使用的安全性，适合在汽车领域或其他领域进行推广应用。

公开(公告)号：CN118919522A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202410997811.7

申请日：2024-07-24

申请人： 华虹半导体(无锡)有限公司 ,  上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 戴初坤 ,  金宏峰 ,  陈华伦

IPC分类号： H01L23/552

摘要： 本申请提供一种数字隔离器及其制备方法、集成器件，其中在数字隔离器的制备方法中，使用制备逻辑电路区的中间金属层用到的铜金属层充当隔离区的数字隔离器的金属下极板，即，使用铜金属层替代传统铜制程工艺中的TiN层下极板，在制备逻辑电路区的中间金属层的同时，利用形成有隔离区下极板图形的光罩刻蚀铜金属层得到数字隔离器的金属下极板，提高了芯片整体集成度，避免了传统铜制程工艺制备数字隔离器过程中，因制备TiN层下极板额外增加多个步骤导致工艺步骤繁琐以及成本增加的情况，简化了制造工艺，降低了制造成本。

公开(公告)号：CN115939108B

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202110968469.4

申请日：2021-08-23

申请人： 荣耀终端有限公司

发明人： 郭学平

IPC分类号： H01L23/552 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/52 ,  H01L21/56

摘要： 本申请提供一种电子设备及芯片封装方法。该电子设备包括：壳体，壳体内设置有基板；基板一侧表面并列设置有第一晶体器件和转接板，转接板包括第一接地焊盘；第一接地焊盘设置在转接板的面向基板的表面，转接板通过第一接地焊盘与基板电连接，以使转接板接地；第一晶体器件表面设置有第一塑封层的第一部分，转接板与基板之间设置有第一塑封层的第二部分，第一部分和第二部分为一体结构；第一部分表面的覆盖有第一屏蔽金属，第一屏蔽金属与第一接地焊盘电连接，以使第一屏蔽金属接地。本申请的技术方案，可以在不增加布局空间的前提下，实现元器件之间的相互屏蔽，无需增加其他元器件，工艺简单，集成度高。

公开(公告)号：CN115274568B

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202210917861.0

申请日：2022-08-01

申请人： 中国电子科技集团公司第五十四研究所

发明人： 徐小龙

IPC分类号： H01L23/04 ,  H01L23/552 ,  H01L23/367 ,  H01L25/16

摘要： 本发明公开了一种射频前端三维集成结构，属于射频组件封装技术领域，该射频前端集成结构包括含有三级空腔结构的陶瓷四边形扁平封装CQFP管壳，陶瓷管壳底部第一级空腔安装第一级射频电路，陶瓷管壳的第二级空腔中嵌入安装含有金属屏蔽外壳的第二级射频功能电路子封装模块，在第三级空腔的底部对应焊盘位置进行键合金丝以实现第二级射频功能电路子封装模块与陶瓷管壳的电气连接，使用平行封焊工艺焊接可伐盖板完成对管壳结构内部空间的气密封装，在管壳上方叠放焊接第三级射频电路模块。本发明简化了射频前端电路的集成装配工艺，电路中各个功能区域进行了良好的屏蔽，改善了射频模块的电磁兼容性能，降低了射频前端电路的尺寸。

公开(公告)号：CN118099137B

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202311802503.6

申请日：2023-12-26

申请人： 无锡中微高科电子有限公司 ,  中国电子科技集团公司第五十八研究所

发明人： 张振越 ,  吉勇 ,  朱家昌

IPC分类号： H01L23/552 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L21/56

摘要： 本发明涉及一种倒装芯片抗辐照内加固的球栅阵列封装结构，包括：倒装芯片、抗辐照金属散热片、基板、抗辐照包封层和布线层，所述倒装芯片的无源区与所述抗辐照金属散热片粘接，所述倒装芯片的四周被所述抗辐照包封层包围，所述倒装芯片的有源区设置布线层，所述布线层包括抗辐照介质层以及设置在所述抗辐照介质层内部的金属连接线，所述金属连接线的一端与倒装芯片的芯片焊盘连接，所述金属连接线另一端连接倒装焊球，所述倒装焊球与所述基板的一面连接，所述基板的另一面连接焊球。本发明能够实现芯片辐照防护，抗辐照金属散热片保障芯片顶部的辐照防护，抗辐照包封层实现芯片前后左右四个方向的辐照防护，布线层实现芯片底部的辐照防护。

公开(公告)号：CN118676083B

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202411172651.9

申请日：2024-08-26

申请人： 成都兴仁科技有限公司

发明人： 鄢炜 ,  雷瑶 ,  鄢科

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/467 ,  H01L23/552 ,  B08B17/04 ,  B08B5/00

摘要： 本发明公开了一种基于SiP封装射频接收机的封装件，包括封装体及设于封装体内的射频组件，射频组件包括设于封装体底部的承载板，承载板上设有保护壳，保护壳上设有散热道；承载板上设有凹槽，凹槽内设有基板，基板上方固定有导体；导体上铺设有栅极，栅极的两侧分别铺设有源极与漏极；驱动轴一端设有齿轮段，另一端设有主动锥轮；一级风扇转轴与齿轮段啮合；支撑杆一端连接于封装体内壁，另一端活动连接有与主动锥轮啮合的从动锥轮；封装体的上方设有开口，滑轨内活动连接有盖板，盖板上连接有连接杆，连接杆上固定有导流块。本发明的目的在于解决现有基于SiP封装射频接收机封装件无法有效散热，在电路中形成局部热点等问题。