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公开(公告)号：CN107523876B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201710445532.X
申请日：2017-06-13
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供在Na助熔剂法下的GaN结晶生长中，面对在Ga与Na的混合变得均匀之前开始结晶培养因而变得培养不良的问题，通过改变装置构成从而使混合的均匀化、结晶培养的均匀化成为可能的手法。在具有坩埚上段和坩埚下段的两段结构的坩埚中，在坩埚上段直到Ga、Na混合完成为止将Ga、Na的混合液体倾斜保持，Ga、Na混合完成后使装置摇动从坩埚孔滴落混合液体，在种基板上均匀地进行结晶生长。
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公开(公告)号：CN107523876A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710445532.X
申请日：2017-06-13
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供在Na助熔剂法下的GaN结晶生长中，面对在Ga与Na的混合变得均匀之前开始结晶培养因而变得培养不良的问题，通过改变装置构成从而使混合的均匀化、结晶培养的均匀化成为可能的手法。在具有坩埚上段和坩埚下段的两段结构的坩埚中，在坩埚上段直到Ga、Na混合完成为止将Ga、Na的混合液体倾斜保持，Ga、Na混合完成后使装置摇动从坩埚孔滴落混合液体，在种基板上均匀地进行结晶生长。
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公开(公告)号：CN106460228B
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201580021973.6
申请日：2015-03-03
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 伊藤忠塑料株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B19/02 , C30B25/20 , C30B33/00 , H01L21/205 , H01L21/208
Abstract: 通过气相生长法制造大尺寸且变形、位错、翘曲等缺陷少的高品质III族氮化物结晶。制造方法包括下述步骤：第1III族氮化物结晶制造步骤，通过液相生长法制造第1III族氮化物结晶1003；第2III族氮化物结晶制造步骤，在第1结晶1003上，通过气相生长法使III族元素金属和氧化剂和含氮气体反应而制造第2III族氮化物结晶1004，其特征在于：所述第1III族氮化物结晶制造步骤使预先准备的III族氮化物的多个晶种1003a的表面与碱金属熔液接触，在含氮气氛下，使III族元素和所述氮在所述碱金属熔液中反应，通过由多个晶种1003a生长的多个III族氮化物结晶的生长，使所述多个III族氮化物结晶结合而作为第1结晶1003。
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公开(公告)号：CN106460228A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580021973.6
申请日：2015-03-03
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 伊藤忠塑料株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B19/02 , C30B25/20 , C30B33/00 , H01L21/205 , H01L21/208
CPC classification number: C30B29/406 , B28D5/00 , C30B19/02 , C30B19/12 , C30B25/186 , C30B25/20 , C30B29/20 , C30B29/38 , C30B33/00 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02581 , H01L21/0262 , H01L21/02625 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L21/7813 , H01L29/2003 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/32 , H01S5/3013 , H01S2304/06
Abstract: 通过气相生长法制造大尺寸且变形、位错、翘曲等缺陷少的高品质III族氮化物结晶。制造方法包括下述步骤：第1III族氮化物结晶制造步骤，通过液相生长法制造第1III族氮化物结晶1003；第2III族氮化物结晶制造步骤，在第1结晶1003上，通过气相生长法使III族元素金属和氧化剂和含氮气体反应而制造第2III族氮化物结晶1004，其特征在于：所述第1III族氮化物结晶制造步骤使预先准备的III族氮化物的多个晶种1003a的表面与碱金属熔液接触，在含氮气氛下，使III族元素和所述氮在所述碱金属熔液中反应，通过由多个晶种1003a生长的多个III族氮化物结晶的生长，使所述多个III族氮化物结晶结合而作为第1结晶1003。
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公开(公告)号：CN107407008A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680013458.8
申请日：2016-02-18
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 住友化学株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B25/20 , H01L21/205 , H01L21/208
