公开(公告)号：CN117525205A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311562464.7

申请日：2023-11-20

Applicant: 武汉纺织大学 ,  岳阳渔美康生物科技有限公司

Inventor： 李宗宝 ,  王霞 ,  樊均德

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/208 ,  H01L31/0272 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/075 ,  H10K30/40 ,  H10K30/50 ,  H10K71/00 ,  H10K99/00

Abstract: 本发明公开了一种微波辅助旋涂法制备硒薄膜太阳能电池的方法，包括以下步骤，在透明基底上依次制备透明电极层、二氧化钛致密层和二氧化钛介孔层，制备完毕后将其置于匀胶机的吸盘上，将硒溶液滴加在二氧化钛介孔层上旋涂，待溶剂挥发后在二氧化钛介孔层表面得到均匀铺展的非晶硒薄膜；进行微波辐照后该非晶硒薄膜在二氧化钛介孔层上生成多晶硒薄膜，得到硒光伏吸光层；在硒光伏吸光层上沉积空穴传输层；在空穴传输层上蒸镀金属电极，得到硒薄膜太阳能电池。本发明采用上述步骤，通过控制微波辐照功率和时间来获得物相单一、结晶晶粒大且排列致密的高质量三方晶系硒薄膜，进而提高硒基太阳能电池的器件性能。

公开(公告)号：CN114497261A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202210012563.7

申请日：2022-01-06

Applicant: 大连民族大学

Inventor： 杜诗宇 ,  于乃森 ,  赵亮 ,  吴云峰 ,  刘本康 ,  李海鸥

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20 ,  H01L21/203 ,  H01L21/208

Abstract: 本发明属于光电探测领域，公开了一种日盲/红外双波段自动能光电探测器件及制备方法。首先采用低压有机化学气相沉积方法在蓝宝石衬底层上生长氮化铟红外探测薄膜层，之后采用低温水溶液方法生长氧化铟纳米电子聚集层，并在其表面溅射非晶氧化镓日盲探测薄膜层，最后分别在氮化铟红外探测薄膜层及非晶氧化镓日盲探测薄膜层用银胶作为接触电极，构建日盲/红外双波段自动能光电探测器件。本发明的产品对紫外光和红外光有着非常好的光响应，器件无需外加偏压，具有自动能光电特性，重复性好，操作简单，制造成本低，可以同时实现日盲以及红外探测。

公开(公告)号：CN108848671B

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：CN201780014129.X

申请日：2017-02-22

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 佐佐木勉

IPC: C09K11/08 ,  C01B25/08 ,  C08K9/04 ,  C08L101/00 ,  C09D17/00 ,  C09K11/62 ,  C09K11/70 ,  C09K11/74 ,  H01L21/208 ,  H01L29/06 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明的课题在于提供一种耐久性优异的半导体纳米粒子以及使用了半导体纳米粒子的分散液及薄膜。本发明的半导体纳米粒子具有含有III族元素及V族元素的核，所述半导体纳米粒子中，通过X射线光电子光谱分析检测到碳、氧及硫，通过傅立叶变换红外光谱分析检测到存在于2800cm‑1～3000cm‑1中的峰A、存在于1000cm‑1～1200cm‑1中的峰B及存在于2450cm‑1～2650cm‑1中的峰C，且具有含有2个以上的巯基的配体。

公开(公告)号：CN108884594A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780000677.7

申请日：2017-01-13

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 坂井正宏 ,  吉野隆史

IPC: C30B29/38 ,  C30B19/12 ,  H01L21/208

Abstract: 在支撑基板1上设置包含13族元素氮化物的晶种层2。通过从支撑基板1侧照射激光A而沿着支撑基板与晶种层3的界面设置包含13族元素氮化物的变质部4。变质部4为位错缺陷导入部或非晶质部。

公开(公告)号：CN108138361A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680052907.X

申请日：2016-09-30

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 平尾崇行 ,  岩井真 ,  今井克宏 ,  吉野隆史

IPC: C30B29/38 ,  C30B19/12 ,  H01L21/20 ,  H01L21/208

Abstract: 作为本发明的一个实施方式的基底基板(14)在蓝宝石基板(15)上具备第13族氮化物的晶种层(16)。在晶种层(16)的主面以条纹状重复出现凸部(16a)和凹部(16b)，凸部(16a)的阶差(ha)为0.3～40μm，凸部(16a)的宽度(wa)为5～100μm，凹部(16b)的厚度(tb)为2μm以上，凹部(16b)的宽度(wb)为50～500μm。

公开(公告)号：CN105074873B

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201480008495.0

申请日：2014-02-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 基思·A·米勒 ,  马丁·李·莱克

IPC: H01L21/208

CPC classification number: C23C14/3407 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3411 ,  H01J37/3455 ,  H01J37/3497

