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公开(公告)号：CN118507350A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410576213.2
申请日：2024-05-10
Applicant: 安建科技有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
Abstract: 沟槽网络中深沟槽和浅沟槽的形成方法及其半导体器件，本发明涉及于功率半导体器件的形成方法，为解决现有技术形成深沟槽和浅沟槽的不良，本发明首先在硬掩模的保护下形成深沟槽和浅沟槽，形成的深沟槽和浅沟槽连接处保留有起保护作用的过渡区域；然后继续刻蚀增加深沟槽和浅沟槽的宽度至芯片内部的深沟槽和浅沟槽相互连接，该步骤中过渡区域所在位置蚀刻后形成凸起过渡区。本发明降低了制造过程中光刻和沟槽刻蚀的工艺控制难度，提高了沟槽的均匀性和一致性。
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公开(公告)号：CN113990755A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111238207.9
申请日：2021-10-25
Applicant: 安建科技有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 一种屏蔽栅MOSFET器件的制造方法，本发明涉及于功率半导体器件，本发明通过合理手段，在不同的制作步骤中最大程度的利用硬掩模，形成独特的制造工艺流程，能节省一到两道光刻步骤，有效降低制造成本。
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公开(公告)号：CN119767746A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202311267462.5
申请日：2023-09-28
Applicant: 安建科技有限公司
Abstract: 一种功率场效应管器件及其制备方法，本发明涉及于功率半导体器件，本发明通过在所述的第一导电型掺杂体区上方设接触孔沟槽和设于所述的接触孔沟槽之间的第二导电型重掺杂源区，所述的接触孔沟槽下方设有第一导电型接触重掺杂区，所述的第一导电型接触重掺杂区及第二导电型重掺杂源区均通过欧姆接触连接到上表面金属，实现更小的元胞尺寸，具有更低的导通电阻和更好的开关阈值均匀性。
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公开(公告)号：CN119421450A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411484184.3
申请日：2024-10-23
Applicant: 安建科技有限公司
Abstract: 一种沟槽型MOSFET器件，本发明涉及于功率半导体器件，为实现减少器件的元胞尺寸并实现更好的击穿电压和导通电阻的折中，本发明提出一种新型的屏蔽栅沟槽型场效应管，半导体元胞沟槽由Z方向的多个间隔方式周期性排列的深沟槽和浅沟槽构成，其中深沟槽比浅沟槽深0.3‑4um，所述的浅沟槽和深沟槽内设有相互隔离的位于沟槽上方的栅电极及沟槽下方的屏蔽栅电极，栅电极和与对应的沟槽侧壁之间通过栅氧化层隔离，屏蔽栅电极和对应的沟槽侧壁之间通过沟槽隔离层隔离；所述的栅电极和屏蔽栅电极在Z方向相连，所述的屏蔽栅电极在Z方向随沟槽深度不同呈高低起伏变化且在适当的位置连接至位于上表面的源极金属。
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公开(公告)号：CN116632068A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310844967.7
申请日：2023-07-11
Applicant: 安建科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/36 , H01L29/417 , H01L29/08
Abstract: 一种场效应管器件及其制造方法，本发明涉及于功率半导体器件，为克服现有的问题，本发明通过在器件内设置第一区域和第二区域，所述的第一区域包括第二导电型掺杂体区、第一源区、第二导电型重掺杂的接触掺杂区以及第一掺杂区和接触孔沟槽；所述的第二区域包括有第二导电型掺杂体区以及第一导电型重掺杂的第二掺杂源区；本发明提出一种屏蔽栅沟槽型场效应管器件结构及制造工艺流程，能够实现更小的元胞尺寸，具有更低的导通电阻和更好的开关阈值均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113990755B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202111238207.9
申请日：2021-10-25
Applicant: 安建科技有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 一种屏蔽栅MOSFET器件的制造方法，本发明涉及于功率半导体器件，本发明通过合理手段，在不同的制作步骤中最大程度的利用硬掩模，形成独特的制造工艺流程，能节省一到两道光刻步骤，有效降低制造成本。
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公开(公告)号：CN116053325A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310190056.7
申请日：2023-03-02
Applicant: 安建科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 一种高电阻场板屏蔽栅沟槽型场效应管器件及制造方法，本发明属于功率半导体器件，包括：位于底部的漏极金属层；位于漏极金属层之上的N+衬底层；位于N+衬底层之上的N型外延层；位于器件上表面的P掺杂体区和N+掺杂源区；N+掺杂源区与位于器件上表面的源极金属相连；所述N型外延层上设置有沟槽，所述沟槽内填充有屏蔽栅电极和位于屏蔽栅电极左右两侧或其中一侧的栅电极，屏蔽栅电极与位于器件顶部的上表面金属相连，所述屏蔽栅电极下方设置有高电阻场板，所述高电阻场板下方延伸至N+衬底层中，所述高电阻场板和沟槽的侧壁间具有薄氧化层隔离。有益效果在于，利用高电阻场板，降低沟槽深处的电场强度，实现均匀的电场强度分布，增加击穿电压。
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公开(公告)号：CN117637611A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311495334.6
申请日：2023-11-10
Applicant: 安建科技有限公司
IPC: H01L21/78 , H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L21/331 , H01L21/336
Abstract: 一种改善芯片切割形变的晶圆结构及其制作方法，涉及半导体技术领域，改善芯片切割形变的晶圆结构，本发明通过在所述的外围区域内的半导体层中设有至少一段围绕所述的器件区的第一类沟槽和至少一段位于围绕所述的第一类沟槽且与之平行的第二类沟槽，其中所述的第二类沟槽位于第二钝化层边缘的下方，所述的第二钝化层向下延伸至所述的第二类沟槽内，来解决了芯片切割形变的问题，增加器件生产的良率和使用过程中的可靠性。
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公开(公告)号：CN117476772A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311660721.0
申请日：2023-12-06
Applicant: 安建科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 一种半导体沟槽型场效应管器件及其制造方法，本发明涉及于功率半导体器件，本发明为同时兼顾器件尺寸和栅极电阻的问题，提出一种具有H型沟槽结构的屏蔽栅沟槽型场效应管结构，H型沟槽网络结构包括有交错排列第一类沟槽和第二类沟槽，第一类沟槽内设有第一栅电极和屏蔽栅电极，第二类沟槽内设有第二栅电极，所述的第二栅电极连接到相邻的第一栅电极，本发明提出技术方案在减少器件尺寸的同时进一步减少器件的沟道电阻，并能减少器件的栅极电阻，在高频应用中实现更均匀的电流分布，提升器件的开关频率和可靠性。
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