Abstract: 本发明提供第III族氮化物半导体晶体衬底的制造方法，其中，将利用液相生长法生长而成的第III族氮化物单晶作为晶种衬底，利用气相生长法使第III族氮化物单晶在所述晶种衬底的主面上进行同质外延生长，所述晶种衬底的主面为+C面，在所述晶种衬底面内的整个区域中，所述晶种衬底的主面附近处的晶体中的氧原子浓度为1×1017cm-3以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104040039B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201380005328.6
申请日：2013-01-10
Applicant: 国立大学法人大阪大学
IPC: C30B19/02 , C30B29/38 , H01L21/208
CPC classification number: C30B19/02 , C30B19/12 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/02625 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02647 , H01L29/2003 , H01L33/007
Abstract: 本发明提供可以制造大尺寸、且缺陷少并且高品质的III族氮化物结晶的III族氮化物结晶的制造方法。III族氮化物结晶(13)的制造方法包括：晶种选择步骤，选择III族氮化物结晶层(11)的多个部分，作为用于III族氮化物结晶(13)的生成及生长的晶种；接触步骤，使所述晶种的表面与碱金属熔液接触；和结晶生长步骤，在含氮的气氛下，使III族元素与所述氮在所述碱金属熔液中反应，生成III族氮化物结晶(13)并生长；所述晶种为六方晶，在所述晶种选择步骤中，以由相互邻接的所述晶种生长的各结晶的m面彼此基本不重合的方式配置所述晶种，在所述结晶生长步骤中，通过III族氮化物结晶(13)的生长，使由所述多个晶种生长的多个III族氮化物结晶(13)结合。
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公开(公告)号：CN107338477B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN201710222410.4
申请日：2017-04-06
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 株式会社赛奧科思 , 住友化学株式会社
Abstract: 本发明的课题在于使用经大直径化的结晶生长用基板制造优质的氮化物结晶基板。解决方法具有：准备结晶生长用基板的第1工序，所述结晶生长用基板具备按照主面相互平行、侧面相互抵接的方式配置成平面状的包含氮化物结晶的多个晶种基板，从多个晶种基板之中任意选择的邻接的晶种基板间的晶格常数之差为以内；和在结晶生长用基板所具有的基底面上使结晶膜生长的第2工序。
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公开(公告)号：CN107407008B
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201680013458.8
申请日：2016-02-18
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 住友化学株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B25/20 , H01L21/205 , H01L21/208
Abstract: 本发明提供第III族氮化物半导体晶体衬底的制造方法，其中，将利用液相生长法生长而成的第III族氮化物单晶作为晶种衬底，利用气相生长法使第III族氮化物单晶在所述晶种衬底的主面上进行同质外延生长，所述晶种衬底的主面为+C面，在所述晶种衬底面内的整个区域中，所述晶种衬底的主面附近处的晶体中的氧原子浓度为1×1017cm‑3以下。
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公开(公告)号：CN109537056A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811037236.7
申请日：2018-09-06
Applicant: 株式会社迪思科 , 国立大学法人大阪大学
Abstract: 本发明提供一种容易将III-V族化合物晶体从基板分离(剥离)的III-V族化合物晶体的制造方法和半导体装置的制造方法。本发明的III-V族化合物晶体的制造方法包括下述工序：晶种形成基板提供工序，提供在基板(11)上形成有III-V族化合物晶种(12a)的晶种形成基板；晶种一部分分离工序，将III-V族化合物晶种(12a)的与基板(11)接触的部分的一部分从基板(11)分离；以及晶体生长工序，在上述晶种一部分分离工序后，以III-V族化合物晶种(12a)作为核而使III族元素与V族元素反应，从而生成III-V族化合物晶体(12)并使其生长。
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公开(公告)号：CN104040039A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201380005328.6
申请日：2013-01-10
Applicant: 国立大学法人大阪大学
IPC: C30B19/02 , C30B29/38 , H01L21/208
CPC classification number: C30B19/02 , C30B19/12 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/02625 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02647 , H01L29/2003 , H01L33/007
Abstract: 本发明提供可以制造大尺寸、且缺陷少并且高品质的III族氮化物结晶的III族氮化物结晶的制造方法。III族氮化物结晶(13)的制造方法包括：晶种选择步骤，选择III族氮化物结晶层(11)的多个部分，作为用于III族氮化物结晶(13)的生成及生长的晶种；接触步骤，使所述晶种的表面与碱金属熔液接触；和结晶生长步骤，在含氮的气氛下，使III族元素与所述氮在所述碱金属熔液中反应，生成III族氮化物结晶(13)并生长；所述晶种为六方晶，在所述晶种选择步骤中，以由相互邻接的所述晶种生长的各结晶的m面彼此基本不重合的方式配置所述晶种，在所述结晶生长步骤中，通过III族氮化物结晶(13)的生长，使由所述多个晶种生长的多个III族氮化物结晶(13)结合。
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