-
公开(公告)号：CN116884945A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310643682.7
申请日：2023-06-01
申请人： 福建省晋华集成电路有限公司
IPC分类号： H01L23/538 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/768 , H01L21/336 , H01L21/28
摘要： 本发明公开了半导体器件及其制作方法，所述半导体器件包括衬底、栅极结构、电介质层、插塞孔、插塞间隙壁、金属硅化物层及插塞。栅极结构设置在衬底上，插塞孔设置在电介质层内并部分伸入衬底。插塞间隙壁设置在插塞孔的侧壁上，并暴露出衬底。金属硅化物层设置在插塞孔的底部，其中，部分的衬底夹设在金属硅化物层与插塞间隙壁之间。插塞设置在插塞孔内并物理性接触部分的衬底。如此，通过插塞间隙壁的设置准确地定位金属硅化物层的形成位置与深度，达到改善半导体器件表现的效果。
-
公开(公告)号：CN114758985A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210494017.1
申请日：2022-04-29
申请人： 福建省晋华集成电路有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/336 , H01L23/48 , H01L29/78
摘要： 本发明提供了一种半导体结构及其制备方法、晶体管器件的制备方法。通过在开窗内形成拉应力材料层，以在该拉应力材料层的作用下使得金属层中的金属在衬底内的扩散趋势更大限度的被限制在开窗的正下方，降低金属横向扩散的范围，进而避免金属扩散至周边组件。例如，在晶体管器件的制备过程中，即可避免源漏区内的金属硅化物层中的金属横向扩散至栅极结构的问题，有利于提高所形成的半导体结构的器件性能。
-
公开(公告)号：CN113889474A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111276182.1
申请日：2021-10-29
申请人： 福建省晋华集成电路有限公司
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8242
摘要： 本发明提供一种存储器及存储器的制作方法，通过图案化衬底上的介质层形成位线沟槽，然后在位线沟槽内形成位线间隔层及位线结构。相比于现有技术，本发明先形成位线沟槽再形成位线结构，省去形成位线接触窗并在位线接触窗形成位线接触插塞的步骤，避免刻蚀形成位线接触插塞时导电材料在位线接触窗底部的残留，避免器件漏电流的问题，提高的器件的性能。
-
公开(公告)号：CN217444377U
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202221031996.9
申请日：2022-04-29
申请人： 福建省晋华集成电路有限公司
IPC分类号： H01L23/48 , H01L29/78 , H01L21/768 , H01L21/336
摘要： 本实用新型提供了一种半导体结构及晶体管器件。通过将金属硅化物层限制在开窗的正下方而未扩展至开窗之外的区域，避免了金属硅化物层内的金属扩散至周边组件而产生不良影响。例如，在晶体管器件中，即可避免源漏区内的金属硅化物层中的金属横向扩散至栅极结构的问题，有利于提高所形成的半导体结构的器件性能。
-
公开(公告)号：CN216213457U
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202122626285.8
申请日：2021-10-29
申请人： 福建省晋华集成电路有限公司
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8242
摘要： 本实用新型提供一种存储器，包括衬底、位线结构及侧墙间隔层，其中，所述侧墙间隔层至少覆盖所述位线结构的侧壁，并沿部分所述位线结构的侧壁深入所述隔离结构，以隔绝位线结构和衬底，避免了器件漏电流的问题，提高的器件的性能。进一步的，本实用新型通过侧墙间隔层隔绝位线结构和衬底，省略了现有技术中衬底上的衬垫层，工艺步骤减少，成本降低。
-
公开(公告)号：CN220106519U
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202321381754.7
申请日：2023-06-01
申请人： 福建省晋华集成电路有限公司
IPC分类号： H01L23/538 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/768 , H01L21/336 , H01L21/28
摘要： 本实用新型公开了半导体器件，所述半导体器件包括衬底、栅极结构、电介质层、插塞孔、插塞间隙壁、金属硅化物层及插塞。栅极结构设置在衬底上，插塞孔设置在电介质层内并部分伸入衬底。插塞间隙壁设置在插塞孔的侧壁上，并暴露出衬底。金属硅化物层设置在插塞孔的底部，其中，部分的衬底夹设在金属硅化物层与插塞间隙壁之间。插塞设置在插塞孔内并物理性接触部分的衬底。如此，通过插塞间隙壁的设置准确地定位金属硅化物层的形成位置与深度，达到改善半导体器件表现的效果。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
-
-
-
-
搜索结果
6 条记录 (耗时 0.03 秒)
