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公开(公告)号：CN113485033B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202110494907.8
申请日：2019-02-21
申请人： 洛克利光子有限公司
摘要： 本文公开一种光电装置，所述光电装置包括：肋形波导，所述肋形波导包括：脊部分，所述脊部分包括对温度敏感的光学有源区，以及平板部分，所述平板部分邻近所述脊部分定位；所述装置还包括加热器，所述加热器安置在所述平板部分的顶部上，其中所述加热器的最靠近脊部分的部分距离所述脊部分至少2 μm。所述装置还可以具有设置有底部包覆层的加热器，并且还可以包括各种热绝缘增强腔。
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公开(公告)号：CN118778323A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202310430049.X
申请日：2023-04-10
申请人： 中兴通讯股份有限公司 , 上海交通大学
摘要： 本申请公开一种电光调制器、电光调制系统及其调制方法，所述电光调制器包括多模干涉器、移相器、光过滤器以及光模式转化器，所述多模干涉器具有两光输入端和两光输出端；所述移相器连接所述多模干涉器，所述移相器上形成有一连通所述多模干涉器的光输出端的调制臂区域，所述调制臂区域内设置有转化结构，所述转化结构用以对所述光输入端输入的光进行相位调制、以及转换光的模式；所述光过滤器设置在所述多模干涉器的一光输入端，用以过滤经所述转化结构转化模式的光。本申请旨在解决现有相关技术中迈克尔逊干涉型调制器在实际应用时在其内反向传播的光会进入激光源，影响激光源的正常工作的问题。
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公开(公告)号：CN118550107A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410979103.0
申请日：2024-07-22
摘要： 一种单光子源及制备方法，该单光子源包括：单光子产生模块，包括：第一衬底；第一分布式布拉格反射镜位于第一衬底上，为由第一折射率层和第二折射率层交替堆叠形成；量子点层，位于第一分布式布拉格反射镜上，在入射激光的作用下产生电子空穴对，电子空穴对复合后产生单光子；腔镜模块，位于单光子产生模块的靠近量子点层的一侧且与单光子产生模块形成真空间隔；腔镜模块包括：第二衬底；第二分布式布拉格反射镜，位于第二衬底上，为由第三折射率层和第四折射率层交替堆叠形成；第二分布式布拉格反射镜和第一分布式布拉格反射镜形成平凹式共振腔，使得与平凹式共振腔的共振频率一致的单光子在平凹式共振腔中振荡并输出。
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公开(公告)号：CN118519290A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410745256.9
申请日：2024-06-11
申请人： 苏州亿现电子科技有限公司
IPC分类号： G02F1/015
摘要： 本发明公开了一种基于钙钛矿晶体的全固态空间光调制器及其制备方法，包括CMOS阵列电路和钙钛矿相位调制层。所述CMOS阵列电路由源电极、漏电极、门电极、单晶硅沟道、介质层构成的场效应管，上电极、下电极以及介质层构成的存储电容，以及金属连接层和金属遮光层等组成；所述钙钛矿相位调制层由反射电极、钙钛矿单晶层，以及透明电极组成。本发明将钙钛矿单晶层的相位调制与CMOS阵列电路相结合，通过阵列像素对空间光波前进行调制。本发明提出的基于钙钛矿晶体全固态空间光调制器电光响应速度快，能够适应高速光束驱动以及光通信等应用要求，而且灵敏度高，π相位调制电压低，而且可以通过阵列项目实现对二维波前的调控。
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公开(公告)号：CN118377160A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202311608750.2
申请日：2023-11-28
申请人： 富士通光器件株式会社
发明人： 杉山昌树
