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公开(公告)号：CN107407008A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680013458.8
申请日：2016-02-18
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 住友化学株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B25/20 , H01L21/205 , H01L21/208
Abstract: 本发明提供第III族氮化物半导体晶体衬底的制造方法，其中，将利用液相生长法生长而成的第III族氮化物单晶作为晶种衬底，利用气相生长法使第III族氮化物单晶在所述晶种衬底的主面上进行同质外延生长，所述晶种衬底的主面为+C面，在所述晶种衬底面内的整个区域中，所述晶种衬底的主面附近处的晶体中的氧原子浓度为1×1017cm-3以下。
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公开(公告)号：CN107338477B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN201710222410.4
申请日：2017-04-06
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 株式会社赛奧科思 , 住友化学株式会社
Abstract: 本发明的课题在于使用经大直径化的结晶生长用基板制造优质的氮化物结晶基板。解决方法具有：准备结晶生长用基板的第1工序，所述结晶生长用基板具备按照主面相互平行、侧面相互抵接的方式配置成平面状的包含氮化物结晶的多个晶种基板，从多个晶种基板之中任意选择的邻接的晶种基板间的晶格常数之差为以内；和在结晶生长用基板所具有的基底面上使结晶膜生长的第2工序。
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公开(公告)号：CN107407008B
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201680013458.8
申请日：2016-02-18
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 住友化学株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B25/20 , H01L21/205 , H01L21/208
Abstract: 本发明提供第III族氮化物半导体晶体衬底的制造方法，其中，将利用液相生长法生长而成的第III族氮化物单晶作为晶种衬底，利用气相生长法使第III族氮化物单晶在所述晶种衬底的主面上进行同质外延生长，所述晶种衬底的主面为+C面，在所述晶种衬底面内的整个区域中，所述晶种衬底的主面附近处的晶体中的氧原子浓度为1×1017cm‑3以下。
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公开(公告)号：CN107338477A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710222410.4
申请日：2017-04-06
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 株式会社赛奧科思 , 住友化学株式会社
CPC classification number: C30B25/02 , C30B25/20 , C30B29/406 , C30B29/40 , C30B19/12 , C30B25/18 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/0075
Abstract: 本发明的课题在于使用经大直径化的结晶生长用基板制造优质的氮化物结晶基板。解决方法具有：准备结晶生长用基板的第1工序，所述结晶生长用基板具备按照主面相互平行、侧面相互抵接的方式配置成平面状的包含氮化物结晶的多个晶种基板，从多个晶种基板之中任意选择的邻接的晶种基板间的晶格常数之差为 以内；和在结晶生长用基板所具有的基底面上使结晶膜生长的第2工序。
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公开(公告)号：CN111593400B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202010103889.1
申请日：2020-02-20
Applicant: 松下控股株式会社 , 国立大学法人大阪大学
Abstract: 本发明以提供不易产生裂开或裂缝的III族氮化物晶体的制造方法及晶种基板为技术问题。为了解决上述技术问题，本发明的III族氮化物晶体的制造方法包括：籽晶准备工序，在基板之上配置多个III族氮化物的晶体作为多个籽晶；晶体生长工序，在包含氮的环境下，使籽晶的表面接触包含从镓、铝、及铟中选择的至少一种III族元素以及碱金属的熔融液，来使III族氮化物晶体生长。在所述籽晶准备工序中，将多个籽晶配置于在基板上设置的六边形区域内部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107523876B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201710445532.X
申请日：2017-06-13
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供在Na助熔剂法下的GaN结晶生长中，面对在Ga与Na的混合变得均匀之前开始结晶培养因而变得培养不良的问题，通过改变装置构成从而使混合的均匀化、结晶培养的均匀化成为可能的手法。在具有坩埚上段和坩埚下段的两段结构的坩埚中，在坩埚上段直到Ga、Na混合完成为止将Ga、Na的混合液体倾斜保持，Ga、Na混合完成后使装置摇动从坩埚孔滴落混合液体，在种基板上均匀地进行结晶生长。
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公开(公告)号：CN110468455A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910386973.6
申请日：2019-05-09
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种结晶中的氧杂质少的III族氮化物结晶的制造方法。本发明的III族氮化物结晶的制造方法是使用容纳碱金属、含III族元素的原料、种基板(11)的坩埚；容纳坩埚的反应容器；容纳反应容器(15)的压力容器；将含氮元素气体和/或氩气导入至压力容器的气体供给管；将压力容器密封的盖；将反应容器加热的加热器；用于将加热器和反应容器绝缘的绝缘材料；防止反应容器内的热泄露的绝热材料来制造III族氮化物结晶的方法，具有以下工序：将盖与所述压力容器分离，将反应容器容纳于压力容器内，用盖将压力容器密封后，将氩气填充于压力容器内的工序；将氩气加热并保持的工序；将经加热的氩气从压力容器排出的工序；和将含氮元素气体导入压力容器内，使碱金属与含III族元素的原料发生反应从而使III族氮化物结晶在种基板上生长的工序。
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公开(公告)号：CN110219047A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910135561.5
申请日：2019-02-21
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种表面平坦、高品质且大尺寸的III族氮化物结晶的制造方法，其包括：在基板上准备作为种晶的多个III族氮化物的种晶准备工序；以及，通过在包含氮气的气氛下使种晶的表面接触包含碱金属和选自镓、铝和铟中的至少1种III族元素的熔液，从而使上述III族元素与上述氮在熔液中发生反应，使III族氮化物结晶生长的结晶生长工序，结晶生长工序包括：由多个种晶分别生长截面为三角形或梯形的多个第一III族氮化物结晶的第一结晶生长工序；使第二III族氮化物结晶在多个第一III族氮化物结晶的间隙中生长的第二结晶生长工序。
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公开(公告)号：CN107523876A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710445532.X
申请日：2017-06-13
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供在Na助熔剂法下的GaN结晶生长中，面对在Ga与Na的混合变得均匀之前开始结晶培养因而变得培养不良的问题，通过改变装置构成从而使混合的均匀化、结晶培养的均匀化成为可能的手法。在具有坩埚上段和坩埚下段的两段结构的坩埚中，在坩埚上段直到Ga、Na混合完成为止将Ga、Na的混合液体倾斜保持，Ga、Na混合完成后使装置摇动从坩埚孔滴落混合液体，在种基板上均匀地进行结晶生长。
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公开(公告)号：CN102492993B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201210003531.7
申请日：2007-02-22
Applicant: 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学
CPC classification number: C30B9/00 , C30B29/403 , C30B29/406 , Y10T117/10 , Y10T117/1096
Abstract: 本发明涉及氮化物单晶的制造方法及其装置，本发明提供一种氮化物单晶的制造方法，其为使用含有助熔剂和原料的溶液来制造氮化物单晶的方法，其特征在于，使用的生长装置包括：用于容纳所述溶液的多个坩埚、用于加热所述坩埚的发热体、容纳所述多个坩埚并由热传导性材料制成的组件以及用于至少容纳所述组件和所述发热体并填充至少包含氮气的气氛气体的压力容器；分别在所述每个坩埚内设置一个种晶，通过移动所述组件来同时搅拌所述各坩埚内的所述溶液，在所述各坩埚内由各个种晶生长成所述氮化物单晶。
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