公开(公告)号：CN221379377U

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202322805641.1

申请日：2023-10-19

申请人： 安建科技有限公司

发明人： 梁嘉进 ,  伍震威 ,  单建安

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

摘要： 一种链型半导体器件，本实用新型涉及于功率半导体器件，器件的半导体上表面分布有一段以上的链型沟槽和设于链型沟槽上方的绝缘氧化层，所述的绝缘氧化层上设有第一接触孔和第二接触孔；所述的链型沟槽包括有第一类沟槽以及第二类沟槽，第一类沟槽设有栅电极和屏蔽栅电极，所述的屏蔽栅电极通过第二接触孔连接到源极，所述的第二类沟槽设有栅电极,第一类沟槽和第二类沟道中的栅电极相连；第一类沟槽之间设有第二导电型掺杂体区和第一导电型重掺杂源区，两者通过第一接触孔连接到源极。本实用新型采用链型沟槽结构，能实现比已有结构器件更低的开通电阻以及更小的沟槽密度，更优的开关性能。

公开(公告)号：CN220106519U

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202321381754.7

申请日：2023-06-01

申请人： 福建省晋华集成电路有限公司

发明人： 罗启仁 ,  颜逸飞

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

摘要： 本实用新型公开了半导体器件，所述半导体器件包括衬底、栅极结构、电介质层、插塞孔、插塞间隙壁、金属硅化物层及插塞。栅极结构设置在衬底上，插塞孔设置在电介质层内并部分伸入衬底。插塞间隙壁设置在插塞孔的侧壁上，并暴露出衬底。金属硅化物层设置在插塞孔的底部，其中，部分的衬底夹设在金属硅化物层与插塞间隙壁之间。插塞设置在插塞孔内并物理性接触部分的衬底。如此，通过插塞间隙壁的设置准确地定位金属硅化物层的形成位置与深度，达到改善半导体器件表现的效果。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN215496727U

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202121093615.5

申请日：2021-05-20

申请人： 上海芯元基半导体科技有限公司

发明人： 郝茂盛 ,  袁根如 ,  张楠 ,  陈朋 ,  马艳红

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L29/20 ,  H01L21/28

摘要： 本实用新型提供一种氮化镓半导体结构，包括氮化镓层、沟槽屏蔽结构、第一金属层及第二金属层。本实用新型通过在复合图形衬底上形成氮化镓层，生长过程中可以进一步减少位错密度并能够将位错集中到某一特定区域以形成缺陷合拢区，而其他生长区域形成的氮化镓材料几乎没有位错缺陷，之后在缺陷合拢区上形成沟槽及绝缘阻挡层，其中，绝缘阻挡层可阻挡电极金属和杂质金属元素扩散到位错中，从而无法形成漏电通道，且欧姆接触区域或肖特基接触区域下面的氮化镓层没有位错，从而提高了器件的可靠性和稳定性。本实用新型可获得高质量的氮化镓晶体，且通过沟槽屏蔽结构可制作出能够承受大电流和大电压的氮化镓器件结构，从而可提高器件性能。

公开(公告)号：CN214313214U

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202022926608.0

申请日：2020-12-09

申请人： 南京紫竹微电子有限公司

发明人： 苏毅

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/28

摘要： 一种包含分立栅极超结单元的集成电路系统，所述分立栅极超结单元包含：高度掺杂衬底，其包含第一极性；包含所述第一极性的外延层，其在所述高度掺杂衬底上生长；条形栅极沟槽，其在所述外延层中形成；条形栅极多晶硅层，其在所述条形栅极沟槽中形成；包含第二极性的点主体植入物，其邻近与所述条形栅极多晶硅层相对的所述条形栅极沟槽植入；以及包含所述第二极性的导电列，其在所述点主体植入物的中心中植入并且延伸到所述外延层中。

公开(公告)号：CN212085009U

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN202021019538.4

申请日：2020-06-05

申请人： 福建省晋华集成电路有限公司

发明人： 张钦福 ,  林昭维 ,  朱家仪 ,  童宇诚

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28

摘要： 本实用新型公开了一种栅极结构，包含一有源区、一第一栅极介电层位于所述有源区上、遮蔽层位于所述第一栅极介电层上且分别位于所述栅极结构两侧的边缘部位、一第二栅极介电层共形地位于所述第一栅极介电层与所述遮蔽层上、一栅极导电层位于所述第二栅极介电层上，其中所述第二栅极介电层围绕所述栅极导电层、以及一氮化硅盖层位于所述栅极导电层上。本实用新型所提出具有特殊设计的栅极介电层，可以抑制GIDL问题，同时又不会引起其他不良的影响。