Abstract: 在某些实施方式中，一种用于处理腔室的溅射源可包括：第一围绕体，所述第一围绕体具有顶部、多个侧部和开放的底部；靶材，所述靶材耦接至所述开放的底部；电馈入器，所述电馈入器耦接至所述第一围绕体的所述顶部、靠近所述第一围绕体的中心轴，以经由所述第一围绕体提供功率至所述靶材；磁体组件，所述磁体组件具有轴、耦接至所述轴的支撑臂和耦接至所述支撑臂的磁体，所述磁体组件设置于所述第一围绕体内；第一旋转致动器，所述第一旋转致动器相对于所述第一围绕体的所述中心轴设置成离轴的并且可旋转地耦接至所述磁体，以使所述磁体绕着所述第一围绕体的所述中心轴旋转；和第二旋转致动器，所述第二旋转致动器相对于所述第一围绕体的所述中心轴设置成离轴的并且可旋转地耦接至所述磁体，以使所述磁体绕着所述磁体组件的中心轴旋转。

公开(公告)号：CN104934304B

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201510299389.9

申请日：2015-06-04

Applicant: 苏州大学

Inventor： 周祎 ,  宋波 ,  李永舫 ,  余浩 ,  刘晓东

IPC: H01L21/208 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/549

Abstract: 本发明公开了一种通过常温下的混合溶剂诱导调控获得黑色立方晶系钙钛矿薄膜的方法。具体而言，本发明的方法包括如下步骤：1）通过在溶剂中混合两种供体来制备钙钛矿前体溶液；2）将钙钛矿前体溶液于常温下旋涂在基底上，得到带有钙钛矿活性层的基底；以及3）采用混合溶剂营造密闭气氛，并将带有钙钛矿活性层的基底置于其中进行退火处理，直至基底变为黑色，即得黑色立方晶系钙钛矿薄膜。本发明的方法在常温下进行，降低了制备过程中的能耗；同时可以快速制备出平整、结晶质量好的钙钛矿晶体，在大面积内具有良好的均一性，使其在大面积钙钛矿太阳能电池的制备中具有很好的应用前景。

公开(公告)号：CN107543813A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201710726306.9

申请日：2017-08-22

Applicant: 中国工程物理研究院化工材料研究所

Inventor： 何璇 ,  刘渝 ,  王慧

IPC: G01N21/65 ,  H01L21/208 ,  H01L21/3205

Abstract: 本发明公开了一种表面增强拉曼有序复合阵列芯片的制备方法，它首先以光刻法结合深硅刻蚀技术，在硅片上刻蚀一定排列方式的纳米硅柱阵列；然后以纳米硅柱阵列为模板，通过原子层沉积法均匀制备ZnO薄膜；接着用水浴法组装一定形状的纳米氧化锌片硅柱阵列，退火处理后，磁控溅射纳米银构筑复合芯片，得到超灵敏表面增强拉曼有序复合阵列芯片。本发明的制备方法简单、工艺稳定；制备得到的表面增强拉曼散射芯片灵敏度高、选择性好、能满足痕量炸药检测。

公开(公告)号：CN107466422A

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：CN201680022156.7

申请日：2016-02-26

Applicant: 动态太阳能系统公司

Inventor： 帕特里克·林德 ,  丹尼尔·林德

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/208

CPC classification number: H01L31/046 ,  H01G9/2004 ,  H01G9/2095 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628

Abstract: 经典的印刷的PV膜电池的缺点是这些电池的生产经常需要昂贵的真空制备和热回火或烧结步骤，其中薄的掺杂的真空膜非常易受腐蚀和污染的影响。因此，本发明的目的是克服这些缺点并且提供合适的方法和适当的PV膜结构。该目的通过室温方法实现，其中将水性分散体印刷到基材上并且通过伴随的反应而固化。该伴随的反应在膜边界处形成梯度以及还有纳米级结构，其产生具有标准性能和更高稳定性的PV活性膜。在约10％的效率下，可以获得在气候室测试中的稳定性并且没有初始性能损失，并且在20年的测试时期内，可以实现始终较小的波动。该方法没有回火或烧结步骤，使能够使用工业纯的有利的起始材料，并且使该PV膜结构对于生产或分配的典型投资的一部分是作为成品的高度柔性的电池可供使用的。PV膜结构首次可以与印刷产品的制造完全类似地生产。因此，本发明可以提供在所有领域的关于生产和使用两方面的极其通用的适用性，在这些领域中已经建立的PV薄膜因为太昂贵或太不稳定而在之前被拒绝。

公开(公告)号：CN107407008A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201680013458.8

申请日：2016-02-18

Applicant: 国立大学法人大阪大学 ,  住友化学株式会社

Inventor： 森勇介 ,  吉村政志 ,  今出完 ,  柴田真佐知 ,  吉田丈洋

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/208

Abstract: 本发明提供第III族氮化物半导体晶体衬底的制造方法，其中，将利用液相生长法生长而成的第III族氮化物单晶作为晶种衬底，利用气相生长法使第III族氮化物单晶在所述晶种衬底的主面上进行同质外延生长，所述晶种衬底的主面为+C面，在所述晶种衬底面内的整个区域中，所述晶种衬底的主面附近处的晶体中的氧原子浓度为1×1017cm-3以下。