摘要： 本公开涉及光学装置、光学发送装置和光学接收装置。光学装置包括：形成在基板上的脊形光学波导；形成在脊形光学波导的平板区域中的一个中的P掺杂区域；形成在脊形光学波导的平板区域中的另一个中的N掺杂区域；连接到P掺杂区域的第一电极；连接到N掺杂区域的第二电极；以及光学吸收结构。光学吸收结构根据在第一电极和第二电极之间流动的电流来实现对穿过脊形光学波导的信号光的光学吸收，并且使得在光学吸收中，穿过脊形光学波导的光学输入部的信号光的光学衰减率低于穿过脊形光学波导的不包括光学输入部的至少一部分的信号光的光学衰减率。
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公开(公告)号：CN110058433B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN201910048299.0
申请日：2019-01-18
申请人： 罗伯特·博世有限公司
摘要： 本公开涉及用于电光移相器的温度反馈。光学设备的发射器包括半导体波导，每一个在半导体波导中并入有电光移相器，该电光移相器可操作成改变波导的折射率，从而在通过波导传播的光中引入相移。电光器件连接到相移控制器和温度测量部件，诸如PTAT电路，该温度测量部件集成到承载波导的电子或光子芯片中。可以将由测量部件进行的温度测量与移相器的正常操作进行复用，使得温度测量功能不与移相功能发生干扰。
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公开(公告)号：CN113625475B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202110820080.5
申请日：2021-07-20
申请人： 厦门大学
摘要： 本发明公开了一种石墨烯/光波导结合的微型光谱器件及光谱分析方法，属于集成光子与硅基光电子学领域。器件包括基板、核心吸收单元和信号控制处理单元，其中核心吸收单元包括光栅耦合器、光波导、石墨烯吸收层、隔离层、介质层及调谐电极。光栅耦合器与光波导连接，石墨烯吸收层、隔离层与光波导构成空间夹心结构，调谐电极与石墨烯及介质层电连接用于电学信号施加获取。本发明的微型光谱器件将石墨烯材料与光波导进行结合，以串联结构形式对入射光谱信号进行吸收并对光电信号进行处理。所设计结构在显著提升石墨烯光吸收的同时，实现了器件面向宽光谱信号的选择性吸收及相应光电信号分析重构，对于片上微型光谱芯片和微型光谱设备的开发提供思路。
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公开(公告)号：CN116774469B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202310737309.8
申请日：2023-06-20
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本申请涉及微电子器件领域，尤其涉及一种器件的制备方法及结构。方法包括：对第一碳化硅衬底进行离子注入，得到第一待键合结构；对第二碳化硅衬底进行修整处理；将第一待键合结构和第二碳化硅衬底进行键合，得到第一键合结构；基于第一键合结构进行碳化硅剥离，得到碳化硅外延基底；在碳化硅外延基底上制备碳化硅外延层，得到第二待键合结构；将第二待键合结构的碳化硅外延层和第三碳化硅衬底基于介质层进行键合，得到第二键合结构；将第二键合结构中的碳化硅外延基底去除，得到复合衬底；在复合衬底的待刻蚀区域制备调制器件结构，得到器件。本申请可以基于载流子色散的机制，实现碳化硅的高效光调制的解决方案。
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公开(公告)号：CN118244518A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410408712.0
申请日：2024-04-07
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明涉及一种等比例横向垂直三维掺杂硅基耗尽型电光调制器及其制备方法，所述电光调制器在光传播方向上设有单个周期波导，所述波导中央设置有脊波导，所述脊波导在光传播方向上设有第一轻掺杂区(1)和第二轻掺杂区(2)；所述第一轻掺杂区(1)的横向PN结与第二轻掺杂区(2)的垂直PN结在第一轻掺杂区(1)和第二轻掺杂区(2)的交界面形成一个三维PN结；所述第一轻掺杂区(1)和第二轻掺杂区(2)在光传播方向上占脊波导的比例相同。本发明通过构造横向PN结‑垂直PN结的三维掺杂结构，实现高效调制的硅基耗尽型调制器，且在低压下具有高带宽的优势，可实现低功耗大规模数据传输，具有良好的市场应用前景。
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