公开(公告)号：CN118099137B

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202311802503.6

申请日：2023-12-26

申请人： 无锡中微高科电子有限公司 ,  中国电子科技集团公司第五十八研究所

发明人： 张振越 ,  吉勇 ,  朱家昌

IPC分类号： H01L23/552 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L21/56

摘要： 本发明涉及一种倒装芯片抗辐照内加固的球栅阵列封装结构，包括：倒装芯片、抗辐照金属散热片、基板、抗辐照包封层和布线层，所述倒装芯片的无源区与所述抗辐照金属散热片粘接，所述倒装芯片的四周被所述抗辐照包封层包围，所述倒装芯片的有源区设置布线层，所述布线层包括抗辐照介质层以及设置在所述抗辐照介质层内部的金属连接线，所述金属连接线的一端与倒装芯片的芯片焊盘连接，所述金属连接线另一端连接倒装焊球，所述倒装焊球与所述基板的一面连接，所述基板的另一面连接焊球。本发明能够实现芯片辐照防护，抗辐照金属散热片保障芯片顶部的辐照防护，抗辐照包封层实现芯片前后左右四个方向的辐照防护，布线层实现芯片底部的辐照防护。

公开(公告)号：CN118099137A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202311802503.6

申请日：2023-12-26

申请人： 无锡中微高科电子有限公司 ,  中国电子科技集团公司第五十八研究所

发明人： 张振越 ,  吉勇 ,  朱家昌

IPC分类号： H01L23/552 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L21/56

摘要： 本发明涉及一种倒装芯片抗辐照内加固的球栅阵列封装结构，包括：倒装芯片、抗辐照金属散热片、基板、抗辐照包封层和布线层，所述倒装芯片的无源区与所述抗辐照金属散热片粘接，所述倒装芯片的四周被所述抗辐照包封层包围，所述倒装芯片的有源区设置布线层，所述布线层包括抗辐照介质层以及设置在所述抗辐照介质层内部的金属连接线，所述金属连接线的一端与倒装芯片的芯片焊盘连接，所述金属连接线另一端连接倒装焊球，所述倒装焊球与所述基板的一面连接，所述基板的另一面连接焊球。本发明能够实现芯片辐照防护，抗辐照金属散热片保障芯片顶部的辐照防护，抗辐照包封层实现芯片前后左右四个方向的辐照防护，布线层实现芯片底部的辐照防护。

公开(公告)号：CN117697059A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311691033.0

申请日：2023-12-11

申请人： 无锡中微高科电子有限公司 ,  中国电子科技集团公司第五十八研究所

发明人： 朱家昌 ,  吉勇 ,  张振越

IPC分类号： B23K1/08 ,  B23K1/00 ,  B23K101/36

摘要： 本发明涉及集成电路制造技术领域，具体公开了一种高精度CCGA器件板级组装方法，包括：在组装基板的焊盘位置涂覆锡膏；将CCGA器件上的焊柱与所述组装基板的焊盘进行高精度预对准；加热所述组装基板的底部以进行焊柱与焊盘的预焊接；将预焊接的CCGA板级组装器件通过回流焊接工艺，使锡膏充分熔融并与焊柱、焊盘充分浸润，形成金属间化合物，以完成高精度CCGA器件板级组装。本发明提供的高精度CCGA器件板级组装方法，通过CCGA器件到组装基板的高精度预对准、预焊接，解决CCGA器件板级组装对位精度差、焊柱桥连等工艺问题，提升CCGA器件板级组装良率和可靠性。

公开(公告)号：CN111785649A

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN202010641632.1

申请日：2020-07-06

申请人： 无锡中微高科电子有限公司 ,  中国电子科技集团公司第五十八研究所

发明人： 徐罕 ,  王成迁 ,  吉勇 ,  李守委

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/10

摘要： 本发明涉及高效的陶瓷封装工艺，它包括以下步骤：在管壳载具的上表面涂上热解键临时键合胶；将陶瓷管壳通过热解键临时键合胶呈批量性、阵列式贴装压合在管壳载具的上表面，形成陶瓷管壳阵列；对陶瓷管壳阵列进行烘烤，使得热解键临时键合胶固化；以陶瓷管壳的位置为基准完成陶瓷封帽在陶瓷管壳上的贴装步骤，形成陶瓷封装体；在管壳载具的底部进行加热，使热解键临时键合胶的粘合胶力降低，完成陶瓷封装体与管壳载具的解键合步骤；用吸嘴吸取陶瓷封装体，使陶瓷封装体与管壳载具完成分离。本发明将单颗组装的陶瓷管壳进行多颗组合排布，实现了大规模的集成机种制造，提升了工艺集成度，提高了效率，增加了产出，提升了产品良率和品质。

公开(公告)号：CN114933277A

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN202210860891.2

申请日：2022-07-22

申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所

发明人： 赵心然 ,  王刚 ,  明雪飞 ,  吉勇 ,  袁渊

IPC分类号： B81C1/00 ,  A61N2/04

摘要： 本发明公开一种植入式磁场刺激探针装置的封装方法，属于集成电路封装和医疗器材领域，若干个微螺线管构成微螺线管阵列，并集成在一个微米级芯片中，所述微米级芯片与其头部的尖端针头和其尾部的探针针体通过晶圆级封装工艺共同组成一个微米级探针结构。本发明通过晶圆级再布线工艺制备微螺线管线圈结构，通过PVD制备磁性管芯，通过键合引线将微螺线管与供电线互连，达到微米级磁场刺激探针结构的目标，避免传统电刺激探针的胶质增生问题，以及磁场探针尺寸过大导致的过热和刺激精度低的问题。本发明通过采用C型聚对二甲苯包覆探针的工艺，达到了植入式探针生物兼容的目标，通过采用晶圆级封装工艺，达到了加工一致性和批量生产的目标。