公开(公告)号：CN210984734U

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201922185643.9

申请日：2019-12-09

申请人： 安徽瑞迪微电子有限公司

发明人： 温世达 ,  陶少勇 ,  吕磊 ,  曹新明

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L21/28 ,  H01L21/331

摘要： 本实用新型公开了一种IGBT器件结构，包括半导体衬底、沟槽区、栅氧化层、发射极电极、绝缘介质层、N+发射极区、N型基区、N型场终止区、P型基区、P+深阱区、P型集电极区、集电极以及形成于所述半导体衬底正面和所述沟槽区内的复合栅电极，复合栅电极是由平面栅极与沟槽栅极相结合构成。本实用新型的IGBT器件结构，采用复合栅电极，增大了元胞导通时的沟道长度，也就增大器件导通时的沟道电阻，从而降低了IGBT器件结构的饱和电流，增强了IGBT器件的短路能力；同时也增大了元胞间距，使之获得较低的饱和电流密度，从而进一步增强IGBT器件结构的抗闩锁能力。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN210628318U

公开(公告)日：2020-05-26

申请号：CN201921743997.4

申请日：2019-10-17

申请人： 厦门芯达茂微电子有限公司

发明人： 徐守一 ,  陈思凡 ,  蔡铭进

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L21/28 ,  H01L21/331

摘要： 本实用新型提供一种Split Gate-IGBT结构及器件，其中，Split Gate-IGBT结构，包括Split Gate结构、Trench Gate结构；所述Split Gate结构之间设有一个或多个Trench Gate结构。本实用新型提供的Split Gate-IGBT结构，通过在Split Gate结构中间设置一个或者多个Trench Gate结构，在拥有较快开关速度的同时，还可进一步提高器件元胞密度，降低饱和压降；同时方便通过控制Trench Gate的数量来优化IGBT的开关性能。本实用新型另外提供的器件，可广泛应用于工业加热、变频器、照明电路、新能源汽车等领域。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN210272358U

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201921431962.7

申请日：2019-08-30

申请人： 长鑫存储技术有限公司

发明人： 冯大伟

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8242

摘要： 本实用新型提供一种半导体结构及动态随机存储器，所述制备方法包括如下步骤：在衬底上形成沟槽；在沟槽中形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层至少覆盖所述沟槽内侧壁，所述栅极绝缘层的内侧壁由上部内侧壁及下部内侧壁组成；在栅极绝缘层内形成导电层，所述导电层填满所述所述栅极绝缘层下部内侧壁对应的沟槽区域，所述栅极绝缘层及所述导电层形成所述埋入式栅极；在栅极绝缘层上形成绝缘补偿层，所述绝缘补偿层覆盖所述栅极绝缘层的上部内侧壁；在所述沟槽内形成介电层，所述介电层至少覆盖所述导电层的顶面及所述绝缘补偿层的内侧壁。本实用新型利用绝缘补偿层增加栅极绝缘层的厚度，从而避免栅极漏电流的产生，提高器件的稳定性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN209434191U

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201822014521.9

申请日：2018-12-03

申请人： 珠海格力电器股份有限公司

发明人： 肖婷 ,  史波 ,  曾丹 ,  廖勇波 ,  敖利波

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L21/28

摘要： 本实用新型公开了一种沟槽型功率器件，该器件包括有若干个元胞，每个所述元胞包括：元胞沟槽、形成于所述元胞沟槽侧壁上的多晶硅层、以及填充在所述元胞沟槽内的填充金属层；其中，所述填充金属层、所述多晶硅层、以及所述元胞沟槽的内壁之间分别绝缘设置。通过在元胞沟槽的侧壁上形成多晶硅(栅)，形成多晶硅-填充金属层-多晶硅的复合结构，有利于改善器件使用过程中的Cgc反向电容，改善芯片开关特性，同时能降低开关损耗。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN208433413U

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201820948488.4

申请日：2018-06-20

申请人： 长江存储科技有限责任公司

发明人： 田武 ,  汪宗武 ,  许文山 ,  孙超

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L21/28

摘要： 本实用新型涉及一种半导体结构，所述半导体结构包括：衬底；位于所述衬底表面的栅极结构，所述栅极结构包括位于衬底表面的栅介质层和位于所述栅介质层表面的栅极；所述栅极包括第一掺杂区域和第二掺杂区域，所述第一掺杂区域内掺杂有第一掺杂离子，所述第二掺杂区域掺杂有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子为P型掺杂离子，所述第一掺杂离子能够提高所述P型掺杂离子在所述栅极内的分凝系数。上述半导体结构能够避免栅极耗尽，提高半导体结构的性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利