公开(公告)号：CN111863768A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN202010885806.9

申请日：2020-08-28

申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所

发明人： 朱家昌 ,  张爱兵 ,  王刚 ,  吉勇

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L21/48 ,  H01L21/768 ,  H01L23/473 ,  H01L21/60

摘要： 本发明公开一种具备微流道散热功能的TSV转接板及其制备方法，属于集成电路封装技术领域，包括转接板体，在转接板体内凹设有微流道板体槽；在微流道板体槽内设置由微流道出入口和微流道键合而成的微流道板体，微流道板体通过转接板粘结体与转接板体连接；转接板体的上表面和下表面分别制造有上再布线层和下再布线层。本发明将微流道板体埋入转接板体中，形成内部埋置微流道板体的TSV转接板，弥补TSV转接板体受传统散热能力限制的不足，赋予转接板体的主动散热能力，有效提升转接板体的散热水平，本发明能有效增加TSV转接板散热能力，实现高功率密度的2.5D/3D系统级封装，安全可靠。

公开(公告)号：CN110379780A

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201910701998.0

申请日：2019-07-31

申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所

发明人： 王成迁 ,  明雪飞 ,  吉勇

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L23/488

摘要： 本发明公开一种硅基扇出型晶圆级封装方法及结构，属于集成电路封装技术领域。首先提供硅基，在所述硅基正面刻蚀散热通道并沉积截止层；在所述截止层上键合第一玻璃载板；然后在所述硅基背面刻蚀出凹槽，埋入芯片并用干膜材料填满；接着利用光刻在芯片的焊盘处开口，形成第一层布线；在第二玻璃载板上依次制作钝化层、n层布线和微凸点，并与所述第一层布线键合；再拆解第二玻璃载板，并制作阻焊层和凸点；拆解第一玻璃载板，切成单颗芯片，完成封装。

公开(公告)号：CN109686697A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201811580860.1

申请日：2018-12-24

申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所

发明人： 张爱兵 ,  李杨 ,  高娜燕 ,  吉勇 ,  明雪飞

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/538 ,  H01L25/04

CPC分类号： H01L21/76897 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L25/04

摘要： 本发明公开一种多芯片扇出型结构的封装方法及其结构，属于半导体封装技术领域。包括如下步骤：首先，提供支撑架，所述支撑架的中间区域为镂空，边缘区域存在通孔；将支撑架与A芯片分次装片至带有热剥离膜的载具上；用包覆膜将支撑架与A芯片包覆，并去除热剥离膜和载具，形成新的晶圆载体；在新的晶圆载体的底部表面形成钝化层和布线层；将带有金属凸块的B芯片倒装到所述布线层上；通过包覆料对B芯片、金属凸块和布线层进行包覆保护；在新的晶圆载体顶部表面依次形成钝化层、再布线层、再钝化层；在再钝化层的开口上方生长焊球凸点，生成最终的封装体。

公开(公告)号：CN103700595B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201310695128.X

申请日：2013-12-17

申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所

发明人： 燕英强 ,  吉勇 ,  丁荣峥

IPC分类号： H01L21/48

摘要： 本发明公开了一种晶圆级高深宽比TSV封装基板制备方法。所述方法包括以下工艺步骤：采用DRIE工艺在基板圆片上制备通孔，通孔贯穿基板；通孔侧壁淀积钝化层；在圆片双面淀积通孔侧壁黏附/扩散阻挡层和种子层金属；将淀积有种子层金属的载片与基板圆片临时键合；采用电镀工艺完成通孔填充；解除临时键合，去除载片、临时键合材料和粘接材料；采用CMP工艺进行通孔填充金属平坦化；在基板表面制备金属布线、焊盘及保护层。其优点是：可实现20:1～30:1高深宽比通孔侧壁钝化、通孔侧壁黏附/扩散阻挡层和种子层金属，用于高密度、小尺寸系统级封装用超厚TSV封装基板加工。

公开(公告)号：CN118858439A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202411329129.7

申请日：2024-09-24

申请人： 江南大学 ,  中国电子科技集团公司第五十八研究所

发明人： 李可 ,  杨雨晨 ,  宿磊 ,  明雪飞 ,  顾杰斐 ,  赵新维 ,  王刚 ,  吉勇 ,  周秀峰 ,  李杨

IPC分类号： G01N29/06 ,  G01N29/24 ,  G06T7/00 ,  G06T5/70

摘要： 本发明涉及一种倒装芯片焊点缺陷检测方法、系统、介质和设备，其中，方法包括：步骤S1：获取样本芯片，其中，所述样本芯片存在不同的焊点缺陷；步骤S2：通过聚焦超声换能器获取所述样本芯片的超声信号；步骤S3：将所述样本芯片的超声信号由聚焦超声换能器转换为虚拟非聚焦超声换能器的时域波场信号，再将所述时域波场信号转换为信号频域波场，基于所述信号频域波场得到所述样本芯片的二维聚焦图像；步骤S4：提取所述二维聚焦图像的环形矢量因子，利用所述环形矢量因子剔除二维聚焦图像的伪影噪声，得到去噪后的二维聚焦图像；步骤S5：对所述去噪后的二维聚焦图像进行焊点缺陷检测。本发明能够对倒装芯片的焊点缺陷进行有效检测。